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    カーボンナノチューブ集合体を用いた電界効果トランジスタ
    1.
    发明专利
    カーボンナノチューブ集合体を用いた電界効果トランジスタ 有权
    使用碳纳米管聚集体的场效应晶体管

    公开(公告)号：JP2015095564A

    公开(公告)日：2015-05-18

    申请号：JP2013234284

    申请日：2013-11-12

    Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

    Inventor： 桜井 俊介 ,  畠 賢治

    IPC: C01B31/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】カーボンナノチューブ集合体でチャネルを形成する電界効果トランジスタにおいて、高いオンオフ比を得ることを目的の一とする。 【解決手段】波長532nmのラマン分光分析で200cm -1 以上280cm -1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積を130cm -1 以上200cm -1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の金属型CNTの量が、波長785nmのラマン分光分析で190cm -1 以上280cm -1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積を140cm -1 以上190cm -1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の半導体型CNTの量の0.1倍以下となるカーボンナノチューブの集合体をチャネル層として用いる。 【選択図】図4

    Abstract translation: 要解决的问题：提供通过使用碳纳米管集合体形成通道的场效应晶体管，并实现高开关比。解决方案：一种碳纳米管集合体，其中直径为0.8nm的金属型CNT的量 通过将在来自半导体型的峰面积的拉曼光谱分析中在200cm以上和280cm以下的区域中观察到的来自金属型CNT的峰面积除以获得的波长为532nm以上且1.3nm以下的峰值面积 在130cm以上且200cm以下的区域中观察到的CNT为通过将半导体衍射的峰面积除以得到的直径为0.8nm以上且1.3nm以下的半导体型CNT的量的0.1倍以下 使用在140cm以上且190cm以下的区域观察到的金属型CNT的峰面积在波长785nm的拉曼光谱分析中，在190cm以上且280cm以下的区域中观察到的CNT类型为 一个渠道 呃

    カーボンナノチューブ集合体を用いた電界効果トランジスタ
    2.
    发明专利
    カーボンナノチューブ集合体を用いた電界効果トランジスタ 有权
    使用碳纳米管聚集体的场效应晶体管

    公开(公告)号：JP2015095557A

    公开(公告)日：2015-05-18

    申请号：JP2013234226

    申请日：2013-11-12

    Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

    Inventor： 桜井 俊介 ,  畠 賢治

    IPC: H01L29/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/336 ,  C01B31/02 ,  H01L29/786

    Abstract: 【課題】カーボンナノチューブ(CNT)集合体でチャネルを形成する電界効果トランジスタにおいて、高いオンオフ比を得る。 【解決手段】波長532nmのラマン分光分析で200cm −1 以上280cm −1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積を130cm −1 以上200cm −1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の金属型CNTの量が、波長785nmのラマン分光分析で190cm −1 以上280cm −1 以下の領域に観測される半導体型CNT由来のピーク面積を140cm −1 以上190cm −1 以下の領域に観測される金属型CNT由来のピーク面積で除算して得た、直径0.8nm以上1.3nm以下の半導体型CNTの量の0.1倍以下となるカーボンナノチューブの集合体を用い、これを帯状領域に分割して電界効果トランジスタ100のチャネル層106とする。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供通过使用碳纳米管（CNT）骨料形成通道的场效应晶体管，并实现高开关比。解决方案：一种碳纳米管集合体，其中具有直径的金属型CNT的量 通过将波长为532nm的拉曼光谱分析中观察到的金属型CNT的峰面积除以200cm以上且280cm以下的区域，得到0.8nm以上且1.3nm以下的峰值区域， 在130cm以上且200cm以下的区域观察到的半导体型CNT为通过除去导出的峰面积得到的直径为0.8nm以上且1.3nm以下的半导体型CNT的量的0.1倍以下 从在140cm以上且190cm以下的区域观察到的金属型CNT衍生的峰面积，在波长785nm的拉曼光谱分析中，在190cm以上且280cm以下的区域中观察到的半导体型CNT， 被使用，而c 碳纳米管集束体被分成条状区域以形成场效应晶体管100的沟道层106。

    エストロゲン様活性物質
    4.
    发明专利
    エストロゲン様活性物質 审中-公开
    雌激素活性物质

    公开(公告)号：JP2015093836A

    公开(公告)日：2015-05-18

    申请号：JP2013232321

    申请日：2013-11-08

    Applicant: 独立行政法人産業技術総合研究所

    Inventor： 木山 亮一 ,  朱 耘

    IPC: A61K36/81 ,  A61K36/00 ,  A61P15/12 ,  A61P15/02 ,  A61P13/08 ,  A61P9/10 ,  A61P19/10 ,  A61P25/28 ,  A61P35/00 ,  A61P7/02 ,  A61P5/30 ,  A61K31/165

    Abstract: 【課題】エストロゲン(E 2 )の細胞増殖活性を誘導することなく、ホルモン療法に必要とされる中枢神経系や循環器系の機能に有効なエストロゲン作用のみを誘発する「サイレントエストロゲン」を提供することであり、さらに当該「サイレントエストロゲン」を用いて副作用のない心血管疾患および乳癌あるいは骨粗鬆症などのエストロゲン療法が適用される疾患の治療・予防方法を提供する。 【解決手段】「DNAチップを用いた遺伝子発現プロファイル解析によるエストロゲン活性評価法」を利用して、カプサイシン類が「サイレントエストロゲン」であることを見出した。カプサイシン類又はそれをシードあるいはリード化合物として得た細胞増殖活性のないエストロゲン様活性化合物(エストロゲン製剤)を有効成分とした副作用のない心血管疾患および乳癌あるいは骨粗鬆症などのエストロゲン療法が適用される疾患の治療・予防方法。 【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种“沉默雌激素”，其仅诱导在中枢神经系统或循环系统的功能中有效的雌激素作用，其被认为是激素治疗所需的，而不诱导雌激素（E）的细胞生长活性， 并提供使用“静默雌激素”的治疗和预防方法，所述“沉默雌激素”涉及应用雌激素治疗的疾病，例如心血管疾病和乳腺癌，或骨质疏松症。解决方案：通过使用“基因表达的雌激素活性评价方法 发现使用DNA芯片的特征分析“，发现辣椒素是”沉默雌激素“。 使用雌激素治疗的疾病如心血管疾病和乳腺癌或骨质疏松症，无副作用的治疗和预防方法用作活性成分辣椒素或没有细胞生长活性的雌激素活性化合物（雌激素制剂），其通过 将其用作种子或铅化合物。

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