公开(公告)号：KR1020020084103A

公开(公告)日：2002-11-04

申请号：KR1020027009695

申请日：2001-11-27

申请人： 가부시키가이샤 히타치 하이테크 사이언스

发明人： 카이토타카시

IPC分类号： C23C16/44

CPC分类号： C23C16/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y70/00 ,  B82Y30/00 ,  C23C16/047 ,  C23C16/4418 ,  H01J37/3178 ,  C23C16/486 ,  C23C16/4486 ,  H01J37/3007 ,  H01J37/305 ,  Y10S261/65

摘要： 집속 이온빔 장치를 이용한 디포지션 기술로서, 원료 가스로서 페난트렌을, 이온으로서 액체금속 이온원 으로부터 5 내지 100keV의 갈륨 또는 금, 실리콘, 베릴륨 등의 이온을 사용하고, 가스 분사 밀도를 종래의 디포지션의 경우보다 5 내지 10 정도 높게 하고, 가스 분사 방향을 등방향 또는 대칭적으로 하여 실행하는 방법을 채용한다.

公开(公告)号：KR100315533B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019990042547

申请日：1999-10-04

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 니시오카마사오 ,  가토나오타카

IPC分类号： C04B35/565

CPC分类号： C23C16/01 ,  C04B35/565 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4418 ,  C30B31/10

摘要： 본발명의목적은고순도로서, 적외및 근적외영역의파장의광에대한광 투과율의낮은탄화규소재를제공하는것이다. 탄화규소다결정을주성분으로하는탄화규소재, 또는탄화규소다결정과유리탄소를주성분으로하는탄화규소재를제공한다. 각탄화규소재의기공율이 0.1% 이하이며, 탄화규소재가함유하는금속원소가각각 200ppb 이하이며, 탄화규소재의전체중량에대한규소의중량비율이 69.00중량%이며, 파장 0.4∼25㎛의영역에있어서의광 투과율이두께 0.5mm당 0.05% 이하이다.

公开(公告)号：KR1020000028804A

公开(公告)日：2000-05-25

申请号：KR1019990042547

申请日：1999-10-04

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 니시오카마사오 ,  가토나오타카

IPC分类号： C04B35/565

CPC分类号： C23C16/01 ,  C04B35/565 ,  C23C16/325 ,  C23C16/4418 ,  C30B31/10

摘要： PURPOSE: Provided is silicon carbide material of high purity having low light-permeability rate for light of infrared wave and near infrared region. CONSTITUTION: A silicon carbide material is based on silicon carbide polycrystallinematerial or silicon carbide polycrystalline material and glass carbon. The silicon carbide material has a porosity rate below 0.1% and contains metal element below 200 bbp, respectively. Also, the silicon carbide material comprises the silicon of 69.00 % by weight, based on the total weight of the silicon carbide material. The light-permeability rate at a wave region of 0.4 to 25 um is below 0.05% per 0.5 mm thickness.

摘要翻译： 目的：提供高纯度的碳化硅材料，对于红外波和近红外区域的光具有低的透光率。 构成：碳化硅材料基于碳化硅多晶材料或碳化硅多晶材料和玻璃碳。 碳化硅材料的孔隙率低于0.1％，分别含有低于200bbp的金属元素。 此外，碳化硅材料包含基于碳化硅材料的总重量为69.00重量％的硅。 0.4〜25μm的波长区域的光透过率在0.5mm厚度以下为0.05％以下。

公开(公告)号：KR101792562B1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：KR1020127015284

申请日：2010-11-25

申请人： 다이나텍 엔지니어링 에이에스

发明人： 휠트베드트,조셉 ,  휠트베드트,베르너오 ,  홀트,아르베

IPC分类号： C01B33/035 ,  C30B25/08 ,  C30B29/06 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC分类号： C01B33/035 ,  B01J4/002 ,  B01J4/007 ,  B01J19/02 ,  B01J19/2405 ,  B01J19/28 ,  B01J2219/00056 ,  B01J2219/0009 ,  B01J2219/00141 ,  B01J2219/00144 ,  B01J2219/00146 ,  B01J2219/00148 ,  B01J2219/00155 ,  B01J2219/00164 ,  B01J2219/0236 ,  B01J2219/029 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C30B25/08 ,  C30B29/06

摘要： 본발명은반응기부피를포함하는실리콘제조반응기에관한것으로, 상기반응기가화학증착(CVD)용실리콘함유반응가스를반응기부피내부에서회전시키기위한하나이상의수단을포함하거나또는이것에작동배열되는것을특징으로한다. 본발명은또한실리콘제조방법에관한것이다.

摘要翻译： 本发明涉及一种包含反应器体积的制硅反应器，其特征在于反应器包括或可操作地设置在用于旋转用于化学气相沉积（CVD）的含硅反应气体的一个或多个装置中， 它应。 本发明还涉及一种制造硅的方法。

公开(公告)号：KR1020150096447A

公开(公告)日：2015-08-24

申请号：KR1020157018101

申请日：2013-12-19

申请人： 오씨아이 주식회사

发明人： 킨,웬준 ,  페로,차드 ,  로드스,아론,디. ,  굼,제프리,씨.

IPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C01B33/035

CPC分类号： C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418

摘要： 다양한 실시예들에서, 시스템들, 방법들 및 장치들이 화학 기상 증착(CVD) 반응기 시스템 내의 필라멘트들을 안정화시키기 위해 제공된다. 시스템은 복수의 전기 접속들을 갖는 베이스 플레이트, 상기 베이스 플레이트로부터 연장되는 한 쌍의 필라멘트들 및 상기 한 쌍의 필라멘트들을 연결하는 스태빌라이저를 포함한다. 각 필라멘트는 두 개의 상기 전기 접속들과 전기적으로 접촉되고 그 사이에 도전 경로를 한정한다. 상기 필라멘트들을 안정화시키는 방법은 상기 한 쌍의 필라멘트들을 제공하는 단계 및 상기 한 쌍의 필라멘트들을 적어도 하나의 스태빌라이저로 연결하는 단계를 포함한다. 상기 스태빌라이저는 전기적으로 절연성인 물질을 포함할 수 있다.

摘要翻译： 在各种实施例中，提供了用于在化学气相沉积（CVD）反应器系统中稳定细丝的系统，方法和装置。 系统包括具有多个电连接的基板，从基板延伸的一对细丝以及连接该对长丝的稳定器。 每个灯丝与两个电连接处于电接触并且限定两个电连接之间的导电路径。 稳定长丝的方法包括提供一对长丝，以及将一对长丝与至少一种稳定剂连接。 稳定剂可以包括电绝缘材料。

公开(公告)号：KR101495692B1

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：KR1020130047993

申请日：2013-04-30

申请人： 와커 헤미 아게

发明人： 베버마틴 ,  도른베르거에리히 ,  커셔마이클 ,  크라우스하인즈 ,  페흐라이너

IPC分类号： C30B29/06 ,  C01B33/02 ,  B01J6/00

CPC分类号： C01B33/029 ,  B02C19/0056 ,  C01B33/02 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  Y10T428/12479

摘要： 본 발명은 얇은 로드 주위에 0 내지 0.01 미만의 공극률을 가지는 코어 (A), 및 1.7 내지 23의 팩터로 공극률이 다른 적어도 두 개의 연이은 영역 B 및 C를 포함하며, 상기 외부 영역 C는 영역 B 보다 공극률이 낮은, 적어도 150 mm의 총 직경을 가지는 다결정 실리콘 로드를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020140099952A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：KR1020147020045

申请日：2007-04-19

申请人： 지티에이티 코포레이션

发明人： 완,유에펭 ,  파싸사라씨,산싸나라그하반 ,  차티에르,칼 ,  세르비니,아드리안 ,  크하탁,찬드라,피.

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/46

CPC分类号： C23C16/24 ,  C01B33/035 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/458 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/102 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032 ,  Y10T117/104 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46

摘要： 본 발명은 화학기상증착(이하, 'CVD'라 함)에 의한 대량 폴리실리콘 생산을 위한 방법 및 공정에 관한 것으로 종래 일반적으로 지멘스형 반응기에서 사용되는 실리콘 "슬림로드"가 유사한 전기적 특성을 갖지만, 실리콘 튜브, 리본 다른 형태의 단면과 같은 고표면적을 갖는 실리콘 필라멘트로 치환된 것이다. 실리콘 함유가스는, 예를 들면 염화실란(Trichlorosilane) 또는 시레인(silane)은 분해되고 필라멘트의 뜨거운 표면에 실리콘 증착을 형성한다. 이러한 필라멘트의 큰 초기 표면적은 반응기 크기를 변화하지 않고 필라멘트의 길이나 갯수를 증가하지 않고 보다 큰 생산률을 확보할 수 있다. 종래 반응기는 새로운 필라멘트를 이용하여 필라멘트 지지부의 치환 또는 개선이 필요하다. 상기 필라멘트는 EFG(Edgd-defined, Film-fed Growth) 방법으로 성장된다. 결과적으로 새로운 반응기에서 이것은 또한 필라멘트의 도핑과 전원공급의 단순화를 가능하게 한다.

公开(公告)号：KR1020140064968A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：KR1020147010118

申请日：2012-09-20

申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

发明人： 구로사와야스시 ,  네츠시게요시 ,  호시노나루히로

IPC分类号： C01B33/035

CPC分类号： H01L21/02595 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  H01L21/02532

摘要： 휨이 적고 횡단면 형상의 진원도도 높은 양호한 형상을 갖는 다결정 실리콘 봉을 얻기 위해서, 반응로에 마련되는 원료 가스 공급 노즐(9)과 금속 전극(전극쌍)(10)의 배치 관계를 적절한 것으로 한다. 원반상 밑판(5)의 면적은 S
0 이다. 이 원반상 밑판(5)의 중앙에 중심을 갖는 가상의 동심원(C)(반경(c))은 면적 S=S
0 /2를 갖고 있다. 또한, 동심원(A) 및 동심원(B)은 각각, 동심원(C)과 중심을 같이 하는 반경(a) 및 반경(b)(a

摘要翻译： 为了获得具有优异形状的多晶硅棒，适当地设计了设置在反应器中的源气体供给喷嘴9和金属电极10之间的配置关系。 盘状基板5的面积为So。 以盘状基板5的中心为中心的虚拟的同心圆C（半径c）的面积为S = So / 2。此外，同心圆A和同心圆B为与中心相同的虚拟同心圆 同心圆C的半径a和半径b分别为（a