イオン源装置、粒子線発生装置、およびイオンビーム生成方法

    公开(公告)号:JP2019139943A

    公开(公告)日:2019-08-22

    申请号:JP2018021802

    申请日:2018-02-09

    摘要: 【課題】複数のイオン種を短時間で切り換えて生成することのできる小型のイオン源装置、粒子線発生装置、およびイオンビーム生成方法を提供する。 【解決手段】真空中に導入したガスからイオンビームを生成するイオン源装置1であって、内部が真空のチャンバー12と、前記チャンバー内にガスを供給するガス供給部26と前記ガスの原子をイオン化するための電離エネルギーを前記チャンバー内に供給する電離エネルギー供給部20と、を備え、前記ガス供給部26は、異なる種類のガスが充填された複数のガスボンベ17A、17B、17Cと、前記ガスボンベに接続され前記チャンバーへガスを通すパイプ24A、24B,24C、25と、前記パイプに取り付けられパルス的に短時間だけ開状態にできるパルス制御用ガスバルブ21A、21B、21Cを有する。 【選択図】図2

    マイクロ波イオン源およびイオン生成方法

    公开(公告)号:JP2017147123A

    公开(公告)日:2017-08-24

    申请号:JP2016028147

    申请日:2016-02-17

    发明人: 北見 尚久

    IPC分类号: H01J27/18

    摘要: 【課題】プラズマ室から引き出されるイオンの引出態様を制御する技術を提供する。 【解決手段】マイクロ波イオン源10は、プラズマ室12内にマイクロ波を軸方向に導入するためのマイクロ波導入部26と、マイクロ波導入部26と軸方向に対向する位置に設けられるイオン引出部22と、マイクロ波導入部26とイオン引出部22の間を接続する側壁部20と、を有するプラズマ室12と、プラズマ室12外に設けられ、プラズマ室12内に軸方向磁場を発生させる軸方向磁場発生器16と、プラズマ室12外に設けられ、プラズマ室12内にカスプ磁場を発生させるカスプ磁場発生器50と、を備える。カスプ磁場発生器50は、プラズマ室12内のカスプ磁場強度の切り替えが可能となるように構成される。 【選択図】図1

    マイクロ波イオン源およびイオン生成方法
    5.
    发明专利
    マイクロ波イオン源およびイオン生成方法 有权
    微波离子源和离子发生方法

    公开(公告)号:JP2015230832A

    公开(公告)日:2015-12-21

    申请号:JP2014116667

    申请日:2014-06-05

    IPC分类号: H01J37/08 H01J27/18

    摘要: 【課題】プラズマ室から引き出されるイオンの引出態様を制御する技術を提供する。 【解決手段】マイクロ波イオン源10において、プラズマ室11は、マイクロ波導入窓16が設けられる入口端13と、イオン引出開口17を有する出口端14と、入口端13および出口端14を接続する側壁15と、を含む。規制部材は、プラズマ室内の容積を規制して、イオン引出開口17と連通するプラズマ生成空間12を区画する。プラズマ室11は、イオン引出開口17から引き出されるべきイオンの引出態様に応じて複数用意される規制部材の中から選択される一以上の規制部材がプラズマ室内に取り付け可能となるように構成され、取り付けられる規制部材に応じてプラズマ生成空間12の容積が異なりうるように構成される。 【選択図】図1

    摘要翻译: 要解决的问题:提供用于控制从等离子体室提取的离子的提取模式的技术。解决方案:在微波离子源10中,等离子体室11包括入口端13,其中设置有微波引入窗口16,出口端 14,其具有离子提取开口17和用于将入口端13连接到出口端14的侧壁15.调节构件通过调节等离子体室的体积来分隔与离子提取开口17连通的等离子体产生空间12 。 等离子体室11形成为使得从根据离子提取开口17提取的离子的提取模式制备的多个调节构件中选择的一个或多个调节构件可以安装在等离子体室中,并且形成为 等离子体产生空间12的体积可以根据安装的调节构件来区分。

    イオン源
    6.
    发明专利
    イオン源 有权
    离子源

    公开(公告)号:JP2014222597A

    公开(公告)日:2014-11-27

    申请号:JP2013101571

    申请日:2013-05-13

    IPC分类号: H01J27/18 H01J37/08

    摘要: 【課題】イオン源のプラズマ室と引出電極との間に生じうる放電を抑制する。【解決手段】マイクロ波イオン源10は、イオン引出開口66を有する終端部62を備えるプラズマ室と、プラズマ室からイオン引出開口66を通じてイオンを引き出すための引出電極である第1電極44と、プラズマ室に軸方向に磁場を発生させるようにプラズマ室の周囲に設けられている磁場発生器16と、を備える。終端部62と第1電極44とは軸方向に引出ギャップ78を有して対向するよう配列されている。終端部62は、軸方向に垂直な方向に関してイオン引出開口66と磁場発生器16との間に位置する磁性体90を備える。【選択図】図2

    摘要翻译: 要解决的问题:提供抑制可能在等离子体室和提取电极之间发生的放电的离子源。解决方案:微波离子源10包括:等离子体室,其包括具有离子提取孔66的末端部分62 ; 第一电极44,其是用于通过离子提取孔66从等离子体室中提取离子的提取电极; 以及设置在等离子体室周围以产生等离子体室轴向的磁场的磁场发生器16。 末端部62和第一电极44被布置成与其间的轴向提取间隙78相对。 终端部62包括相对于与轴向垂直的方向位于离子提取孔66和磁场产生部16之间的磁性物质90。

    Electron cyclotron resonance ion source device
    7.
    发明专利
    Electron cyclotron resonance ion source device 审中-公开
    电子循环谐振离子源装置

    公开(公告)号:JP2010277871A

    公开(公告)日:2010-12-09

    申请号:JP2009129921

    申请日:2009-05-29

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ECR ion source device which easily forms endohedral fullerenes by using an ion source, extracts them as an ion beam and analyzes them.
    SOLUTION: The ECR ion source device 50 has a gaseous material at normal temperature, an ECR chamber 1a capable of generating a gaseous ECR plasma of a material with a high melting point, a process chamber 1b having an evaporation source 108 for supplying fullerene gas, an ion extracting meshed electrode 104, and an ion aperture 107. In the ECR ion source device 50, plasma potential of the ECR plasma is controlled by controlling applied voltages to the ion extracting meshed electrode 104 and the ion aperture 107, ions only from the ECR plasma are extracted to the process chamber 1b, the ions are implanted into the fullerenes, and the endohedral fullerenes are analyzed by extracting them from the ion aperture 107 as an ion beam 94 as well as generation of a fullerene derivative.
    COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    摘要翻译: 要解决的问题:为了提供通过使用离子源容易地形成内面富勒烯的ECR离子源装置,将其作为离子束提取并分析它们。 解决方案:ECR离子源装置50在常温下具有气态材料,能够产生具有高熔点的材料的气体ECR等离子体的ECR室1a,具有用于供应的蒸发源108的处理室1b 富勒烯气体,离子提取网状电极104和离子孔107.在ECR离子源装置50中,通过控制施加的电压到离子提取网状电极104和离子孔107,离子的离子来控制ECR等离子体的等离子体电位 仅将ECR等离子体提取到处理室1b中,将离子注入到富勒烯中,并通过从离子孔107中提取离子束94以及产生富勒烯衍生物来分析内面富勒烯。 版权所有(C)2011,JPO&INPIT

    Magnetic/electrostatic hybrid deflector for ion implantation system, and deflection method of ion beam
    9.
    发明专利
    Magnetic/electrostatic hybrid deflector for ion implantation system, and deflection method of ion beam 有权
    用于离子植入系统的磁/静电混合定位器,以及离子束的偏转方法

    公开(公告)号:JP2009117393A

    公开(公告)日:2009-05-28

    申请号:JP2009046436

    申请日:2009-02-27

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a hybrid deflector for reducing energy contamination in ion implantation, and to provide a deflection method of ion beam. SOLUTION: The hybrid deflector 500 for an ion implantation system is composed of a magnetic deflection module 350 which works to deflect ion beam from a beam axis, an electrostatic deflection module 504 which works to deflect the ion beam from the beam axis, and a controller 304 which, based on one or a plurality of input controlling signals, operates either the magnetic deflection module or the electrostatic deflection module selectively. The deflection method of ion beam includes a step in which one or a plurality of characteristics of beam are identified and a step in which, based on the identification, either of the magnetic deflection module or the electrostatic deflection module are operated selectively. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    摘要翻译: 要解决的问题:提供用于减少离子注入中的能量污染的混合偏转器,并提供离子束的偏转方法。 解决方案:用于离子注入系统的混合偏转器500由用于偏转来自光束轴的离子束的磁偏转模块350,用于使来自光束轴线的离子束偏转的静电偏转模块504, 以及控制器304,其基于一个或多个输入控制信号选择性地操作磁偏转模块或静电偏转模块。 离子束的偏转方法包括识别光束的一个或多个特性的步骤,并且基于该识别,选择性地操作磁偏转模块或静电偏转模块中的任一个的步骤。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT

    Ion source
    10.
    发明专利
    Ion source 审中-公开
    离子源

    公开(公告)号:JP2008234880A

    公开(公告)日:2008-10-02

    申请号:JP2007069747

    申请日:2007-03-19

    IPC分类号: H01J27/18 H01J37/317

    摘要: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion source capable of preventing a magnetic field for generating plasma from leaking into an electrode space and obtaining a stable ion beam for a long period by restraining contamination and damage on the surface of an electrode and obtaining the ion beam with suitable focusing performance in which radiation of a beam caused by a leaked magnetic field is restrained.
    SOLUTION: In the ion source for pulling out the ion beam by a cylindrical discharge chamber 1, a means for generating the magnetic field in the discharge chamber 1, and an ion pulling-out electrode which generates plasma by introducing a microwave into the discharge chamber 1 by means of a conversion waveguide 9 of the microwave converting from a rectangular cross-section to a round cross-section and is formed at three pieces from the generated plasma, a magnetic body is arranged on the periphery or a part of the periphery of the means for generating the magnetic field. A part of the conversion waveguide 9 and a part of the discharge chamber 1 are formed with a magnetic body, and a plasma electrode 11 is formed with a magnetic body.
    COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种能够防止用于产生等离子体的磁场泄漏到电极空间中并且通过抑制电极表面上的污染和损坏而长时间获得稳定的离子束的离子源, 获得具有合适的聚焦性能的离子束,其中由泄漏的磁场引起的光束的辐射被抑制。 解决方案:在用于通过圆柱形放电室1拉出离子束的离子源中,用于在放电室1中产生磁场的装置和通过将微波引入而产生等离子体的离子拉出电极 放电室1通过微波转换波导9从矩形截面转换成圆形横截面,并从所产生的等离子体形成为三片,磁体布置在周边或一部分上 用于产生磁场的装置的周边。 转换波导9的一部分和放电室1的一部分由磁体形成,等离子体电极11形成有磁性体。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT