公开(公告)号：JP5832441B2

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：JP2012539266

申请日：2010-11-08

申请人： エボニック デグサ ゲーエムベーハー ,  Evonik Degussa GmbH

发明人： シュテファン ヴィーバー ,  マティアス パッツ ,  マーティン トローハ ,  ハートヴィヒ ラウレーダー ,  エッケハルト ミュー ,  ハラルト シュテューガー ,  クリストフ ヴァルクナー

IPC分类号： C01B33/04

CPC分类号： C01B33/04 ,  C01B33/043 ,  C01B33/10773 ,  Y10T428/31663

公开(公告)号：JP5435188B2

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：JP2007273546

申请日：2007-10-22

申请人： 三菱マテリアル株式会社

发明人： 昌之 手計

IPC分类号： C01B33/035

CPC分类号： C01B33/03 ,  C01B33/035 ,  C01B33/043 ,  C01B33/107 ,  C01B33/1071 ,  C01B33/10773 ,  C08G77/06

公开(公告)号：JPWO2012014497A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：JP2012526334

申请日：2011-07-29

申请人： Jx日鉱日石エネルギー株式会社

发明人： 太 大内 ,  太 大内 ,  隆志 岡部 ,  隆志 岡部 ,  剛 朝野 ,  剛 朝野

IPC分类号： B01D53/46 ,  B01D53/04 ,  B01D53/14 ,  B01D53/22

CPC分类号： B01D53/75 ,  B01D53/02 ,  B01D53/22 ,  B01D2253/102 ,  B01D2253/108 ,  B01D2256/18 ,  B01D2257/553 ,  B01D2258/0216 ,  C01B33/043 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45593 ,  Y02C20/30

摘要： 半導体製造装置1からモノシランを含む混合ガスが排出される。ポンプ部2は、半導体製造装置1から排出された混合ガスを吸引し、後段のシランガス処理部20に送出する。ポンプ部2においてパージ用ガスとしてアルゴンガスが使用される。シランガス処理部20は、半導体製造装置1からポンプ部2を通して排出される少なくともモノシランとアルゴンを含む混合ガスを処理し、モノシランを分離回収しリサイクルする。希ガス処理部30は、混合ガスからアルゴンを分離回収しリサイクルする。希ガス処理部30で回収されたアルゴンは、ポンプ部2のパージガスとして使用される。

公开(公告)号：JP2013516377A

公开(公告)日：2013-05-13

申请号：JP2012546531

申请日：2010-12-18

申请人： エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッドMemc Electronic Materials,Incorporated

发明人： サティシュ・ブサラプ ,  プニート・グプタ

IPC分类号： C01B33/107

CPC分类号： C01B33/10705 ,  C01B33/043

摘要： 本発明は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属とアルミニウムとのフッ化物塩の蒸解により四フッ化ケイ素を生成するための方法、任意にはケイ素源存在下で、四フッ化ケイ素を生成するためのシラン生成物の副産物の酸蒸解を含んで成るシラン生成方法に関する。

公开(公告)号：JP2012505825A

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：JP2011532730

申请日：2009-10-20

申请人： サンリット エッセ.エルレ.エルレ.

发明人： シルヴィオ トツォリ ,  アナトリ ヴァシリエヴィッチ プシュコ

IPC分类号： C01B33/039

CPC分类号： C01B33/037 ,  C01B33/029 ,  C01B33/043 ,  C01B33/10705

摘要： 【課題】所定の粒度分布まで粉砕された、金属シリコンから出発する多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】金属シリコンと無水フッ化水素(ＨＦ)とを反応させて、四フッ化ケイ素(ＳｉＦ４)を得ること、および四フッ化ケイ素(ＳｉＦ４)を有機溶媒または溶融塩の流体媒体におけるアルカリ金属水素化物またはアルカリ土類金属水素化物で水素添加する反応によってモノシラン(ＳｉＨ４)の合成を作動させることを含む。 次に、前記モノシラン(ＳｉＨ４)の沸騰疑似流動床反応器において熱分解を行って、高純度粒状多結晶シリコンを得る。
【選択図】図１

公开(公告)号：JP2011520754A

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：JP2011510021

申请日：2009-04-21

申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード

发明人： シェブール、アンリ ,  ベロ、ドミニク

IPC分类号： C01B33/04

CPC分类号： C01B33/04 ,  C01B33/043

摘要： Method of preparing a compound of formula SinH2n+2 in which n is an integer greater than or equal to 1 and less than or equal to 4, by reaction of at least one silicide or silicon alloy in the form of powder of formula M1xM2ySiz, in which M1 is a reducing metal, M2 an alkali or alkaline-earth metal, x, y and z varying from 0 to 1, z being different from 0 and x+y different from 0, with an aqueous solution comprising CO2, said solution is or is not saturated with CO2 at the temperature and pressure of the reaction.

公开(公告)号：JP2011047702A

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：JP2009194537

申请日：2009-08-25

申请人： National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology ,  独立行政法人産業技術総合研究所

发明人： YAMADA TATEO ,  HATA KENJI ,  HAYAMIZU YUHEI

IPC分类号： G01B7/16 ,  C01B31/02

CPC分类号： G01B21/32 ,  B82Y15/00 ,  C01B33/04 ,  C01B33/043 ,  C01B33/10773

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an expansion device capable of repeatedly detecting expansion and contraction remarkably larger than that of conventional arts, in view of the problem that, because a conventional expansion device of metal, semiconductor, or the like detecting expansion and contraction does not use a member capable of sufficiently expanding and contracting, the expansion and contraction allowing repeated detection is limited to about 5%. SOLUTION: The expansion device includes an oriented CNT film structure including a plurality of CNTs arranged on an expandable and contractible substrate and contractible in a prescribed direction. In the oriented CNT film structure, a crack band is formed by generating a split by expansion. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

摘要翻译： 要解决的问题为了提供一种能够显着大于常规技术的反复检测膨胀和收缩的膨胀装置，考虑到由于传统的金属，半导体等的膨胀装置检测膨胀的问题， 并且收缩不使用能够充分膨胀和收缩的构件，允许重复检测的膨胀和收缩被限制在约5％。 解决方案：膨胀装置包括定向CNT膜结构，其包括布置在可膨胀和收缩的基底上并沿规定方向收缩的多个CNT。 在取向CNT膜结构中，通过膨胀产生裂缝形成裂纹带。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2003530290A

公开(公告)日：2003-10-14

申请号：JP2001575500

申请日：2001-03-26

申请人： ソーラーワールド・アクチエンゲゼルシヤフト

发明人： シエフアー，ヨハネス−ペーター ,  シユトラウス，ウルリケ ,  ブロツク，ハンス−デイーター ,  ミユラー，デイルク ,  レイムキユーラー，ハンス−ヨアヒム ,  ロンゲ，ゲオルク

IPC分类号： B01J8/04 ,  C01B33/04 ,  C01B33/107

CPC分类号： B01J8/0496 ,  B01J8/0453 ,  B01J2208/00203 ,  B01J2208/00256 ,  B01J2208/00274 ,  B01J2219/00006 ,  C01B33/043

摘要： (57)【要約】 蒸気と液体が向流で流れる少なくとも２個の反応領域内でトリクロロシランの不均化を５００ミリバールから５０バールの範囲の圧力下で接触的に活性な固体物質を上で反応／蒸留することによる連続方法でシランを製造する。

公开(公告)号：JPS5954618A

公开(公告)日：1984-03-29

申请号：JP14952083

申请日：1983-08-16

申请人： Allied Chem

发明人： HARII EDOWAADO URUMAA ,  DONARUDO PITSUKENZU ,  FUORESUTO JIYON RAARU ,  FUIRITSUPU ANDORIYUU REFURANSO

IPC分类号： C10M101/00 ,  C01B33/04

CPC分类号： C01B33/043

公开(公告)号：JP6014771B2

公开(公告)日：2016-10-25

申请号：JP2015535561

申请日：2013-10-02

申请人： オーシーアイ カンパニー リミテッド ,  インスティテュート オブ イオン‐プラズマ アンド レーザー テクノロジーズ

发明人： キム・テッチュン ,  キム・ヨンイル ,  キム・キョンヨル ,  キム・ドギュン ,  カタム・アシュロフ ,  シャヴカト・サリクフ ,  ヴラディミル・ロシュティン ,  キカヤ・アシュロバ ,  アジズ・クルバノフ ,  イルヤス・アドビサイドフ ,  スルタン・アジゾフ ,  ルスタム・アシュロフ

IPC分类号： C01B33/04

CPC分类号： C01B33/043 ,  B01J23/72