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    다결정 실리콘 증착용 반응기
    1.
    发明公开
    다결정 실리콘 증착용 반응기 审中-实审
    多晶硅沉积反应器

    公开(公告)号：KR1020170102509A

    公开(公告)日：2017-09-11

    申请号：KR1020177021430

    申请日：2015-12-18

    申请人： 와커 헤미 아게

    发明人： 바이스토비아스 ,  크라우스하인츠

    IPC分类号： C01B33/035 ,  C21D7/02 ,  C21D7/13 ,  C22F1/14 ,  C23C16/44 ,  C23C16/24

    CPC分类号： C01B33/035 ,  B01J4/002 ,  B01J19/02 ,  B01J2219/00132 ,  B01J2219/0236 ,  C21D7/00 ,  C21D7/02 ,  C21D7/13 ,  C22F1/14 ,  C23C16/24 ,  C23C24/04 ,  C30B29/06 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4418

    摘要： 본발명은, 다결정실리콘증착용반응기에관한것이며, 상기반응기는금속베이스플레이트, 베이스플레이트위에배치되고베이스플레이트와함께기밀방식으로밀봉되는냉각가능한유리종(bell jar), 기체공급용노즐및 반응기체배출용개구, 및전류의입력및 출력라인및 필라멘트로드를위한홀더를포함하며, 유리종의내벽은코팅되고, 상기코팅은기계적처리중에코팅의소성변형이일어나도록열간성형및/또는냉간성형에의해기계적으로후처리된것을특징으로한다.

    摘要翻译： 用于多晶硅沉积的反应器技术领域本发明涉及一种用于多晶硅沉积的反应器，该反应器包括金属底板，设置在底板上并与底板密封的可冷却玻璃钟，气体供应喷嘴， 以及用于输入和输出线路的电流和灯丝负载的支架，玻璃物质的内壁被涂覆，涂层经受热成形和/或冷成形，以在机械加工期间引起涂层的塑性变形 然后机械后处理。

    컨파인먼트에 의한 실리사이드 상 제어
    2.
    发明公开
    컨파인먼트에 의한 실리사이드 상 제어 审中-实审
    通过禁闭来控制自杀阶段

    公开(公告)号：KR1020170039573A

    公开(公告)日：2017-04-11

    申请号：KR1020160122349

    申请日：2016-09-23

    申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

    发明人： 메바르키,벤처키 ,  이에,엘리와이. ,  나이크,메훌비. ,  네마니,스리니바스디.

    IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/28518 ,  C23C16/42 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/511 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53271

    摘要： 본원에서설명되는구현예들은일반적으로, 금속실리사이드들의선택적증착방법들에관한것이다. 보다구체적으로, 본원에서설명되는구현예들은일반적으로, 반도체애플리케이션들을위한니켈실리사이드나노와이어들을형성하는방법들에관한것이다. 하나의구현예에서, 기판을프로세싱하는방법이제공된다. 방법은, 기판의표면상에실리콘-함유층을형성하는단계; 실리콘-함유층 상에전이금속(transition metal)을포함하는금속-함유층을형성하는단계; 금속-함유층의노출된표면들상에컨파인먼트(confinement) 층을형성하는단계; 및실리콘-함유층 및금속-함유층으로부터금속실리사이드층을형성하기위해, 기판을섭씨 400도미만의온도에서어닐링하는단계를포함하며, 컨파인먼트층은금속풍부(metal-rich) 금속실리사이드상(phase)들의형성을막는다.

    摘要翻译： 这里描述的实施例一般涉及选择性沉积金属硅化物的方法。 更具体地，在此描述的实施方式通常涉及用于形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。 在一个实施例中，提供了一种处理衬底的方法。 该方法包括在衬底的表面上形成含硅层; 在含硅层上形成包含过渡金属的含金属层; 在含金属层的暴露表面上形成限制层; 并且在仅约400摄氏度的温度下退火衬底以从含硅层和含金属层形成金属硅化物层，其中所述顺应层是富金属硅化物相， Lt。

    다결정 실리콘 제조 장치 및 다결정 실리콘 제조 방법
    3.
    发明授权
    다결정 실리콘 제조 장치 및 다결정 실리콘 제조 방법 有权
    用于生产多晶硅的装置和用于生产多晶硅的方法

    公开(公告)号：KR101704147B1

    公开(公告)日：2017-02-07

    申请号：KR1020147010118

    申请日：2012-09-20

    申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤

    发明人： 구로사와야스시 ,  네츠시게요시 ,  호시노나루히로

    IPC分类号： C01B33/035

    CPC分类号： H01L21/02595 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  H01L21/02532

    摘要： 휨이적고횡단면형상의진원도도높은양호한형상을갖는다결정실리콘봉을얻기위해서, 반응로에마련되는원료가스공급노즐(9)과금속전극(전극쌍)(10)의배치관계를적절한것으로한다. 원반상밑판(5)의면적은 S이다. 이원반상밑판(5)의중앙에중심을갖는가상의동심원(C)(반경(c))은면적 S=S/2를갖고있다. 또한, 동심원(A) 및동심원(B)은각각, 동심원(C)과중심을같이하는반경(a) 및반경(b)(a

    摘要翻译： 为了获得具有优异形状的多晶硅棒，适当地设计了设置在反应器中的源气体供给喷嘴9和金属电极10之间的配置关系。 盘状基板5的面积为So。 以盘状基板5的中心为中心的虚拟的同心圆C（半径c）的面积为S = So / 2。此外，同心圆A和同心圆B是具有相同中心的虚拟同心圆 同心圆C的半径a和半径b分别为（a

    폴리실리콘 제조용 화학 기상 증착 반응기
    5.
    发明公开
    폴리실리콘 제조용 화학 기상 증착 반응기 有权
    用于生产聚硅氧烷的化学蒸气沉积反应器

    公开(公告)号：KR1020150035093A

    公开(公告)日：2015-04-06

    申请号：KR1020130115258

    申请日：2013-09-27

    申请人： 한화케미칼 주식회사

    发明人： 이희동 ,  박규학 ,  박성은 ,  박제성

    IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/24 ,  C01B33/035 ,  H01L21/02 ,  C23C16/458

    CPC分类号： C23C16/4418 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  C23C16/458

    摘要： 본발명의목적은서포터로실리콘로드를지지하여공정전반에걸쳐실리콘로드의전도를방지하는폴리실리콘제조용화학기상증착반응기를제공하는것이다. 본발명의일 실시예에따른폴리실리콘제조용화학기상증착반응기는, 반응가스를투입하고배출하는반응기, 상기반응기의바닥에복수로설치되어, 복수의실리콘필라멘트에증착되는실리콘으로생성되는실리콘로드들을각각고정시키는전극척, 이웃하는상기실리콘필라멘트 2개를서로연결하는적어도 2개의실리콘브릿지, 및 2개의실리콘브릿지중, 일측실리콘브릿지의실리콘필라멘트와다른측실리콘브릿지의실리콘필라멘트를서로연결하는서포터를포함한다.

    摘要翻译： 本发明的目的是提供一种用于制造多晶硅的化学气相沉积反应器，以通过用支撑物支撑硅酮棒来防止硅酮棒在整个生产过程中落下。 根据本发明的实施例，用于生产多晶硅的化学气相沉积反应器包括：反应气体被注入反应气体或反应气体从其中排出的反应器; 安装在反应器底部的多个电极卡盘，以分别固定沉积在多个硅树脂细丝上的由硅树脂制成的硅酮棒; 用于将两个相邻的硅氧烷长丝彼此连接的两个或更多个硅树脂桥; 以及用于将一个硅树​​脂桥的硅氧烷长丝连接到两个硅树脂桥中的另一硅树脂桥的硅氧烷长丝的支撑体。

    빔 형상의 막 패턴 형성방법
    10.
    发明公开
    빔 형상의 막 패턴 형성방법 失效
    形成光束形状的薄膜图案的方法

    公开(公告)号：KR1020020034938A

    公开(公告)日：2002-05-09

    申请号：KR1020010067476

    申请日：2001-10-31

    申请人： 가부시키가이샤 히타치 하이테크 사이언스

    发明人： 가이토다카시

    IPC分类号： H01L21/027 ,  C23C16/00 ,  B81C1/00

    CPC分类号： G03F1/20 ,  C23C16/047 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4418 ,  G03F1/74

    摘要： PURPOSE: To provide a correcting method by which a deposition layer where both an opening end part and a top end part are formed generates no thickness difference, top realize correction of white deface by which a local part does not become very fat and further to provide a correcting method by which a long beam-shaped body can be formed in correction of white defect in a silicon stencil by deposition using focusing ion beams. CONSTITUTION: When the beam-shaped body is formed at the opening end part of a sample by deposition using a focusing ion beams device, a method for forming a film pattern of a beam shape in which deposition is executed by narrowly limiting an irradiation region of the ion beam to a strip shape from the opening end part, the beam-shaped body is formed by growing the thin deposition layer by successively shifting the irradiation region on a top end direction and then the deposition layer having desired thickness is formed on the thin deposition layer, is adopted.

    摘要翻译： 目的：提供一种校正方法，通过该方法，形成开口端部和顶端部两者的沉积层不产生厚度差，首先实现局部部分不变得非常脂肪的白色污迹的校正，并进一步提供 可以通过使用聚焦离子束通过沉积在硅模板中校正白色缺陷而形成长束形体的校正方法。 构成：通过使用聚焦离子束装置的沉积将梁状体形成在样品的开口端部时，形成通过狭窄地限制照射区域的光束形状的膜图案的方法 从开口端部将离子束形成为条状，通过在顶端方向依次移动照射区域而使薄沉积层生长而形成束状体，然后在薄的薄膜上形成具有期望厚度的沉积层 采用沉积层。