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公开(公告)号:JP2022500563A
公开(公告)日:2022-01-04
申请号:JP2021538172
申请日:2019-09-10
Applicant: ノベリス・インコーポレイテッド , NOVELIS INC.
Inventor: ラフル・ヴィラス・クルカルニ , セドリック・ウー , トッド・サム , エマニュエル・ベック , ミシェル・エーディト・ベルナー , クルト・ゼーキンガー , ダヴィド・レヴラ , テリーサ・エリザベス・マクファーレン
Abstract: 本明細書では、薄い陽極酸化膜層を含有する陽極酸化連続コイル、ならびにそれを作製及び使用するための方法を説明する。陽極酸化連続コイルは、アルミニウム合金連続コイルを含み、アルミニウム合金連続コイルの表面は、薄い陽極酸化膜層を備える。陽極酸化連続コイルは、変形処理中に陽極酸化膜層を維持する。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JP2021193214A
公开(公告)日:2021-12-23
申请号:JP2021147000
申请日:2021-09-09
Applicant: エスケー ネクシリス カンパニー リミテッド
Inventor: キム スン ミン
Abstract: 【課題】優れた接着力を有する銅箔、それを備える電極、それを備える二次電池、及び該銅箔の製造方法を提供する。 【解決手段】銅層110、及び該銅層上に配置された防錆膜210を備え、3800〜4600kgf/mm 2 のモジュラス(Young’s modulus)及び0.12未満のモジュラスバイアス因子(modulus bias factor;MBF)を有する銅箔を提供する。ここで、前記モジュラスバイアス因子(MBF)は下記式1で求める。 [式1]MBF=(モジュラス最大値−モジュラス最小値)/(モジュラス平均値) 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2021535276A
公开(公告)日:2021-12-16
申请号:JP2021505407
申请日:2019-08-20
Applicant: ウミコレ・ガルファノテフニック・ゲーエムベーハー
Inventor: サッシャ・ベルガー , クラウス・ブロンダー , マリオ・トマツォーニ , ウーヴェ・マンツ
Abstract: 本発明は、銀コーティング及び銀合金コーティングの電解析出のための電解質及び方法に関する。本発明による電解質は、非シアン系で貯蔵安定性であり、技術的及び装飾的用途のために高光沢、光輝性、及び白色の銀及び銀合金層の析出を確実にする。
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公开(公告)号:JPWO2020166240A1
公开(公告)日:2021-12-09
申请号:JP2020000545
申请日:2020-01-10
Applicant: 富士フイルム株式会社
Abstract: 真っ直ぐなマイクロポアを形成することができる陽極酸化処理方法、および導電性材料の充填欠陥を抑制した異方導電性部材の製造方法を提供する。バルブ金属板の表面に複数回の陽極酸化処理を施し、バルブ金属板の厚み方向に存在するマイクロポアと、マイクロポアの底部に存在するバリア層とを有する陽極酸化膜を、バルブ金属板の表面に形成する陽極酸化処理方法である。複数回の陽極酸化処理のうち、2回目以降の陽極酸化処理の工程は、電流増加期間と電流維持期間とが連続している。電流増加期間は、電流増加量が毎秒0アンペア毎平方メートル超、毎秒0.2アンペア毎平方メートル以下であり、かつ10分以下の期間である。電流維持期間は、電流が一定値に維持され、一定値は、電流増加期間における最大電流値以下である。
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公开(公告)号:JP2021185271A
公开(公告)日:2021-12-09
申请号:JP2021136185
申请日:2021-08-24
Inventor: クン シー , ラルフ シュミット , オナス ボルトン , ヨーゼフ ガイダ , フランク フォン ホアステン , ディアク ローデ , ヒメンドラ ジャー , イェンス パルム , オリヴィエ マン , アンヘラ リャボナ−セラノ
Abstract: 【課題】電解銅めっきのための酸性水性組成物(めっき浴)、およびこれを使用した電解銅めっき方法を提供する。 【解決手段】(i)〜(iii)を含む酸性水性組成物である。 (i)銅イオン(II) (ii)式(Ia)の1つまたは1つより多くの化合物 (iii)1、2、3または3つより多くの、式(Ia)の化合物とは異なるさらなる化合物 【選択図】図1
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公开(公告)号:JP2021184404A
公开(公告)日:2021-12-02
申请号:JP2020088524
申请日:2020-05-21
Applicant: 深▲せん▼市創智成功科技有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , C25D5/02 , C25D7/12 , C23C18/16 , C23C18/48 , H01L23/532 , H01L21/288 , H01L21/28 , H01L21/3205
Abstract: 【課題】該基材の表面における導電線路領域が下に向かって凹んだ逆形状のウェハバンプを形成する方法を提供する。 【解決手段】ウェハアンダーバンプメタル化のめっき層の製造方法であって、基材はシリコンまたは炭化ケイ素半導体とし、基材の表面に導電線路領域および非導電領域を設置する。 【効果】電解Ni−Auめっき技術における配線導電性の制限も克服できる。無電解スズ合金めっき技術によるめっき層は、無電解置換めっき層となり、通電が不要であり、従来の無電解自己触媒反応でもなく、置換反応だけで済むようになる。 【選択図】なし
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公开(公告)号:JP6975793B2
公开(公告)日:2021-12-01
申请号:JP2019541689
申请日:2017-10-17
Applicant: オーソボンド コーポレーション
Inventor: クリヴェンジャー、ランデル
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