公开(公告)号：KR20210028078A

公开(公告)日：2021-03-11

申请号：KR1020200081888A

申请日：2020-07-03

Applicant: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

Inventor： 차오-칭 청 ,  츠-앙 차오 ,  춘-치에 루 ,  훙-리 치앙 ,  츠-치앙 첸 ,  라인-종 리

IPC: H01L29/66 ,  H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66772 ,  H01L51/0558 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0541 ,  H01L29/41775 ,  H01L51/0048

Abstract: 방법은, 격리층 위에 제1 저-치수층을 형성하는 단계, 제1 저-치수층 위에 제1 절연체를 형성하는 단계, 제1 절연체 위에 제2 저-치수층을 형성하는 단계, 제2 저-치수층 위에 제2 절연체를 형성하는 단계, 및 제1 저-치수층, 제1 절연체, 제2 저-치수층, 및 제2 절연체를 돌출 핀으로 패터닝하는 단계를 포함한다. 제1 저-치수층, 제1 절연체, 제2 저-치수층, 및 제2 절연체의 나머지 부분들은 제1 저-치수 스트립, 제1 절연체 스트립, 제2 저-치수 스트립, 및 제2 절연체 스트립을 각각 형성한다. 이어서, 트랜지스터가 돌출 핀에 기초하여 형성된다.

公开(公告)号：JP6418462B2

公开(公告)日：2018-11-07

申请号：JP2017012289

申请日：2017-01-26

Applicant: コーニング インコーポレイテッド

Inventor： ミンチエン ハァ ,  ジエユィ フゥ ,  ウェイジュン ニウ ,  アダマ タンディア

IPC: C08G61/12

CPC classification number: C08G61/126 ,  C07D519/00 ,  C08G61/124 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/334 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/5012

公开(公告)号：JP6392205B2

公开(公告)日：2018-09-19

申请号：JP2015507403

申请日：2013-04-02

Applicant: メルク パテント ゲーエムベーハー

Inventor： ミッチェル、ウィリアム ,  ドゥラバリ、マンスール ,  ワン、チャンシェン ,  ティアニー、スティーブン ,  ソン、ジンヤオ

IPC: H01L51/50 ,  H01L33/00 ,  H01L51/46 ,  C08G61/12

CPC classification number: H01L51/0036 ,  C07D495/22 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/12 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/18 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/364 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/91 ,  C08G2261/92 ,  C08G2261/95 ,  C08L65/00 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JPWO2017090559A1

公开(公告)日：2018-09-06

申请号：JP2016084483

申请日：2016-11-21

Applicant: 東レ株式会社

Inventor： 脇田 潤史 ,  清水 浩二 ,  河井 翔太 ,  村瀬 清一郎

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L27/08 ,  H01L21/8246

CPC classification number: C08F220/14 ,  C08F212/08 ,  C08F220/32 ,  C08F2220/1841 ,  C08F2220/325 ,  C08F2800/20 ,  C08G18/34 ,  C08G18/71 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/322 ,  G03F7/40 ,  G06K19/07773 ,  H01B1/22 ,  H01B5/16 ,  H01L21/288 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/28 ,  H01L27/283 ,  H01L29/786 ,  H01L51/004 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/05 ,  H01L51/0558

Abstract: 駆動電圧が低く、塗布形成可能な強誘電体記憶素子を提供すること。少なくとも、第一の導電膜と、第二の導電膜と、前記第一の導電膜および前記第二の導電膜の間に設けられた強誘電体層を備える強誘電体記憶素子であって、前記強誘電体層が強誘電体粒子および有機成分を含有し、さらに前記強誘電体粒子の平均粒子径が30〜500nmである強誘電体記憶素子。

公开(公告)号：JP6359039B2

公开(公告)日：2018-07-18

申请号：JP2015560650

申请日：2014-03-03

Applicant: ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ,  BASF SE

Inventor： ダニエル テ. グリュコ ,  マレク グジィボヴスキ

IPC: C07D495/22 ,  C07D491/22 ,  C07D517/22 ,  C07D487/04 ,  C07D519/00 ,  C09K11/06 ,  G01N21/64 ,  C08G61/12 ,  H01L51/46 ,  H01L51/30 ,  C07D471/22

CPC classification number: H01L51/0074 ,  C07D471/22 ,  C07D487/04 ,  C07D487/22 ,  C07D491/22 ,  C07D495/22 ,  C07D517/22 ,  C07D519/00 ,  C08G69/00 ,  C08G69/42 ,  C09B57/004 ,  C09B69/008 ,  C09B69/109 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1011 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1088 ,  C09K2211/1092 ,  G01N33/52 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0058 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

公开(公告)号：JP2018516999A

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：JP2017540161

申请日：2016-04-11

Applicant: 日産化学工業株式会社

Inventor： デ・カンポ,フロリアン ,  スウィッシャー,ロバート ,  シェイナ,エレナ ,  ワン,ジン ,  スキルマン,キャロライン

IPC: C09D11/38 ,  H01B1/20 ,  H01B1/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  C09K11/06 ,  C09D11/52

CPC classification number: C09D11/102 ,  C09D11/033 ,  C09D11/106 ,  C09D11/108 ,  C09D11/36 ,  C09D11/52 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  H01L2251/556 ,  Y02E10/549

Abstract: 本明細書に記載されるのは、スルホン化共役ポリマー、ポリマー酸、オプションのマトリックス化合物、及びアミン化合物を含有する非水系インク組成物である。本開示はまた、例えば、有機電子デバイスにおける、このような非水系インク組成物の使用に関する。

公开(公告)号：JP2018098500A

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：JP2017235346

申请日：2017-12-07

Applicant: ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

Inventor： 趙 宇丹 ,  霍 雨佳 ,  肖 小陽 ,  王 営城 ,  張 天夫 ,  金 元浩 ,  李 群慶 ,  ▲ハン▼ 守善

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  C23C16/40 ,  C23C14/08 ,  C23C14/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0558 ,  H01L21/2855 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/772 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0023 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/055 ,  H03K19/094

Abstract: 【課題】優れた電気特性を有するデジタル回路を提供する。 【解決手段】二つのバイポーラーの薄膜トランジスタ100Cは、基板、ゲート電極、誘電層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む。半導体層104が基板101の表面に設置され、複数のナノ半導体材料を含む。ソース電極105及びドレイン電極106が基板に設置され、半導体層と接続される。誘電層103が半導体層の表面に設置され、各層を被覆し、誘電層は、積層して設置された第一及び第二サブ誘電層1031、1032を含む。ゲート電極102が誘電層の表面に設置される。二つのゲート電極が電気的に接続され、二つのソース電極或いは二つのドレイン電極が電気的に接続される。第一サブ誘誘電層は、特異のヒステリシス材料層であり、ゲート電極と直接に接触して設置される。第二サブ誘電層は、正常のヒステリシス材料層であり、第一サブ誘電層と半導体層との間に設置される。 【選択図】図35

公开(公告)号：JP6346339B2

公开(公告)日：2018-06-20

申请号：JP2017077077

申请日：2017-04-07

Applicant: パイクリスタル株式会社

Inventor： 竹谷 純一 ,  添田 淳史

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/0003 ,  B05C5/02 ,  B05C5/0254 ,  B05C11/028 ,  B05C11/04 ,  C30B19/063 ,  C30B29/58 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/0558

公开(公告)号：JP2018074158A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2017208972

申请日：2017-10-30

Applicant: ツィンファ ユニバーシティ ,  鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司

Inventor： 李 東▲ち▼ ,  魏 洋 ,  姜 開利 ,  ▲ハン▼ 守善

IPC: H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  C01B32/172 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0031 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2653 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/105

Abstract: 【課題】本発明は、薄膜トランジスタの製造方法に関する。 【解決手段】 本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、ゲート電極の表面に絶縁層を設置する第一ステップと、絶縁層の表面にカーボンナノチューブ構造体を設置する第二ステップと、走査型電子顕微鏡によって、カーボンナノチューブ構造体における金属型カーボンナノチューブ及び半導体型カーボンナノチューブを区分する第三ステップと、カーボンナノチューブ構造体における金属型カーボンナノチューブを除去し、半導体層を形成する第四ステップと、ソース電極及びドレイン電極を半導体層の表面に間隔をあけて設置し、且つ半導体層とそれぞれ電気的に接続させ、薄膜トランジスタを形成する第五ステップと、を含む。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP6272242B2

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：JP2014561596

申请日：2013-08-21

Applicant: 国立研究開発法人科学技術振興機構

Inventor： 福島 孝典 ,  庄子 良晃 ,  石割 文崇 ,  関谷 毅 ,  染谷 隆夫

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  C07C69/712 ,  C07C43/21 ,  C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  H01L51/50 ,  H01G4/33 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/0055 ,  C07C43/21 ,  C07C43/215 ,  C07C43/225 ,  C07C69/712 ,  C07C69/734 ,  C07C2603/86 ,  C07C2603/90 ,  H01L28/40 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0558