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公开(公告)号:KR102237994B1
公开(公告)日:2021-04-07
申请号:KR1020190149629A
申请日:2019-11-20
申请人: 한양대학교 산학협력단
IPC分类号: G01S13/90
CPC分类号: G01S13/9021 , G06T2207/10044
摘要: 본 발명은 스페클 잡음을 포함하는 합성 개구 레이더(Synthetic Aperture Radar; SAR) 영상을 획득하는 단계; 상기 영상을 제 1 필터로 전처리하는 단계; 전처리된 영상에 포함된 스페클 잡음을 가산 잡음(Additive Gaussian White Noise; AGWN)으로 변환하는 단계; 상기 가산 잡음을 제 2필터로 후처리하는 단계; 및 후처리된 영상에 기반하여 스페클 잡음이 제거된 합성 개구 레이더 영상을 획득하는 단계를 포함하는, SAR 영상 내 잡음 제거 방법을 개시한다.
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公开(公告)号:KR102237576B1
公开(公告)日:2021-04-07
申请号:KR1020190024501A
申请日:2019-03-04
申请人: 한양대학교 산학협력단
CPC分类号: B32B43/006 , B32B7/06 , B32B2310/0409 , B32B2379/08 , B32B2457/20
摘要: 전자 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 전자 소자의 제조 방법은 지지 기판(support substrate), 베이스 기판(base substrate), 및 상기 지지 기판과 상기 베이스 기판 사이에 배치된 희생막을 포함하는 베이스 구조체를 준비하는 단계, 상기 베이스 기판 상에, 트랜지스터를 형성하는 단계, 및 상기 희생막에 희생막 용해액을 제공하여, 상기 지지 기판으로부터 상기 베이스 기판을 분리시키는 단계를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号:KR102234071B1
公开(公告)日:2021-03-31
申请号:KR1020190095292A
申请日:2019-08-06
申请人: 한양대학교 산학협력단 , 한국전기연구원
CPC分类号: H02K1/246 , H02K19/103 , H02K2213/03
摘要: 본 발명은 비대칭 립 구조의 회전자 및 이를 포함하는 라인 기동형 동기 릴럭턴스 전동기를 개시한다. 본 발명에 따르면, 라인 기동형 동기 릴럭턴스 전동기의 회전자에 있어서, 상기 회전자의 중심 방향으로 만곡 또는 절곡된 형상으로 형성되는 복수의 배리어; 상기 복수의 배리어 사이에 배치되어 고정자에서 생성된 자속이 흐르도록 하는 세그먼트; 및 상기 복수의 배리어 중 일부의 끝단에 형성되는 복수의 립을 포함하되, 상기 복수의 립 중 q축에 인접한 제1 립보다 d축에 인접한 제2 립이 더 큰 두께를 갖는 라인 기동형 동기 릴럭턴스 전동기의 회전자가 제공된다.
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公开(公告)号:KR102233213B1
公开(公告)日:2021-03-29
申请号:KR1020170025333A
申请日:2017-02-27
申请人: 현대자동차주식회사 , 기아자동차주식회사 , 한양대학교 산학협력단
IPC分类号: H04L12/40
CPC分类号: H04L12/40084 , H04L12/40117 , H04L12/40143 , H04L2012/40215 , H04L2012/40273
摘要: 네트워크에서 스트림의 통신 경로 설정 방법이 개시된다. 통신 경로의 설정 방법은 통신 경로의 설정을 요청하는 제1 프레임을 수신하는 단계, 제1 프레임의 스트림 ID와 동일한 스트림 ID를 가지는 제2 프레임이 수신되지 않은 경우에 제1 프레임에 포함된 정보를 기초로 제1 통신 노드의 테이블을 설정하는 단계, 제1 프레임의 홉 카운트를 증가시키는 단계, 및 증가된 홉 카운트를 포함하는 제1 프레임을 전송하는 단계를 포함한다. 따라서, 차량 네트워크의 성능이 향상될 수 있다.
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公开(公告)号:KR20210033872A
公开(公告)日:2021-03-29
申请号:KR1020190173662A
申请日:2019-12-24
申请人: 한양대학교 산학협력단
IPC分类号: C08F292/00 , C08F220/56 , C08G83/00
CPC分类号: C08F292/00 , C08F220/56 , C08G83/004
摘要: 본 개시 내용에서는 자성중심 덴드리머의 말단에 온도감응형 물질로부터 유래하는 모이티가 부착되어 온도 조절을 통하여 수처리를 비롯한 다양한 분야에 적용 가능한 온도감응형 자성중심 덴드리머 및 이의 제조방법이 기재된다.
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公开(公告)号:KR102229893B1
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:KR1020190030733A
申请日:2019-03-18
申请人: 한양대학교 산학협력단
CPC分类号: H04B14/048 , H04B15/005 , H04L69/04
摘要: RoIP 선형 예측 부호화 및 비선형 양자화 융합 압축 송신 방법 및 장치가 제시된다. 본 발명에서 제안하는 RoIP 선형 예측 부호화 및 비선형 양자화 융합 압축 송신 장치는 데이터 전송 과정 중 과거의 신호 샘플 값을 통해 미래의 신호 샘플 값을 예측하여 예측한 결과의 오차 값을 전송하는 방식으로 압축을 실현하는 선형 예측부, 선형 예측부에서 출력되는 오차 값을 시간 축에 따라 복수의 신호 샘플 값들을 포함하는 블록들로 묶어주고 데이터를 상기 블록 형태로 비선형 양자화부에 입력하는 블록 스케일링부 및 각 블록 내의 신호 샘플 값의 양자화 레벨을 결정하고 신호 샘플 값을 이진 형태로 변환하는 비선형 양자화부를 포함한다.
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公开(公告)号:KR102229859B1
公开(公告)日:2021-03-19
申请号:KR1020190009460A
申请日:2019-01-24
申请人: 한양대학교 산학협력단
发明人: 신승준
IPC分类号: G05B19/418 , G06N20/00 , G06Q10/04 , G06Q10/06 , G06Q50/04
CPC分类号: G05B19/41865 , G06N20/00 , G06Q10/04 , G06Q10/063 , G06Q50/04 , Y02P90/02 , Y02P90/30
摘要: 기계 학습을 위한 훈련 데이터 셋이 충분하지 않은 상황에서, 전이 학습을 통해 예측 모델을 생성하여 공정을 관리할 수 있는 방법, 장치 및 시스템이 개시된다. 개시된 전이 학습을 이용한 공정 관리 방법은 레퍼런스 공정 조건별 공정 변수에 대한 설비 장치별 성과 지표가 학습된 제1예측 모델로부터, 타겟 공정 조건별 공정 변수에 대한 설비 장치별 성과 지표를 예측하기 위한 제2예측 모델을 생성하는 단계; 상기 제2예측 모델을 이용하여, 타겟 공정 조건별 공정 변수에 대한 설비 장치별 성과 지표를 예측하는 단계; 및 상기 예측된 성과 지표 및 미리 주어진 성과 지표 조건을 이용하여, 상기 타겟 공정 조건에 따라 공정을 수행할 설비 장치를 결정하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号:KR20210030805A
公开(公告)日:2021-03-18
申请号:KR1020190112443A
申请日:2019-09-10
申请人: 한양대학교 산학협력단 , 한국화학연구원
IPC分类号: C12N15/10 , C12N9/22 , C12N15/113
CPC分类号: C12N15/102 , C12N15/113 , C12N9/22 , C12N2310/20
摘要: 본 발명은 오토파지 유도제를 포함하는 상동재조합에 의한 유전자 교정 효율 증대용 조성물 및 유전자 교정 효율 증대방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 기술은 인간세포 및 동물세포에서 오토파지를 유도함으로써 예컨대 크리스퍼 유전자 가위에 의한 상동재조합 유전자 교정 효율을 약 10배까지 현저히 증대시킬 수 있으며, 또한, 세포의 내재적인 오토파지 기전을 이용함으로써 적용할 수 있는 범위가 넓고 특히
in
vivo 에도 적용할 수 있는바, 기존의 상동재조합 효율 증대 기술의 한계점을 극복할 수 있다. 나아가 본 발명의 기술은 정확하고 효율적인 유전자 교정을 가능하게 하여 생명과학 연구, 유전자 치료 및 신약개발 등의 다양한 분야에서 유용하게 활용될 수 있을 것으로 기대된다.-
公开(公告)号:KR20210028916A
公开(公告)日:2021-03-15
申请号:KR1020190110057A
申请日:2019-09-05
申请人: 한양대학교 산학협력단
CPC分类号: H01J37/32174 , H01J37/32532 , H01J37/32715 , H01L21/67017
摘要: 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 챔버; 상기 챔버의 내측에 위치되어, 공정이 이루어질 기판을 지지하는 서셉터; 설정 면적을 가지고, 상기 챔버의 내부의 상부 영역에 위치되는 전극판; 플라즈마 발생을 위한 전력을 제공하고, 상기 서셉터에 연결되는 RF 전원; 및 상기 RF 전원이 상기 서셉터에 연결되는 도선에서 분기되어 접지되는 분기 도선상에 위치되는 플라즈마 제어 부재를 포함한다.
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公开(公告)号:KR20210027329A
公开(公告)日:2021-03-10
申请号:KR1020210027559A
申请日:2021-03-02
申请人: 한양대학교 산학협력단
IPC分类号: H01L21/768 , H01L21/70
CPC分类号: H01L21/76898 , H01L21/702 , H01L21/76838
摘要: 본 발명은 뒤틀림이 억제된 반도체 소자의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자의 제조 방법은 기판의 일면에 제1 다층 박막 구조를 갖는 반도체 소자를 형성하는 단계; 및 상기 기판의 타면에 제2 다층 박막 구조를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제2 다층 박막 구조는 상기 제1 다층 박막 구조와 동일한 것을 특징으로 한다.
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