-
公开(公告)号：JP6252611B2
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：JP2016043355
申请日：2016-03-07
CPC分类号： G02B1/04 , C08K5/3417 , G02B5/208 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：JP6252329B2
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：JP2014081846
申请日：2014-04-11
IPC分类号： C08G14/073 , C07D265/16
-
公开(公告)号：JP6252078B2
公开(公告)日：2017-12-27
申请号：JP2013206256
申请日：2013-10-01
CPC分类号： C09K19/54 , C09K19/56 , G02F1/133711 , G02F1/133788 , G02F1/1341
-
公开(公告)号：JPWO2016104491A1
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016566383
申请日：2015-12-22
摘要： (A)波長700〜2000nmの範囲内に極大吸収波長を有する赤外線吸収剤、及び(B)シロキサンポリマーを含む赤外線遮蔽性組成物であって、(B)シロキサンポリマーが下記式(1)で表わされる構造単位αと下記式(3)で表わされる構造単位βとを有し、構造単位αと構造単位βとの含有割合[α/β]がモル比で100/0〜5/95である、赤外線遮蔽性組成物。〔式中、R1は芳香族炭化水素基を示し、R3は鎖状炭化水素基を示し、m及びnは相互に独立に1〜3の整数を示す。〕
-
公开(公告)号：JPWO2017018419A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2017518176
申请日：2016-07-26
CPC分类号： G02B5/22 , G01J1/02 , G01J1/0271 , G01J1/04 , G01J1/0403 , G01J1/0448 , G01J1/0488 , G02B5/28 , H01L31/0232
摘要： 近赤外吸収微粒子を含む層を有する基材と該基材の少なくとも一方の面に誘電体多層膜を有し、(a)波長400〜650nmの範囲において、光学フィルターに対し垂直方向から入射する光、垂直方向から30度斜め方向から入射する光、垂直方向から60度斜め方向から入射する光、のいずれにおいても透過率の平均値が45%以上85%未満、および(b)波長800〜1200nmの範囲において、光学フィルターに対し垂直方向から入射する光、垂直方向から30度斜め方向から入射する光、垂直方向から60度斜め方向から入射する光、のいずれに対しても光学濃度(OD値)の平均値が1.7以上、の要件を満たす光学フィルターが提供される。
-
公开(公告)号：JPWO2016068224A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：JP2016556616
申请日：2015-10-29
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/283 , H01L21/285 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78636 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L29/66742 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/78 , H01L29/7869
摘要： フォトリソグラフィ工程数を削減し、微細なパターンの形成が可能な薄膜トランジスタ、MOS電界効果トランジスタの製造方法を及びこれにより作製された薄膜トランジスタ、MOS電界効果トランジスタを提供することを目的とする。それらの薄膜トランジスタ、MOS電界効果トランジスタは電子デバイスに用いられる。薄膜トランジスタは、基板上に設けられた第一の絶縁層と、第一の絶縁層上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、第一の絶縁層とソース電極とドレイン電極とを覆うように設けられた半導体層と、半導体層上に設けられた第二の絶縁層と、第二の絶縁層上に設けられたゲート電極とを具備し、第一の絶縁層は親撥材から成り、かつ凹部を有し、第一の絶縁層の凹部を埋めるようにソース電極及びドレイン電極が設けられることを特徴とする。
-
公开(公告)号：JPWO2016043200A1
公开(公告)日：2017-07-06
申请号：JP2016548899
申请日：2015-09-15
CPC分类号： G03F7/0044 , G03F7/0042 , G03F7/0045 , G03F7/038 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/2037 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要： 本発明は、膜を形成する工程、膜を露光する工程及び露光された膜を現像する工程を備え、膜を、加水分解性基を有する遷移金属化合物、加水分解性基を有する遷移金属化合物の加水分解物、加水分解性基を有する遷移金属化合物の加水分解縮合物又はこれらの組み合わせである金属含有化合物と式(1)で表される有機化合物とを混合して得られる錯体を含有する感放射線性組成物を用いて形成するパターン形成方法である。下記式(1)中、R1は、n価の有機基である。nは、1〜4の整数である。nが1の場合、Xは、−COOHである。nが2〜4の場合、Xは、−OH、−COOH、−NCO、−NHRa、−COORA又は−CO−C(RL)2−CO−RAである。Raは、水素原子又は1価の有機基である。RAは、それぞれ独立して、1価の有機基である。RLは、それぞれ独立して、水素原子又は1価の有機基である。
-
公开(公告)号：JP2017114966A
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2015249707
申请日：2015-12-22
发明人： YAMADA HIRONARI , OKAMOTO TAKAHIRO , HOSHINO MOTOKI , SHINOMURA HISASHI , SHIBUYA KYOHEI , NODA MASAHIRO
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , C09G1/02 , H01L21/304
摘要： 【課題】本発明では、ポリシリコンあるいはアモルファスシリコンの研磨用途において、高い除去速度で研磨可能な化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】化学機械研磨用組成物であって、スルフィニル基を側鎖に有する繰り返し単位を有する重合体(A)を含有し、スルフィニル基を側鎖に有する繰り返し単位が、下記式(1)で表される。【化1】・・・・・(1)(式(1)中、R3は直接結合または炭素数1〜24の2価の有機基を示し、R4は置換基を有していてもよい炭素数1〜20のアルカンジイル基または置換基を有していてもよい炭素数6〜20のアリーレン基を示す。)【選択図】なし
-
-
公开(公告)号：JPWO2016024425A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016542511
申请日：2015-05-14
IPC分类号： G03F7/023 , C08G8/04 , G03F7/004 , G03F7/032 , G03F7/037 , G03F7/075 , H01L51/50 , H05B33/22
摘要： [課題]アウトガスの発生量が少なく、紫外域近辺において遮光性を有する絶縁膜を有する表示又は照明装置用素子を提供する。[解決手段](B)感光剤と、(C)式(C1)で表される構造単位を有する樹脂、および式(C2)で表される構造を有する樹脂から選ばれる少なくとも1種の樹脂とを含有する感放射線性樹脂組成物から形成された絶縁膜を有する表示又は照明装置用素子。[式(C1)中、Aはフェノール性水酸基を有する2価の芳香族基であり、Lは特定の式で表される1価の基であり、式(C2)中、A’はフェノール性水酸基を有するk+m+n価の芳香族基であり、Lは特定の式で表される1価の基であり、複数あるLは各々同一であっても異なっていてもよく、*は他のA’との結合手であり、kは0〜9の整数であり、mは0〜9の整数であり、nは0〜9の整数であり、k+m+nは1〜9の整数である。]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11017 条记录 (耗时 0.087 秒)
