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公开(公告)号：JP2020017556A
公开(公告)日：2020-01-30
申请号：JP2018137452
申请日：2018-07-23
Applicant: JSR株式会社
IPC: C09K3/14 , C09G1/04 , B24B37/00 , H01L21/304
Abstract: 【課題】配線材料、絶縁膜材料及びバリアメタル材料を高速で研磨するとともに、被研磨面における研磨傷の発生を低減すること。 【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、(A)シリカ粒子と、(B)有機酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも1種と、(C)アミノ置換シラン及びその縮合体よりなる群から選択される少なくとも1種と、を含有し、pHが7以上14以下である。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2021082645A
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019206907
申请日：2019-11-15
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 【課題】タングステンやコバルト等の導電体金属とシリコン酸化膜等の絶縁膜とが共存する被研磨面に対して、高速かつ平坦に研磨することができるとともに、研磨後の表面欠陥を低減できる化学機械研磨用組成物、及び化学機械研磨方法を提供すること。 【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用組成物は、(A)2以上のアミノ基を有する化合物で修飾されたシリカ粒子と、(B)液状媒体と、を含有する。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2020202206A
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：JP2019106051
申请日：2019-06-06
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 【課題】研磨対象物に含まれる複数種の材料の研磨速度をそれぞれ制御でき、かつ、保存安定性にも優れた化学機械研磨用水系分散体、及び該化学機械研磨方法の製造方法を提供すること。 【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、(A)砥粒と、(B)アニオン性界面活性剤と、(C)カチオン性界面活性剤と、(D)芳香環を有する水溶性高分子と、を含有し、前記(B)成分及び前記(C)成分のうちの少なくとも1種が芳香環を有する界面活性剤である。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP5696567B2
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：JP2011080457
申请日：2011-03-31
Applicant: JSR株式会社
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：JP6020532B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2014219245
申请日：2014-10-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: B29C33/38 , B29C59/02 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
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公开(公告)号：JP2020188090A
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2019090602
申请日：2019-05-13
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , C11D3/04 , C11D3/26 , H01L21/304
Abstract: 【課題】半導体洗浄や化学機械研磨の処理に用いたときに、コバルトを含む基板に与えるダメージを抑制できる半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物を提供すること。 【解決手段】本発明に係るコバルトを含む基板を処理するための半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物は、下記(A−1)成分を含有し、下記(A−2)成分および下記(A−3)成分からなら群より選択される少なくとも1種を含有し、かつ下記(B)成分を含有する半導体洗浄用または化学機械研磨用組成物。 (A−1)グルタミン酸、 (A−2)ヒスチジン、 (A−3)システイン、 (B)無機酸およびこの塩からなる群より選択される少なくとも1種 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2020035895A
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：JP2018161243
申请日：2018-08-30
Applicant: JSR株式会社
IPC: B24B37/00 , C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 【課題】配線金属材料及びバリアメタル材料を含む被研磨面の過度なエッチングを抑制するとともに、該被研磨面を高速で研磨することができ、さらに安定性にも優れた化学機械研磨用水系分散体を提供すること。 【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体の一態様は、(A)砥粒と、(B)鉄塩と、(C)ヒドロキシル基及びカルボキシル基を有する化合物、並びにその塩からなる群より選択される少なくとも1種と、を含有し、pHが7以上14以下である。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2015065443A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2014219245
申请日：2014-10-28
Applicant: JSR株式会社
IPC: B29C33/38 , B29C59/02 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 【課題】レジスト膜のはがれを抑制できるパターン形成方法を提供する。 【解決手段】本パターン形成方法は、基板20上に、有機高分子を主成分とする第1樹脂層31を形成する第1樹脂層形成工程(1)と、前記第1樹脂層31の表面に、有機高分子を主成分とする第2樹脂層32を形成する第2樹脂層形成工程(2)と、前記第2樹脂層32に凸部を有するスタンパを圧接、脱離して、前記第2樹脂層32に凹部321を形成する凹部形成工程(PR3)と、前記凹部321内に無機高分子を主成分とする充填部33を形成する充填部形成工程(PR4)と、前記充填部33をマスクとして、前記第1樹脂層31及び前記第2樹脂層32をエッチングするエッチング工程(PR5)と、を備える。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供能够抑制抗蚀剂膜剥离的图案形成方法。解决方案：图案形成方法包括以下步骤：在基板20上形成主要由有机聚合物组成的第一树脂层31（第一树脂 层形成工序（1））; 在第一树脂层31（第二树脂层形成步骤（2））的表面上形成主要由有机聚合物组成的第二树脂层32; 通过在第二树脂层32（凹部形成步骤（PR3））中对包括凸起的压模进行压焊和解吸，形成第二树脂层32中的凹部321。 在凹部321（填充部形成工序（PR4））中形成主要由无机聚合物构成的填充部33）。 并使用填充部33作为掩模蚀刻第一树脂层31和第二树脂层32（蚀刻工序（PR5））。
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