公开(公告)号：JP2005260261A

公开(公告)日：2005-09-22

申请号：JP2005120129

申请日：2005-04-18

Applicant: Minnesota Mining & Mfg Co <3M> ,  ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー

Inventor： BRUXVOORT WESLEY J ,  CULLER SCOTT R ,  HO KWOK-LUN ,  KAISAKI DAVID A ,  KESSEL CARL R ,  KLUN THOMAS P ,  KRANZ HEATHER K ,  MESSNER ROBERT P ,  WEBB RICHARD J ,  WILLIAMS JULIA P

IPC: B24B1/00 ,  B24B7/22 ,  B24B21/04 ,  B24B37/04 ,  B24B53/007 ,  B24B53/017 ,  B24D3/00 ,  B24D3/02 ,  B24D3/28 ,  B24D11/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3105

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B7/228 ,  B24B21/04 ,  B24B37/042 ,  B24D3/28 ,  B24D11/00 ,  H01L21/31053

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor wafer having a more "flat" and/or more "even" and/or more "unrough" surface than a surface wafer before processing, by modifying the surface of the semiconductor wafer. SOLUTION: A method of modifying the surface of a semiconductor wafer 34 comprises the steps of (a) bringing a plurality of abrasive particles and a binder into contact with a fixed article 39 to be polished having a three-dimensionally processed polished surface including a predetermined pattern shape; and of (b) modifying the surface of the wafer by relatively moving the wafer and the fixed article to be polished. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 要解决的问题：通过修改半导体晶片的表面，提供在处理之前具有比表面晶片更“平坦”和/或更多的“平坦”和/或更“不通”表面的半导体晶片。 解决方案：修改半导体晶片34的表面的方法包括以下步骤：（a）使多个研磨颗粒和粘合剂与待研磨的固定制品39接触，所述固定制品39具有三维处理的抛光表面 包括预定图案形状; 和（b）通过相对移动待抛光的晶片和固定物品来改变晶片的表面。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI