公开(公告)号：KR102237211B1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：KR1020150025284A

申请日：2015-02-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김주연 ,  전상훈 ,  이현구 ,  권병화 ,  문제현 ,  박승구 ,  유병곤 ,  이정익 ,  임종태 ,  추혜용 ,  한준한

IPC: G09G3/20 ,  G02F1/133

CPC classification number: G09G3/20 ,  G02F1/133

Abstract: 표시 패널은 반사 모드 또는 발광 모드 중 어느 하나의 모드로 구동할 수 있는 복수의 픽셀들을 포함하되, 상기 복수의 픽셀들 각각은, 광 투과성 재료를 포함하는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판, 상기 제1 기판의 상기 제2 기판 방향의 표면 상에 위치하는 제1 전극, 상기 1 전극 상에 위치하고, 환원 및 산화 반응에 의해 발광하는 발광 재료를 포함하는 발광소자 층, 상기 제2 기판의 상기 제1 기판 방향의 표면 상에 위치하는 제2 전극, 상기 제2 전극 상에 위치하고, 환원 및 산화 반응에 의해 착색 또는 탈색되는 반사소자 층 및 상기 발광소자 층 및 상기 반사소자 층 사이에 위치하고, 상기 광의 투과율을 조절하는 전해질 층을 포함하되, 상기 반사 모드 시, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에는 제1 주파수 이하의 교류 전압이 인가되고, 상기 발광 모드 시, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에는 제2 주파수 이상의 교류 전압이 인가되고, 상기 제2 주파수는 상기 제1 주파수보다 높은 갖는다.

公开(公告)号：KR102233750B1

公开(公告)日：2021-04-01

申请号：KR1020140078173A

申请日：2014-06-25

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  한국과학기술원

Inventor： 박종혁 ,  양종헌 ,  유승협 ,  최정민 ,  추혜용 ,  황치선

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/335

Abstract: 본 발명은 기상 제트 프린팅을 이용한 금속 산화물 박막의 형성 방법 및 금속 산화물 박막 프린팅 장치에 관한 것으로, 상기 금속 산화물 박막의 형성 방법은, 제1 금속 산화물 전구체를 기화시키는 것; 기화된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 제1 캐리어 가스를 이용하여 혼합 챔버로 유입시키는 것; 유입된 상기 제1 금속 산화물 전구체를 상기 혼합 챔버의 하단에 연결된 마이크로 노즐을 통해 기판 상으로 분사하여, 상기 기판 상에 제1 금속 산화물 전구체층을 형성하는 것; 및 상기 제1 금속 산화물 전구체층에 전자기파를 조사하여 제1 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함할 수 있다.