シリルホスフィン化合物、シリルホスフィン化合物の製造方法及びInP量子ドットの製造方法

    公开(公告)号:JPWO2019188680A1

    公开(公告)日:2021-04-01

    申请号:JP2019011760

    申请日:2019-03-20

    摘要: 本発明のシリルホスフィン化合物は式(1)で表され、ヒ素含量が1ppm以下である。本発明のシリルホスフィン化合物の製造方法は、塩基性化合物と、シリル化剤と、ホスフィンとを混合してシリルホスフィン化合物を含む溶液を得、該溶液から溶媒を除去してシリルホスフィン化合物の濃縮液を得、当該濃縮液を蒸留する方法であって、ホスフィンのヒ素含量を体積基準のアルシン換算で1ppm以下とする。また、本発明のInP量子ドットの製造方法は、リン源として、ヒ素の含有量が質量基準で1ppm以下である式(1)で表されるシリルホスフィン化合物を用いる。 (Rの定義は明細書を参照)

    ホスファゼン化合物
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020138962A

    公开(公告)日:2020-09-03

    申请号:JP2020028132

    申请日:2020-02-21

    摘要: 【課題】NCO−OH架橋反応型の熱硬化性樹脂組成物に適用可能であり、触媒としての有効性及び樹脂組成物安定性を備えた、金属触媒に代わる触媒物質を提供する。 【解決手段】下記式で示される有機基を分子中に1個以上有するホスファゼン化合物。 〔上記式において、★★は結合手又は水素原子である。Xは炭素数1〜18の2価の有機基であり、該有機基は酸素原子及び/又は窒素原子を含んでもよい。R 1 は水素原子又は炭素数1〜18の有機基を示し、該有機基は酸素原子、窒素原子、硫黄原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも一種を含んでもよい。A 1 、A 2 及びA 3 は1価の有機基を示し、該有機基は炭素原子、水素原子、酸素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも一種を含んでもよく、各々独立していても同一であってもよく、二種以上が連結して環状構造を形成していてもよい。〕 【選択図】なし

    Method for producing aminotris(disubstituted amino)phosphonium chloride

    公开(公告)号:JP2004285009A

    公开(公告)日:2004-10-14

    申请号:JP2003080920

    申请日:2003-03-24

    IPC分类号: C07F9/06

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for safely/easily producing an aminotris(disubstituted amino)phosphonium chloride in high yield and high selectivity on an industrial scale without the need of isolatedly handling phosphorus pentachloride.
    SOLUTION: The method for producing the aminotris(disubstituted amino)phosphonium chloride comprises the following process: Phosphorus trichloride and chlorine are reacted with each other in the presence of an aromatic hydrocarbon to form phosphorus pentachloride, subsequently in a condition of reaction mixture without isolation/refining of the phosphorus pentachloride, the phosphorus pentachloride in the reaction mixture and a disubstituted amine are reacted with each other to form a chlorotris(disubstituted amino)phosphonium chloride, which is then reacted with ammonia.
    COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI