公开(公告)号：KR101818805B1

公开(公告)日：2018-01-15

申请号：KR1020147035979

申请日：2012-09-13

申请人： 도까이 카본 가부시끼가이샤

发明人： 스기하라다카오미 ,  아사쿠라마사아키 ,  도쿠나가다케시 ,  사다키데츠야

IPC分类号： C04B35/565 ,  C23C16/01 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42

CPC分类号： C01B32/956 ,  C04B35/565 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/722 ,  C23C16/01 ,  C23C16/325

摘要： 반도체제조공정에서사용되는에쳐용부재등으로서적절하게사용할수 있는, 광투과성이낮고저항률이높은 CVD-SiC 성형체를제공한다. CVD법에의해형성되어이루어지는 SiC 성형체로서, 붕소원자를 1~30질량ppm, 질소원자를 100질량ppm 초과 1000질량ppm 이하포함하고, 바람직하게는저항률이 10Ω·cm 초과 100000Ω·cm 이하, 파장 950nm에있어서의광투과율이 0~1%인 SiC 성형체를제공하는것이다.

摘要翻译： 作为chyeoyong构件或在可任选地使用，一个低的光透射并提供CVD-SiC的成形体的电阻率是高的，在半导体制造过程中使用的等。 形成的SiC模制产品是通过CVD法形成，对于1〜30重量ppm，包括小于100ppm重量大于1000ppm（重量）氮硼原子，优选的电阻率大于10Ω·cm的100000Ω·cm以下，波长950NM 并且，SiC成型体的透光率为0〜1％。

公开(公告)号：KR1020170141721A

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：KR1020177032984

申请日：2016-04-18

申请人： 투-식스 인코포레이티드

发明人： 슈웬-칭 ,  리우차오 ,  아이슬러엘진이. ,  바바로사지오바니 ,  태너찰스디. ,  앤더슨토마스이.

IPC分类号： C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02

CPC分类号： C23C16/274 ,  C23C16/01 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  C23C16/02

摘要： 다이아몬드필름, 기판또는창의형성방법에서는, 실리콘기판이제공되고, 다이아몬드필름, 기판또는창이실리콘기판의표면상에서 CVD 성장된다. 성장된다이아몬드필름, 기판또는창의종횡비는≥ 100이며, 여기서종횡비는다이아몬드필름, 기판또는창의최대치수를다이아몬드필름의두께로나눈비이다. 실리콘기판은성장된다이아몬드필름, 기판또는창으로부터임의로제거되거나분리될수 있다.

摘要翻译： 金刚石膜，衬底或窗口形成方法的，提供了一种硅衬底，金刚石膜，衬底或窗口硅衬底的表面上的CVD生长。 金刚石薄膜，衬底，或窗口增长的长宽比≥100，其中纵横比是金刚石膜，基材，或最大尺寸由窗口膜的金刚石的厚度所得的比值。 硅衬底可以可选地从生长的金刚石膜，衬底或窗口中移除或分离。

公开(公告)号：KR1020170077207A

公开(公告)日：2017-07-05

申请号：KR1020177014650

申请日：2015-10-12

申请人： 아익스트론 에스이

发明人： 테오,케네스비.케이. ,  조우브레이,알렉산드레 ,  마타루,제이 ,  토마스,시몬

IPC分类号： C23C16/01 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  C01B32/182 ,  C01B32/168 ,  C01B32/16 ,  G01N21/84

CPC分类号： C23C16/01 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/168 ,  C01B32/18 ,  C01B32/186 ,  C01B32/194 ,  C23C16/26 ,  C23C16/46 ,  C23C16/48 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  G01N2021/8433 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/843

摘要： 본발명은씨드구조체(2) 상에증착되는탄소구조체(1), 예를들어그래핀, 탄소나토튜브들또는반도체나노와이어들을씨드구조체(2)로부터분리시키기위한방법에관한것이다. 탄소구조체들의제조를단순화하기위해, 그리고특히씨드구조체로부터탄소구조물의분리가증착이발생하는프로세스챔버내에서진행하는방법을제공하기위해, CVD 반응기들의프로세스챔버(process chamber)에서씨드구조체(2) 상에증착된탄소구조체를준비하는단계; 씨드구조체(2) 및탄소구조체(1)를포함하는기판을프로세스온도로가열하는단계; 화학식 AOmXn, AOmXnYp 또는 AmXn을갖는적어도하나의에칭가스(etching gas)를주입하는단계 (여기서 A는 S, C, N을포함하는엘리먼트들의그룹으로부터선택되며, 여기서 O는산소이며, 여기서 X, Y는상이한할로겐들이며그리고, 여기서 m, n, p는 0보다큰 자연수들임); 상기에칭가스와의화학반응을통해씨드구조체(2)를가스반응생성물로변환시키는단계; 및캐리어가스유동에의해프로세스챔버로부터가스반응생성물을제거하는단계가제안된다.

摘要翻译： 本发明涉及用于从种子结构2分离沉积在种子结构2上的碳结构1，例如石墨烯，碳纳米管或半导体纳米线的方法。 为了简化碳结构的制造，并特别涉及用于在工艺腔体内前进用于产生从CVD反应器的种子结构，在处理室（处理室）的种子结构（2）沉积在碳结构的分离提供的方法 准备沉积在基底上的碳结构; 加热包含种子结构（2）和碳结构（1）的基材以处理温度; 注入至少一种具有式AOmXn，AOmXnYp或AmXn的蚀刻气体，其中A选自包含S，C，N的元素，其中O是氧，其中X，Y 是不同的卤素，m，n，p是大于0的自然数）。 通过与蚀刻气体的化学反应将晶种结构（2）转化为气体反应产物; 并通过载气流从处理室中除去气体反应产物。

公开(公告)号：KR1020160148165A

公开(公告)日：2016-12-26

申请号：KR1020150084785

申请日：2015-06-16

申请人： 광주과학기술원

发明人： 함문호 ,  손명우

IPC分类号： C01B31/04 ,  B01J23/70 ,  B01J23/38

CPC分类号： C23C16/26 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0281 ,  C23C28/322 ,  C23C28/343 ,  C25D5/50 ,  C30B23/066 ,  C30B25/18 ,  C30B29/02 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262

摘要： 다층그래핀의제조방법이제공된다. 구체적으로, 기판상에촉매금속층을형성하는단계, 상기촉매금속층상에메탄가스를공급하며열처리하는단계및 상기열처리된촉매금속층상에다층그래핀을합성하는단계를수행하여다층그래핀을제조할수 있다. 상기와같이, 본발명은그래핀합성단계이전에메탄가스를이용하여촉매금속층을열처리함으로써대면적의다층그래핀을기판상에직접성장시킬수 있다. 또한, 종래의단층그래핀의합성및 전사공정을통한다층그래핀제조방법에비해제조공정의간소화및 제조비용절감을실현할수 있다. 아울러, 그래핀합성시간을조절하여그래핀의층수를제어할수 있어, 원하는층수를가진다층그래핀을용이하게제조할수 있다.

摘要翻译： 提供了一种合成多层石墨烯的方法。 具体地说，多层石墨烯可以通过在基板上形成催化金属层的步骤，在提供甲烷气体的同时对基板上的催化金属层进行热处理的步骤，以及将合成多层石墨烯的步骤 热处理催化金属层。 如上所述，在合成石墨烯的步骤之前，可以通过使用甲烷气体对催化金属层进行热处理，直接在基板上生长具有大面积的多层石墨烯。 此外，由于可以通过改变多层石墨烯的合成时间来控制多层石墨烯的层数，所以可以容易地制备具有所需层数的多层石墨烯。

公开(公告)号：KR1020160087889A

公开(公告)日：2016-07-22

申请号：KR1020167016523

申请日：2014-11-20

申请人： 엘리먼트 씩스 테크놀로지스 리미티드

发明人： 맥클라이몬트마크

IPC分类号： B23B27/20 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27

CPC分类号： B23B27/20 ,  B23B2226/315 ,  B23B2228/04 ,  C23C16/01 ,  C23C16/27 ,  C23C16/279 ,  C30B29/04

摘要： 본발명은작업면; 및후방장착면을포함하는, 다결정질 CVD 합성다이아몬드공구에사용하기위한다결정질 CVD 합성다이아몬드워크피스로서, 상기후방장착면의평균측면입자크기가 10 μm 이상이고, 상기작업면이 (a) 상기후방장착면보다작은다이아몬드입자; (b) 10 nm 내지 15 μm의평균측면입자크기; 및 (c) 하기특징중 하나이상을나타내는작업면에초점을맞춘레이저에의해생성된라만신호를포함하는, 다결정질 CVD 합성다이아몬드워크피스에관한것이다: (1) 8.0 cm이하의반치전폭을갖는, 1,332 cm에서의 sp3 탄소피크; (2) 633 nm의라만여기원을사용할때, 배경공제후 1,332 cm에서의 sp3 탄소피크의높이의 20% 이하의높이를갖는, 1,550 cm에서의 sp2 탄소피크; 및 (3) 785 nm의라만여기원을사용하는라만스펙트럼의국소배경강도의 10% 이상인, 1,332 cm에서의 sp3 탄소피크.

公开(公告)号：KR1020150097381A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：KR1020147027831

申请日：2013-12-16

申请人： 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하

发明人： 부르그라프,위르겐

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/673 ,  C23C16/01 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C25D5/48

CPC分类号： H01L21/673 ,  C23C16/01 ,  C23C16/402 ,  C23C16/56 ,  C25D5/48 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

摘要： 본 발명은 하기 단계로써, 특히 하기 순서로써, 용융 접합 또는 양극 접합에 의하여 제품 웨이퍼(4)에 임시 연결하기 위하여 임시 접합 레이어(2, 2', 2")를 캐리어 웨이퍼(1)에 도포하는 방법에 관한 것이다:
- 캐리어 웨이퍼(1)에 용융 접합 또는 양극 접합시키기에 적절한 임시 접합 레이어(2, 2', 2'')를 도포하는 단계 및
- 임시 접합 레이어(2, 2', 2'')의 임시 연결이 파괴될 수 있도록 도포 동안 및/또는 도포 후에 임시 접합 레이어(2, 2', 2'')를 개질시키는 단계.

公开(公告)号：KR1020130132351A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：KR1020130126909

申请日：2013-10-24

申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드

发明人： 하아스,마리캐트린 ,  브르티스,레이몬드니콜라스 ,  마츠,라우라엠.

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C23C16/01 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02214 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  C23C16/01

摘要： The present invention relates to a vapor deposition method for producing a porous organosilica glass film including the following steps of: introducing a precursor of organosiloxane or organosilane and porogen being innately an aromatic series and different from the precursor; depositing the film containing porogen by inducing gaseous reagent to be reacted by applying energy to the gaseous reagent in a chamber; and providing the porous film with the dielectric constant less than two point six by substantially removing all organ materials with UV rays. [Reference numerals] (AA) %carbon(XPS);(BB) Dielectric constant

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造多孔有机硅玻璃膜的气相沉积方法，包括以下步骤：将有机硅氧烷或有机硅烷和致孔剂的前体引入芳族系列并与前体不同; 通过使气体试剂通过向腔室中的气态试剂施加能量来沉积含有致孔剂的膜以进行反应; 并且通过用紫外线基本上除去所有器官材料来提供介电常数小于两点六的多孔膜。 （AA）％碳（XPS）;（BB）介电常数

公开(公告)号：KR1020130122727A

公开(公告)日：2013-11-08

申请号：KR1020137005745

申请日：2011-10-17

申请人： 가부시키가이샤 도쿠야마

发明人： 키노시타,토루 ,  타카다,카즈야

IPC分类号： C30B25/20 ,  C30B29/38 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L33/32 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  C30B25/20 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/007

摘要： 본 발명은 최표면이 질화 알루미늄 단결정면(11a)인 질화 알루미늄 시드기판(11)상에 질화 알루미늄 단결정층(12)를 형성하고, 상기 질화 알루미늄 단결정층(12)상에 광학 소자층(20)을 형성하여 광학 소자용 적층체(2)를 제작하고, 상기 적층체(2)로부터 상기 질화 알루미늄 시드기판(11)을 제거하는 공정을 포함하는 광학 소자(22)의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 방법에 의해, 자외선 투과율이 높고, 뿐만 아니라 전위 밀도가 낮은 질화 알루미늄 단결정층을 기판으로 하는 광학 소자를 제공한다.

公开(公告)号：KR100857751B1

公开(公告)日：2008-09-09

申请号：KR1020047012919

申请日：2003-01-10

申请人： 미쯔이 죠센 가부시키가이샤

发明人： 야마다이사오 ,  마쯔오지로 ,  도요다노리아끼 ,  무라따가즈또시 ,  미야따께나오마사

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C30B29/36 ,  C23C16/01 ,  C23C16/325 ,  C30B25/02 ,  C30B33/00 ,  Y10S438/931

摘要： 본 발명은 파티클 검출이 가능해질 때까지 웨이퍼 표면을 평탄화할 수 있는 SiC 모니터 웨이퍼를 얻는데 그 목적이 있다. 결정계 3C 의 SiC 를 CVD (화학 기상 증착; Chemical Vapor Deposition) 방법에 의해 기판 상에 증착하고, SiC 를 기판으로부터 분리한다. 기계적 연마 단독 사용 또는 CMP (Chemo Machanical Polishing) 와의 병용에 의해 SiC 표면을 평탄화한 후, 표면 거칠기가 Ra = 0.5nm 이하, 웨이퍼 표면의 불순물 밀도가 1×10
11 atoms/cm
2 이하가 될 때까지 GCIB (가스 클러스터 이온빔; Gas Cluster Ion Beam) 를 표면으로 조사하여 SiC 모니터 웨이퍼를 제조한다.
SiC 모니터 웨이퍼

公开(公告)号：KR100797775B1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：KR1020060071001

申请日：2006-07-27

申请人： 한국과학기술연구원

发明人： 이재갑 ,  존필립 ,  안재평

IPC分类号： H01L21/027 ,  C30B25/22 ,  B82Y40/00

CPC分类号： C23C16/0272 ,  C04B35/52 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/427 ,  C23C16/01 ,  C23C16/26 ,  C23C16/272 ,  C30B25/22

摘要： A diamond/carbon nano-material hybrid film and a fabricating method thereof are provided to fabricate the diamond/carbon nano-material hybrid film by using laminated porous silica spheres as a matrix and duplicating gas chemistry near the sample. A diamond film(4-1) is formed on one surface of a matrix, and a carbon nano material film(4-2) is formed on the other surface thereof. A sample set, in which matrix particles(1) are laminated at least by a layer on a substrate and spaces are ensured between a substrate and the matrix particles and between the matrix particles, is prepared. The sample set is put into an apparatus for synthesizing CVD diamond. A gas including hydrogen and carbon is introduced into the apparatus, and then a plasma is produced to form a diamond film on an upper portion of the matrix particles and a carbon nano-material film on a lower portion of the matrix particles.

摘要翻译： 提供了一种金刚石/碳纳米材料混合膜及其制造方法，通过使用层叠的多孔二氧化硅球作为基质并在样品附近复制气体化学物质来制造金刚石/碳纳米材料混合膜。 在基体的一个表面上形成金刚石膜（4-1），在其另一个表面上形成碳纳米材料膜（4-2）。 制备基质颗粒（1）至少层叠在基材和空间上的样品组，在基材和基质颗粒之间以及基质颗粒之间。 将样品组放入用于合成CVD金刚石的装置中。 将包括氢和碳的气体引入装置中，然后产生等离子体以在基体颗粒的上部形成金刚石膜，并在基体颗粒的下部形成碳纳米材料膜。