公开(公告)号：KR102481263B1

公开(公告)日：2022-12-26

申请号：KR1020187002457

申请日：2015-06-26

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311

摘要： 본발명의실시예들은비아를갖는인터커넥트구조체및 그러한구조체들을형성하는방법들을포함한다. 일실시예에서, 인터커넥트구조체는제1 층간유전체(ILD)를포함한다. 제1 인터커넥트라인및 제2 인터커넥트라인은제1 ILD 내로연장된다. 일실시예에따르면, 제2 ILD가제1 인터커넥트라인및 제2 인터커넥트라인위에위치한다. 비아는제2 ILD를관통하여연장되고제1 인터커넥트라인에전기적으로커플링될수 있다. 추가적으로, 본발명의실시예들은제2 인터커넥트라인위에위치하는비아의하부표면의부분을포함한다. 그러나, 본발명의일 실시예에따르면, 격리층이비아의하부표면과제2 인터커넥트라인의상부표면사이에위치될수 있다.

公开(公告)号：KR102479806B1

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：KR1020177011892

申请日：2015-09-15

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56

摘要： 패터닝된기판상에유동성저-k 유전체막을형성하기위한방법들이설명된다. 막은실리콘-탄소-산소(Si-C-O) 층일수 있으며, 그실리콘-탄소-산소(Si-C-O) 층에서, 실리콘및 탄소성분들은실리콘및 탄소함유전구체로부터유래하는한편, 산소는원격플라즈마구역에서활성화된산소-함유전구체로부터유래할수 있다. 증착직후에, 실리콘-탄소-산소층은, 경화전에, 암모니아와같은수소-및-질소-함유전구체에대한노출에의해처리된다. 처리는실리콘-탄소-산소층으로부터잔여의수분을제거할수 있고, 경화및 후속프로세싱동안에격자가더 복원적(resilient)이게만들수 있다. 처리는후속프로세싱동안의실리콘-탄소-산소층의수축을감소시킬수 있다.

公开(公告)号：KR102478362B1

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：KR1020177017994

申请日：2015-11-30

IPC分类号： H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B41/20 ,  H10B41/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B43/20 ,  H10B43/27 ,  H01L21/265 ,  H01L21/263 ,  H01L21/768

摘要： 기판상에다층구조체를제조하기위한방법및 다층디바이스가개시된다. 방법은, 기판상에배치된디바이스스택상에마스크를제공하는단계로서, 디바이스스택은제 1 층유형및 제 2 층유형으로구성된제 1 복수의층들을포함하는, 단계; 기판의평면에대한법선에대하여제 1 비-제로입사각을형성하는제 1 방향을따라제 1 이온들을보내는단계로서, 법선에대하여제 1 비-제로각도의경사를형성하는측벽을갖는제 1 측벽은형성되고, 제 1 측벽은제 1 층유형및 제 2 층유형으로구성되며제 1 복수의층들의적어도일 부분으로부터제 2 복수의층들을포함하는, 단계; 및제 1 선택적에칭을사용하여제 2 복수의층들을에칭하는단계로서, 제 1 층유형이제 2 층유형에대하여선택적으로에칭되는, 단계를포함한다.

公开(公告)号：KR102478334B1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：KR1020190071724

申请日：2019-06-17

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213

摘要： 로우-k층상에형성되는선택적으로형성된보호층을사용하여로우-k층을에칭손상으로부터보호하는공정이제공된다. 일실시형태에서, 로우-k층은 BEOL 공정단계에서이용되는로우-k 유전체층일수 있다. 일실시형태에서, 선택적으로형성된보호층은전도체층위를제외한, 로우-k 유전체상에층을선택적으로형성하는선택적퇴적공정에의해형성될수 있다. 선택적으로형성된보호층은이어서, 전도체를리세싱하는데이용되는플라즈마에칭으로부터로우-k층을보호하는데이용될수 있다. 이런식으로, 플라즈마에칭공정을통해로우-k 유전체층내에전도체(예컨대, 금속)가리세싱될수 있다.

公开(公告)号：KR102477800B1

公开(公告)日：2022-12-14

申请号：KR1020200126851

申请日：2020-09-29

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/8234

摘要： 감소된커패시턴스및 저항을나타내는비아를제조하기위한방법과함께비아가개시된다. 예시적인상호접속구조물은유전체층에배치된제1 소스/드레인접촉부및 제2 소스/드레인접촉부를포함한다. 제1 소스/드레인접촉부는제1 소스/드레인피처와물리적으로접촉하고, 제2 소스/드레인접촉부는제2 소스/드레인피처와물리적으로접촉한다. 제1 비아층 구성을갖는제1 비아, 제2 비아층 구성을갖는제2 비아, 및제3 비아층 구성을갖는제3 비아가유전체층에배치된다. 제1 비아및 제2 비아는각각제1 소스/드레인접촉부및 제2 소스/드레인접촉부내로연장되어이들과물리적으로접촉한다. 제1 비아의제1 두께와제2 비아의제2 두께는동일하다. 제3 비아는제1 소스/드레인접촉부와제2 소스/드레인접촉부사이에배치되는게이트구조물과물리적으로접촉한다.

公开(公告)号：KR102476308B1

公开(公告)日：2022-12-12

申请号：KR1020207027459

申请日：2019-02-27

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/764 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

摘要： 예시적인식각방법들은, 반도체처리챔버의기판처리영역내로플루오린함유전구체를유동시키는단계를포함할수 있다. 방법들은, 기판처리영역내로수소함유전구체를유동시키는단계를포함할수 있다. 방법들은, 기판처리영역내에수납된기판을플루오린함유전구체및 수소함유전구체와접촉시키는단계를포함할수 있다. 기판은트렌치또는함몰된피쳐를포함할수 있고, 트렌치또는피쳐의측벽을따라스페이서가형성될수 있다. 스페이서는, 탄소함유또는질소함유물질의제1 층, 산소함유물질의제2 층, 및탄소함유또는질소함유물질의제3 층을포함하는복수의층들을포함할수 있다. 스페이서의제2 층은스페이서의제1 층과제3 층사이에배치될수 있다. 방법들은또한, 산소함유물질을제거하는단계를포함할수 있다.

公开(公告)号：KR102476141B1

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：KR1020180162425

申请日：2018-12-14

IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L21/768

摘要： 반도체소자는기판; 상기기판상에배치되는서로이격되는제1 불순물주입영역및 제2 불순물주입영역; 상기제1 불순물주입영역과접하는스토리지노드컨택; 상기제2 불순물주입영역과전기적으로연결되며상기기판을가로지르는비트라인; 상기비트라인과상기제2 불순물주입영역사이에배치되는비트라인노드컨택; 및상기스토리지노드컨택과상기비트라인사이및 상기스토리지노드컨택과상기비트라인노드컨택사이에배치되는스페이서를포함하되, 상기스토리지노드컨택은, 제1 너비를가지는상부컨택과, 상기상부컨택의하부에서상기제1 너비보다넓은제2 너비를가지는하부컨택을포함한다.

公开(公告)号：KR102475281B1

公开(公告)日：2022-12-08

申请号：KR1020170113950

申请日：2017-09-06

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06

摘要： 본개시의예시적실시예에따라복수의표준셀들을포함하는집적회로는, 복수의표준셀들에전력을공급하기위하여복수의표준셀들의경계에서복수의도전층들을사용하여형성되고제1 수평방향으로연장되는파워레일, 및표준셀의입력신호또는출력신호를전달하기위하여제1 수평방향과직교하는제2 수평방향으로파워레일을통과하고복수의도전층들중 하나의도전층에형성된적어도하나의신호라인을포함할수 있고, 파워레일은, 적어도하나의신호라인이형성된도전층에형성되고적어도하나의신호라인과절연된제1 수평방향으로연장되는도전라인을포함할수 있다.

公开(公告)号：KR102474947B1

公开(公告)日：2022-12-05

申请号：KR1020210163745

申请日：2021-11-24

IPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

摘要： 반도체디바이스및 반도체디바이스를형성하는방법이제공된다. 방법은타겟층 위에제 1 마스크층을형성하는단계, 제 1 마스크층 위에복수의스페이서를형성하는단계, 및복수의스페이서위에제 2 마스크층을형성하하고제 2 마스크층을패터닝하여제 1 개구부를형성하는단계를포함하며, 평면도에서개구부의장축은복수의스페이서중의스페이서의장축에수직인방향으로연장된다. 방법은또한개구부내에희생재료를퇴적하는단계, 희생재료를패터닝하는단계, 복수의스페이서및 패터닝된희생재료를사용하여제 1 마스크층을에칭하는단계, 에칭된제 1 마스크층을사용하여타겟층을에칭하여타겟층 내에제 2 개구부를형성하는단계, 및타겟층 내의제 2 개구부를전도성재료로충전하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR102473615B1

公开(公告)日：2022-12-05

申请号：KR1020197014757

申请日：2017-11-22

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L23/373 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

摘要： 설명된예들에서, 집적회로(100)는기판(102)과기판(102) 상에배치된상호접속영역(106)을가진다. 상호접속영역(106)은상호접속레벨들을가진다. 집적회로(100)는상호접속영역(106) 내에열 라우팅구조체(130)를포함한다. 열라우팅구조체(130)는상호접속영역(106)에서집적회로(100)의전체가아닌부분위로연장된다. 열라우팅구조체(130)는인접한나노입자들이서로응집되는응집된나노입자필름을포함한다. 열라우팅구조체(130)는열 라우팅구조체(130)에닿는유전체재료보다더 높은열전도율을가진다. 응집된나노입자필름은애더티브프로세스를포함하는방법에의해형성된다.