专利检索 ap:("한양대학교 산학협력단") AND inv:"한태희" 第 1 页

1.

发明专利
KR102237569B1 - An electronic device comprising a sacrificial film containing graphene oxide and manganese oxide, and a manufacturing method thereof 有权

公开(公告)号：KR102237569B1

公开(公告)日：2021-04-07

申请号：KR1020190024500A

申请日：2019-03-04

申请人： 한양대학교 산학협력단

发明人： 박진성 , 한태희 , 성가진 , 홍태현 , 김영배

IPC分类号： B32B43/00 , B32B7/06

CPC分类号： B32B43/006 , B32B7/06 , B32B2310/0418 , B32B2379/08 , B32B2457/20

摘要： 전자 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 전자 소자의 제조 방법은 지지 기판(support substrate)을 준비하는 단계, 상기 지지 기판 상에 그래핀 산화물을 포함하는 소스 용액을 제공하여, 희생막을 형성하는 단계, 상기 희생막 상에 베이스 기판(base substrate)을 형성하는 단계, 상기 베이스 기판 상에, 금속 산화물을 포함하는 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나를 포함하는 트랜지스터를 형성하는 단계, 및 상기 희생막에 희생막 용해액을 제공하여, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함할 수 있다.

2.

发明专利
KR102237576B1 - Electric device using reaction of sacrificial film containing graphene oxide and water, and manufacturing method thereof 有权

公开(公告)号：KR102237576B1

公开(公告)日：2021-04-07

申请号：KR1020190024501A

申请日：2019-03-04

申请人： 한양대학교 산학협력단

发明人： 박진성 , 한태희 , 성가진 , 홍태현 , 김영배

IPC分类号： B32B43/00 , B32B7/06

CPC分类号： B32B43/006 , B32B7/06 , B32B2310/0409 , B32B2379/08 , B32B2457/20

摘要： 전자 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 전자 소자의 제조 방법은 지지 기판(support substrate), 베이스 기판(base substrate), 및 상기 지지 기판과 상기 베이스 기판 사이에 배치된 희생막을 포함하는 베이스 구조체를 준비하는 단계, 상기 베이스 기판 상에, 트랜지스터를 형성하는 단계, 및 상기 희생막에 희생막 용해액을 제공하여, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함할 수 있다.