公开(公告)号：KR102436174B1

公开(公告)日：2022-08-24

申请号：KR1020187034108

申请日：2017-05-22

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  C09K13/00

摘要： 일실시형태의방법 MT에서는, 처리대상인웨이퍼(W)의피처리층(J1)의에칭전에, 피처리층(J1)의주면(J11)을복수의영역(ER)으로구분한다음, 공정 SB2에서피처리층(J1) 상에마련된마스크(J2)의홈폭과상기홈폭의기준치의차분값을복수의영역(ER)마다산출하고, 공정 SB6에서, 피처리층(J1)의온도와형성하는막의막두께의대응을나타내는대응데이터(DT)를이용하여복수의영역(ER)마다차분값에대응하는막두께의막의형성에필요한온도가되도록피처리층(J1)의온도를조절한다음, ALD법과동일한막형성처리를이용하여마스크(J2)에막을원자층마다형성하여, 차분값에대응하는막두께의막(J3)을마스크(J2)에형성하여복수의영역(ER)마다홈폭을기준치로보정한다.

公开(公告)号：KR102434050B1

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：KR1020217032082

申请日：2017-11-06

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/66

摘要： 본발명은기판에칭공정의에치파라미터를변화시키는방법에관한것으로, 본방법은, 에칭전에기판상의구조와관련된제1 메트릭(metric)의제1 측정을행하는단계; 에칭후에기판상의구조와관련된제2 메트릭의제2 측정을행하는단계; 및제1 측정과제2 측정사이의차이에근거하여에치파라미터를변화시키는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR102424479B1

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：KR1020160027505

申请日：2016-03-08

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  G03F7/20 ,  H01L21/311

公开(公告)号：KR102423457B1

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：KR1020170170029

申请日：2017-12-12

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L43/12

公开(公告)号：KR102418244B1

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：KR1020177012095

申请日：2015-11-20

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

摘要： 일실시형태의방법은, 1 회이상의시퀀스를실행하는공정과, 1 회이상의시퀀스의실행에의해형성된플루오르카본함유막의막 두께를저감시키는공정을포함한다. 1 회이상의시퀀스의각각은, 플루오르카본가스를포함하고산소가스를포함하지않는처리가스의플라즈마를생성함으로써, 피처리체상에플루오르카본함유막을형성하는공정과, 플루오르카본함유막에포함되는플루오르카본의라디칼에의해제 1 영역을에칭하는공정을포함한다. 이방법에서는, 1 회이상의시퀀스와플루오르카본함유막의막 두께를저감시키는공정의교호의반복이실행된다.

公开(公告)号：KR102418243B1

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：KR1020170158211

申请日：2017-11-24

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 포스트믹스구조를가지는플라즈마처리장치에있어서, 양호한에칭형상을얻을수 있는플라즈마처리장치를제공하는것이다. 처리용기와, 상기처리용기내에마련되고기판을유지하는배치대와, 상기배치대와대향하는위치로부터제 1 가스를공급가능한제 1 가스공급부와, 상기제 1 가스를플라즈마화하는고주파전원과, 상기배치대의주위를감싸도록마련되고플라즈마화된상기제 1 가스를차폐하는차폐부와, 상기차폐부를통하여상기처리용기내를배기하는배기부와, 상기차폐부와상기배기부의사이의공간에제 2 가스를공급가능한제 2 가스공급부를가지는것을특징으로하는플라즈마처리장치에의해상기과제를해결한다.

公开(公告)号：KR1020220097191A

公开(公告)日：2022-07-07

申请号：KR1020210135741

申请日：2021-10-13

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 본발명에따라제공되는화합물반도체기판을플라즈마에칭하는방법은: 챔버내의기판지지부상에기판을제공하는단계로서, 상기기판은화합물반도체재료를포함하는, 상기기판제공단계; 상기챔버에에칭제가스또는가스혼합물을도입하는단계; 상기화합물반도체재료를플라즈마에칭하기위해상기챔버내에상기에칭제가스또는가스혼합물을유지시키는단계; 상기플라즈마유지되고있는동안에상기기판지지부에펄스전기바이어스전력을인가하는단계를포함하고, 상기펄스전기바이어스전력은약 160 Hz 이하의펄스주파수및 약 50% 이하의듀티사이클을갖는다.

公开(公告)号：KR1020220087391A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：KR1020210180944

申请日：2021-12-16

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： [과제] 에칭에의해형성되는오목부의측벽형상불량을억제하는기술을제공한다. [해결수단] 예시적실시형태에따른기판처리방법은, (a) 기판지지기상에, 오목부가형성된에칭대상막을갖는기판을제공하는공정과, (b) 오목부의측벽에보호막을형성하는공정과, (c) (b) 후, 처리가스로부터플라즈마를생성하여오목부의바닥부를에칭하는공정과, (d) (b)와 (c)를포함하는시퀀스를 1회이상실시하는공정을포함한다. (c)는, 에칭으로생성되는반응부생성물이측벽에부착됨으로인해생기는어깨부의형성을억제하면서오목부의바닥부를에칭하는제1 단계와, 제1 단계후, 기판지지기의온도를 -40℃이하로제어하여오목부의바닥부를추가로에칭하는제2 단계를포함한다.

公开(公告)号：KR102405776B1

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：KR1020150109681

申请日：2015-08-03

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  C23C16/505 ,  C23C16/458 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

摘要： 기판처리장치의일 실시예는, 공정챔버, 복수의기판을지지하도록상기공정챔버에설치되어소정방향으로회전하는기판지지부, 상기기판지지부에대향되도록상기공정챔버의상부를덮는챔버리드; 상기챔버리드에설치되어서로상이한제 1 및제 2 가스를공간적으로분리하여상기복수의기판으로분사하는가스분사부; 및상기기판지지부는자전가능하도록구비되는제 1 디스크를포함하고, 상기제 1 디스크에배치되고, 상면에상기기판이안착되며, 상기제 1 디스크가자전함에따라자전및 상기제 1 디스크의중심을축으로공전하는적어도하나의제 2 디스크를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR102401711B1

公开(公告)日：2022-05-26

申请号：KR1020207027547

申请日：2019-02-28

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

摘要： 패터닝된층, 중간층, 및패터닝된층의패턴에따라에칭될제1 층이형성되는공정이제공된다. 중간층은열 기반제거공정에의해제거될수 있는열분해층일수 있다. 제1 층을에칭한후에, 열기반제거공정을사용함으로써, 제1 층을변화시키지않으면서, 중간층이기판으로부터제거될수 있다. 일실시형태에서, 제1 층은기억층일수 있으며, 공정은다중패터닝공정일수 있다.