Purification method of monosilane

    公开(公告)号:JP2013505199A

    公开(公告)日:2013-02-14

    申请号:JP2012530794

    申请日:2010-11-08

    CPC classification number: C01B33/046

    Abstract: 【課題】モノシランの精製方法を提供する。
    【解決手段】(1)モノシラン及びエチレンを含有する原料から分別蒸留工程を用いて不純物を除去する工程;及び(2)前記工程(1)で精製された原料を活性炭に通過させ、エチレン及び残余不純物を除去する工程;を含むモノシランの精製方法を提供するものである。 本発明によると、活性炭を用いて分別蒸留によって分離され難いエチレンを選択的に吸着除去することによって追加副産物の生成無しに、より簡単で効率的に高純度のモノシランを提供できる。
    【選択図】図1

    モノシランの熱分解によるジシランの製造方法及び製造装置
    5.
    发明专利
    モノシランの熱分解によるジシランの製造方法及び製造装置 有权
    通过甲硅烷的热分解制造乙硅烷的方法和装置

    公开(公告)号:JP2015523304A

    公开(公告)日:2015-08-13

    申请号:JP2015514889

    申请日:2013-02-22

    CPC classification number: C01B33/046 B01J19/2415 B01J2219/24 C01B33/04

    Abstract: モノシランを熱分解法によって高純度のジシランを製造することにより、高付加価値のジシランを経済的かつ効率的に製造して収益を極大化することができる、モノシランの熱分解によるジシラン製造装置を提供する。本発明は、モノシランを熱分解してジシランを製造する装置において、モノシランの熱分解反応部と、前記熱分解反応部で生成された固体粒子を除去する固体粒子除去部と、前記固体粒子の除去されたガスのうち、水素を除いた未反応モノシラン、熱分解反応生成物たるジシラン及びシリコン数3〜7の高次シランを液化して捕集する凝縮部と、前記液化された未反応モノシラン、ジシラン及びシリコン数3〜7の高次シランの混合物からモノシランを分離する第1分離部と、前記モノシランの除去された混合物からジシラン及びシリコン数3〜7の高次シランを分離する第2分離部とを含んでなるジシラン製造装置を提供する。

    Abstract translation: 通过甲硅烷用于通过热解方法制备高纯度二硅烷,有可能通过产生乙硅烷增值经济和有效地实现收入最大化,通过甲硅烷的热分解提供了乙硅烷制造装置 到。 本发明提供了一种生产乙硅烷甲硅烷的装置中热分解,以及用于除去在该热分解反应单元,在除去固体颗粒的产生的固体颗粒甲硅烷的热分解反应,和固体颗粒去除单元 气体,未反应的甲硅烷氢除外,用于收集和液化服务乙硅烷和硅数3-7,其中,所述未反应的液化甲硅烷的高次硅烷的热解反应产物冷凝单元, 用于分离乙硅烷甲硅烷和高级硅烷硅数3-7,单硅烷的所移除的乙硅烷的混合物和高阶硅烷硅数3-7的混合物中分离的第一分离单元第二分离单元 提供二硅烷制造装置,其包括和。

    Purification method of monosilane

    公开(公告)号:JP5122700B1

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:JP2012530794

    申请日:2010-11-08

    CPC classification number: C01B33/046

    Abstract: 【課題】モノシランの精製方法を提供する。
    【解決手段】(1)モノシラン及びエチレンを含有する原料から分別蒸留工程を用いて不純物を除去する工程;及び(2)前記工程(1)で精製された原料を活性炭に通過させ、エチレン及び残余不純物を除去する工程;を含むモノシランの精製方法を提供するものである。 本発明によると、活性炭を用いて分別蒸留によって分離され難いエチレンを選択的に吸着除去することによって追加副産物の生成無しに、より簡単で効率的に高純度のモノシランを提供できる。
    【選択図】図1

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