公开(公告)号：KR1020160037915A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：KR1020167002305

申请日：2014-07-29

Applicant: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤

Inventor： 오니시,시게까쯔

IPC: H01B1/22 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06

CPC classification number: C09D5/24 ,  B22F1/0055 ,  B22F1/0059 ,  B22F1/02 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  C23C16/06 ,  H01B1/22

Abstract: 본발명은도전성및 열전도성이우수한전도성페이스트를제공하는것이다. 주기율표제8족내지제10족에속하는적어도 1종의전이금속을포함하는구리합금분과, 상기구리합금분의표면을덮고있는탄소동소체를포함하는전도성필러와, 결합제수지를포함하는전도성페이스트이다.

公开(公告)号：KR101609028B1

公开(公告)日：2016-04-05

申请号：KR1020130148042

申请日：2013-11-29

Applicant: 엘에스산전 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박기훈 ,  송인찬 ,  백승현 ,  이동목 ,  심정현

IPC: H01H1/021 ,  H01H1/0237 ,  H01H1/027

CPC classification number: H01B1/02 ,  B22F2003/1051 ,  B22F2201/20 ,  B22F2202/01 ,  C04B35/01 ,  C04B35/0435 ,  C04B35/047 ,  C04B35/62876 ,  C04B35/62889 ,  C04B35/62892 ,  C04B35/66 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/0433 ,  C22C1/0466 ,  C22C5/02 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C22C9/06 ,  C22C19/002 ,  C22C19/03 ,  C22C32/0021 ,  C22C32/0084 ,  C22C49/08 ,  C22C49/14 ,  H01B1/026 ,  H01B1/04 ,  H01B1/08 ,  H01H1/021 ,  H01H1/023 ,  H01H1/025 ,  H01H1/027

Abstract: 본발명은 (i) 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni) 및금(Au)으로이루어진군에서선택된 1종이상의금속; (ii) 산화카드뮴, 산화인듐, 산화주석, 산화아연또는이들의혼합물인금속산화물; 및 (iii) 은나노입자가코팅된탄소나노튜브를포함하며, 상기은 나노입자의입자크기가 3 내지 5nm이며, 상기금속및 금속산화물전체합계 100중량%를기준으로, 상기금속의함량이 75중량% 내지 85중량%이고상기금속산화물의함량이 15중량% 내지 25중량%이고, 상기금속및 금속산화물전체합계 100중량부대비, 상기탄소나노튜브의함량이 0.1중량부내지 0.5중량부인전기접점재료및 이의제조방법; (i) 은(Ag), 구리(Cu), 및금(Au)으로이루어진군에서선택된 1종이상의금속및 니켈(Ni)의합금; 및 (ii) 입자크기가 3 내지 5nm인은 나노입자가코팅된탄소나노튜브를포함하며, 상기합금전체합계 100중량%를기준으로, 상기금속의함량이 55중량% 내지 65중량%이고상기니켈(Ni)의함량이 35중량% 내지 45중량%이고, 상기합금전체합계 100 중량부대비, 상기탄소나노튜브의함량이 0.1중량부내지 0.5중량부인전기접점재료를제공한다.

Abstract translation: 公开了电接触材料及其制备方法。 电接触材料包括（i）选自银（Ag），铜（Cu）和金（Au）以及镍（Ni）的合金中的一种或多种金属; 和（ii）涂覆有Ag纳米颗粒，Ag镀覆CNT或Ag纳米线的碳纳米管（CNT），或（i）选自Ag，Cu，Ni和Au的一种或多种金属; （ii）氧化镉，氧化铟，氧化锡，氧化锌或其混合物的金属氧化物; 和（iii）涂覆有Ag纳米颗粒，镀Ag CNT或Ag纳米线的CNT。 因此，可以降低高价Ag的含量并获得优异的电气和机械性能。

公开(公告)号：KR1020150133174A

公开(公告)日：2015-11-27

申请号：KR1020157020014

申请日：2013-12-10

Applicant: 말레 인터내셔널 게엠베하 ,  말레 엔진 시스템즈 유케이 리미티드

Inventor： 주페,케빈

IPC: F16C33/12 ,  F16C33/14 ,  B82Y30/00

CPC classification number: F16C33/125 ,  B22F1/025 ,  B22F7/04 ,  B82Y30/00 ,  C22C1/0425 ,  C22C26/00 ,  C22C2026/002 ,  F16C33/121 ,  F16C33/124 ,  F16C33/128 ,  F16C33/14 ,  F16C33/145 ,  F16C2240/48 ,  F16C2240/64

Abstract: 본발명은후면층및 소결된라이닝층을포함하며, 상기라이닝층은구리-계매트릭스내에내장된 0.1 - 10중량%의탄소나노구조물을포함하는슬라이딩베어링에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020130069839A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：KR1020137011409

申请日：2012-07-06

Applicant: 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 ,  쇼와쉘세키유가부시키가이샤

Inventor： 장쇼우빈 ,  쇼지마사히로 ,  우메모토케이타

IPC: C23C14/34 ,  C22C9/00 ,  C22C1/02 ,  B22F3/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/14 ,  B22F9/082 ,  B22F2009/043 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00

Abstract: Provided are: a sputtering target having superior machine workability and being able to produce a compound film primarily containing Cu and Ga; and a method for producing the sputtering target. The sputtering target has an elemental composition containing, with respect to all the metal elements in the sputtering target, 15-40 atom% of Ga and 0.1-5 atom% of Bi, the remainder comprising Cu and unavoidable impurities. The method for producing the sputtering target has a step for melting at least the elements Cu, Ga, and Bi as elemental substances or alloys containing at least two of said elements at 1050°C or higher to produce an ingot. Alternately, the method has: a step for producing a starting material powder having at least the elements Cu, Ga, and Bi as a powder of the elementary substances or of alloys containing at least two of said elements; and a step for hot working the starting material powder in a vacuum, an inert atmosphere, or a reducing atmosphere.

Abstract translation: 本发明提供一种溅射靶，其具有优良的机械加工性并能够制造主要含有Cu和Ga的化合物膜; 以及用于制造溅射靶的方法。 溅射靶具有相对于溅射靶中的全部金属元素含有15〜40原子％的Ga和0.1〜5原子％的Bi，余量由Cu和不可避免的杂质构成的元素组成。 用于制造溅射靶的方法具有如下步骤：将至少元素Cu，Ga和Bi作为元素物质或包含至少两种所述元素的合金在1050℃或更高温度下熔化以制备锭。 可选地，该方法具有：用于制备至少具有元素Cu，Ga和Bi作为元素物质的粉末或含有至少两种所述元素的合金的原料粉末的步骤; 以及在真空，惰性气氛或还原性气氛中热处理原料粉末的步骤。

公开(公告)号：KR1020130063487A

公开(公告)日：2013-06-14

申请号：KR1020127026345

申请日：2011-04-20

Applicant: 가부시키가이샤 구리모토 뎃코쇼

Inventor： 사토토모히로 ,  히라이요시마사 ,  마루야마토루 ,  코바야시타케시

IPC: C22C9/02 ,  B22F7/04 ,  B22F9/08

CPC classification number: C22C1/0425 ,  B22F1/0003 ,  B22F7/02 ,  B22F7/08 ,  B22F9/082 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C32/0089 ,  F16C2204/12 ,  F16C2220/20

Abstract: 납이나 몰리브덴에 의지하지 않고, 슬라이딩성이 우수한 구리 합금을 얻는다. 가스 아토마이즈법에 의해 형성시킨 Cu와 Fe와 S를 함유하는 원료 분말을 소결하여 얻어지는 Cu
5 FeS
4 의 소결체를 함유하는 구리 합금으로 한다.

公开(公告)号：KR101265391B1

公开(公告)日：2013-05-20

申请号：KR1020097023690

申请日：2008-05-14

Applicant: 다이호 고교 가부시키가이샤

Inventor： 요코타히로미 ,  무카이료 ,  가토신이치 ,  하마구치나호미

IPC: C22C9/02 ,  B22F5/00 ,  B22F7/00 ,  C22C1/05

CPC classification number: B22F7/08 ,  B22F2998/00 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/08 ,  F16C33/121 ,  F16C2204/12 ,  Y02T10/865 ,  B22F3/10

Abstract: 1.0∼15.0 % 의 Sn, 0.5∼15.0 % 의 Bi 및 0.05∼5.0 % 의 Ag 를함유하고, Ag 와 Bi 는 Ag-Bi 공정 (共晶) 을형성하는, Pb 프리에서도 Pb 함유재료와동등한특성을달성하고, 또한마찰계수가안정된 Pb 프리구리합금슬라이딩재료. 필요에따라, 0.1∼5.0 % 의 Ni, 0.02∼0.2 % 의 P 및/또는 0.5∼30.0 % 의 Zn 의적어도 1 종이나, 평균입경이 1.5∼70 ㎛인 FeP, FeP, FeB, NiB 및/또는 AlN 을질량백분율로 1.0∼10.0 % 함유해도된다.

公开(公告)号：KR101242887B1

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：KR1020077015319

申请日：2006-01-17

Applicant: 가부시키가이샤 다이야멧트 ,  가부시키가이샤 덴소

Inventor： 시미즈데루오 ,  마루야마츠네오 ,  나리사코히데키 ,  하자마다다시

IPC: C22C9/06 ,  F16C33/16 ,  F16C33/06

CPC classification number: C22C9/06 ,  B22F2998/00 ,  B22F2999/00 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/0433 ,  C22C13/00 ,  F16C33/121 ,  Y10T428/12042 ,  Y10T428/12708 ,  Y10T428/12715 ,  Y10T428/12903 ,  B22F3/11 ,  B22F3/10 ,  B22F2207/01 ,  B22F2201/016

Abstract: 이 모터식 연료 펌프의 베어링은, Ni : 21 ∼ 35％, Sn : 5 ∼ 12％, C : 3 ∼ 7％, P : 0.1 ∼ 0.8％, 잔부 : Cu 및 불가피 불순물로 이루어지는 Cu-Ni 계 소결 합금으로 이루어진다. 베어링의 소지는, 기공률 : 8 ∼ 18％ 로 기공이 형성되어 있고, 입계부에 P 성분이 가장 많이 함유되어 있으며, 베어링의 표면에 개방되고, 상기 베어링 내부에 연장되어 있는 개방 기공의 내면에 유리 흑연이 분포되어 있다. 이 베어링은, 상기 개방 기공의 내면 및 상기 개방 기공의 개구부 주변에, Sn : 50 질량％ 이상을 함유하는 Sn 고농도 합금층이 형성되어 있다.
베어링

公开(公告)号：KR1020120042903A

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：KR1020127002793

申请日：2010-08-02

Applicant: 히타치가세이가부시끼가이샤

Inventor： 가토다카히코 ,  나이토다카시 ,  아오야기다쿠야 ,  야마모토히로키 ,  요시다마사토 ,  가타요세미츠오 ,  다케다신지 ,  다나카나오타카 ,  아다치슈이치로

IPC: B22F1/02 ,  H01B1/22 ,  H01B5/00 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/49883 ,  B22F1/0055 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/02 ,  C22C1/0425 ,  C22C1/05 ,  H01B1/026 ,  H01J11/12 ,  H01J11/22 ,  H01J2211/225 ,  H01L21/4867 ,  H01L31/022425 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H05K1/092 ,  H05K3/4629 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2203/0315 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 배선이나 전극을 페이스트로부터 소성하여 제조하는 전자 부품이나, 유리 또는 유리 세라믹 부재와 접하는 배선을 가지는 전자 부품에 있어서, 산화에 의한 전기 저항 증대를 억제할 수 있고, 유리 또는 유리 세라믹의 기포의 발생을 억제 가능하며, 마이그레이션 내성이 우수한 Cu계 배선 재료를 사용한 전자 부품을 제공한다.
Cu와 바람직하게는 50 중량％ 이하의 Al로 이루어지는 Cu-Al 합금 분말로서, 상기 Cu-Al 합금 분말의 표면이, 두께 80nm 이하의 Al의 산화 피막으로 덮인 것을 특징으로 하는 Cu-Al 합금 분말. 이 분말은 유리 또는 유리 세라믹재와 배합하여 페이스트로 하여, 배선, 전극 및/또는 콘택트 부재를 형성하는 데에 사용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020120004548A

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：KR1020117028880

申请日：2010-05-05

Applicant: 페데랄-모굴 비스바덴 게엠베하

Inventor： 스치미트,홍걸 ,  엥그호프,토마스 ,  메이스털,다니엘

IPC: F16C33/12 ,  F16C17/00

CPC classification number: B22F7/08 ,  B32B15/015 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  C22C32/0089 ,  F16C33/121 ,  F16C2204/10

Abstract: 본 발명은 플레인 베어링에 CuFe
2 P의 사용 또는 플레인 베어링 소재로서의 사용에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 지지층과 CuFe
2 P를 기반으로 한 베어링 금속층을 포함하는 플레인 베어링 복합 소재에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101099416B1

公开(公告)日：2011-12-27

申请号：KR1020117022659

申请日：2010-11-04

Applicant: 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤

Inventor： 장쇼우빈 ,  시라이요시노리

IPC: C23C14/34 ,  B22F3/14 ,  C22C1/04 ,  C22C9/00

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C1/0425 ,  C22C9/00 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 스퍼터링법에의해알맞게 Na 가첨가된 Cu-Ga 필름을형성가능한스퍼터링타겟및 그제조방법을제공하는것. 스퍼터링타겟의불소 (F) 를제외하는금속성분으로서 20 ~ 40 at% 의 Ga 및 0.05 ~ 1 at% 의 Na 가함유되고, 나머지부분은 Cu 및불가피불순물로이루어진성분조성을가지며, Na 는 NaF 화합물상태로함유되어있는스퍼터링타겟이제공된다. 또한, 스퍼터링타겟을제작하는방법은 NaF 분말과 Cu-Ga 분말과의혼합분말또는 NaF 분말, Cu-Ga 분말및 Cu 분말의혼합분말로이루어진성형체를형성하는단계; 그리고진공대기, 불활성가스대기또는환원대기중에서상기성형체를소결하는단계를포함한다.