-
公开(公告)号：JPWO2014080707A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2014528361
申请日：2013-10-12
IPC分类号： C01B32/152 , C01B32/158 , D01F9/127
CPC分类号： C01B31/0226 , C01B31/00 , C01B32/00 , C01B32/05 , C01B32/158 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B2202/34 , D02G3/02 , D04H3/002
摘要： 気相触媒法により製造されるCNTアレイの生産性を高める手段およびそのCNTアレイの紡績性を高める手段として、ケイ素の酸化物を含む材料からなる面であるベース面をその表面の少なくとも一部として備える基板を、気相触媒を含む雰囲気内に存在させる第一ステップと、前記気相触媒を含む雰囲気に原料ガスおよび気相助触媒を存在させることにより、前記基板のベース面上に複数のカーボンナノチューブを成長させ、前記ベース面上に前記複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブアレイを得る第二ステップとを備えることを特徴とするカーボンナノチューブアレイの製造方法が提供される。
摘要翻译： 作为用于增强装置和CNT阵列的纺丝提高CNT阵列的生产率由气相催化方法来制备，所述底表面是由含有硅的氧化物作为其表面的至少一部分的材料的表面 包括第一步骤的底物存在于含有气相催化大气中，由原料气体和蒸汽助催化剂气氛的含汽相催化，所述基板的所述基座表面上的多个碳纳米管的存在 它生长，制造碳纳米管阵列的方法;提供和获得所述多个基底表面上的碳纳米管的碳纳米管阵列的第二步骤。
-
公开(公告)号：JPWO2013125599A1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014500745
申请日：2013-02-20
IPC分类号： C07D307/77 , C07D333/50 , C07D345/00 , C07D409/14 , C07D417/14 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC分类号： H01L51/0073 , C07D307/77 , C07D333/50 , C07D345/00 , C07D409/14 , C07D417/14 , H01L51/0068 , H01L51/0069 , H01L51/0074 , H01L51/0512 , H01L51/0558
摘要： [課題]合成が容易であり、化学的安定性に優れ、半導体特性(高いキャリア移動度)を有し、かつ溶媒に対する高い溶解性を有する有機化合物を提供する。[解決手段]式(1)または式(2)で表される化合物。[式(1)中、Xは酸素、硫黄またはセレンであり;nは0または1であり;R1〜R3は水素、フッ素、炭素数1〜20のアルキル、アリール、ピリジル、フリル、チエニルまたはチアゾリル等であり、ただし、Xがセレンの場合を除き、全てのR1〜R3が同時に水素であることはなく、また、Xが硫黄であり、かつ全てのR1が同時にブチルであることはない。式(2)中、Xは酸素、硫黄またはセレンであり;nは0または1であり;R1〜R2は水素、炭素数1〜20のアルキル、アリール、ピリジル、フリル、チエニルまたはチアゾリル等であり;ただし、全てのR1〜R2が同時に水素であることはない。]
摘要翻译： [问题]合成容易和化学稳定性优异，具有半导体特性（高载流子迁移），并提供具有在溶剂中的高溶解度的有机化合物。 [解决方法]式（1）或由式代表的化合物（2）。 [在式（1）中，X是氧，是硫或硒; n是0或1; R1-R3是氢，氟，具有1至20个碳原子，芳基，吡啶基，呋喃基，噻吩基或噻唑基烷基 是相等的，但是，X除了在硒的情况下，从未所有R1〜R3是在同时为氢，另外，X是硫，并且所有的R 1不能同时为丁基。 在式（2）中，X是氧，是硫或硒; n是0或1; R 1至R 2是具有1至20个碳原子，芳基，吡啶基，呋喃基，噻吩基或噻唑基，等等氢，烷基 然而，从来没有所有的R 1〜R 2是在同时为氢。 ]
-
公开(公告)号：JPWO2016117198A1
公开(公告)日：2017-11-30
申请号：JP2016570493
申请日：2015-10-26
申请人： 国立大学法人静岡大学 , Jnc株式会社 , Jnc株式会社
摘要： その内面を成長基面としてCNTフォレストを形成する内部空間を有する開口基板からCNTフォレストを紡ぎ出した後の洗浄などの取り扱いが容易な開口基板として、開放部を通じて外部と連通する内部空間を有し、内面の少なくとも一部をCNTフォレストの成長基面とする開口基板80は、半円筒状の部品80Aと80Bが分割可能に組み立てられた組立体からなる開口基板が提供される。
-
公开(公告)号：JPWO2015083701A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015551519
申请日：2014-12-02
申请人： 国立大学法人静岡大学 , Jnc株式会社 , Jnc株式会社
IPC分类号： D02G3/22 , C01B32/152 , C01B32/158
CPC分类号： C01B32/168 , C01B32/16 , C01B2202/08 , D02G3/26
摘要： CNT糸の撚り掛けのみが行われた状態で、下記式(1)により定義される破断荷重インデックスFが150nN以上であるCNT撚糸、それを製造する方法、およびその製造に適した紡績源を提供する。F = Tφ2/(φ/d)2(1)ここで、CNT撚糸の平均引張強度T(単位:MPa)は、同一条件で製造された前記CNT撚糸の3本以上を測定対象として測定された引張強度の測定値の算術平均値であり、CNT撚糸の平均直径φ(単位:μm)は、引張強度の測定に供された前記3本以上のCNT撚糸または当該CNT撚糸と同一の条件で製造されたCNT撚糸の3本以上の平均直径の算術平均値であり、CNTの平均直径d(単位:nm)は、引張強度の測定に供された前記3本以上のCNT撚糸または当該CNT撚糸と同一の条件で製造されたCNT撚糸の3本以上を構成するCNTの平均直径の算術平均値である。
-
公开(公告)号：JPWO2016117197A1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2016570492
申请日：2015-10-26
申请人： 国立大学法人静岡大学 , Jnc株式会社 , Jnc株式会社
IPC分类号： C01B32/158 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B32/168 , D02G3/02
CPC分类号： C01B32/16 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/05 , D01H7/00 , D02J1/00 , D07B1/005 , D07B2205/3007
摘要： 紡績性の良好なCNTフォレストおよび、かかるCNTフォレストの製造方法として、CNTフォレスト45は、開放部41を通じて外部と連通する内部空間42を有する開口基板40における内面43の少なくとも一部を含む面を成長基面44として形成されたものであって、開放部41側の端46に紡ぎ出し可能部47を有している製造方法が提供される。
-
公开(公告)号：JPWO2015133471A1
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2016506499
申请日：2015-03-03
IPC分类号： C07D513/04 , C07D513/14 , C07D513/22 , C07F7/10 , H01L29/786
CPC分类号： C07D513/04 , C07D513/14 , C07D513/22 , C07F7/0812 , H01L51/0003 , H01L51/0068 , H01L51/0071 , H01L51/0094 , H01L51/0558
摘要： 本発明は、新規化合物、該化合物を重合してなるポリマー、有機半導体材料およびその用途に関し、前記新規化合物は、下記式(I)で表される化合物である。[式(I)中、A、BおよびCからなる群より選択される少なくとも1つの位置と、D、EおよびFからなる群より選択される少なくとも1つの位置とにおいて、1,2,5−チアジアゾール環を有する基が縮合しており、アントラセン骨格の1〜10位の水素はそれぞれ独立に、置換基で置き換えられていてもよく、アントラセン骨格の1〜10位の炭素はそれぞれ独立に、ヘテロ原子で置き換えられていてもよい。]
-
公开(公告)号：JP5664832B2
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：JP2014528361
申请日：2013-10-12
CPC分类号： C01B31/0226 , C01B31/00 , C01B32/00 , C01B32/05 , C01B32/158 , C01B32/16 , C01B32/162 , C01B2202/34 , D02G3/02 , D04H3/002
-
8.发明专利
公开(公告)号：JPWO2015030132A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015534294
申请日：2014-08-28
申请人： 国立大学法人静岡大学 , Jnc株式会社
IPC分类号： C01B32/152 , C01B32/158
CPC分类号： C01B31/0233 , B01J23/745 , C01B32/162
摘要： 気相触媒法により製造されるカーボンナノチューブの生産性を高める手段として、カーボンナノチューブを気相触媒法により製造する製造装置であって、カーボンナノチューブが形成される領域である成長領域を有する第1のチャンバー、第1のチャンバー内の成長領域の温度を調整可能な第1の温度調整装置、第1のチャンバー内の圧力を調整可能な圧力調整装置、第1のチャンバー内の成長領域に炭素源を供給可能な第1の供給装置、製造装置内に配置された固相の鉄族元素含有材料の温度を調整可能な第2の温度調整装置、および第2の温度調整装置により所定の温度に調整された鉄族元素含有材料が気相のハロゲン含有物質と反応可能となるように、ハロゲン含有物質を製造装置内に供給可能な第2の供給装置を備えることを特徴とする製造装置が提供される。
摘要翻译： 作为用于增强由气相催化方法制得的碳纳米管的生产率，将碳纳米管的制造装置制造的气相催化方法，先用生长区是形成碳纳米管的区域 腔室，所述第一可调第一温度调节装置的室，第一可调节的压力调节器在所述腔室中的压力，所述碳源到所述第一腔室的生长区域的生长区域的温度 第一供应装置能够供应，可调节第二温度调节装置设置在所述制造装置中的固相的铁基含元素的材料的温度，和由第二温度调节装置调节到规定的温度 作为其是铁族含元素的材料是能够与在气相中含卤素的物质反应，生产设备，其特征在于它包括能够提供含卤素的物质进入制造装置的第二供给装置 它提供。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.021 秒)
