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公开(公告)号:KR20180006891A
公开(公告)日:2018-01-19
申请号:KR20177029537
申请日:2016-03-15
发明人: TENMA TOMOHISA , CHIBA KAZUMI , IKEDA TAKUMI
摘要: 본발명의과제는적외선투과율이높고, 경도가높은실리콘재료로이루어지는광학부재및 그러한광학부재를갖는광학기기를제공하는것이다. 본발명은산소농도가 1.0 × 10atom/cm이하이며, 탄소를 1.0 × 10~ 8.0 × 10atom/cm의농도로함유하는실리콘재료로제조되는적외선을투과시키는광학부재및 적외선광 경로에설치된광학부재를갖는광학기기를제공한다.
摘要翻译: 本发明的一个目的是提供一种由具有高红外线透射率和高硬度的硅材料制成的光学构件以及具有这种光学构件的光学设备。 本发明是小于1.0×10atom / cm的氧浓度,提供了一种光学部件上的1.0×10〜8.0×的光学部件,并且其发送的是由含有10atom /厘米碳的浓度的有机硅材料的红外线的红外光路 提供。
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公开(公告)号:KR1020170127479A
公开(公告)日:2017-11-21
申请号:KR1020177027209
申请日:2016-03-10
申请人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
CPC分类号: G02F1/0036 , C01G19/006 , C01G23/003 , C01G25/006 , C01G27/006 , C01G35/006 , C01P2002/50 , C01P2002/76 , C04B35/50 , C04B35/6262 , C04B35/62645 , C04B35/6455 , C04B2235/3224 , C04B2235/3248 , C30B29/22 , G02B1/02 , G02B27/28 , G02F1/093
摘要: 파장대 0.9∼1.1㎛의파이버레이저광을흡수하지않고, 그때문에열 렌즈의발생을억제한광 아이솔레이터등의자기광학디바이스를구성하는데적합한투명한자기광학재료로서, 하기식 (1)로표시되는복합산화물을주성분으로서포함하는투명세라믹스또는하기식 (1)로표시되는복합산화물의단결정으로이루어지는자기광학재료를제공한다. TbRO(1) (식중, 0.800
摘要翻译: 它不会在波段光纤激光器0.9〜1.1㎛吸收光,即,因为由下式表示的复合氧化物的(1),适合于构造的磁光装置的磁光透明材料,如热隔离的发生抑制汉王透镜 包含作为主要组分的透明陶瓷的单晶或由下式(1)表示的复合氧化物的光学材料。 TbRO(1)(其中,0.800和
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公开(公告)号:KR101766556B1
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:KR1020157010754
申请日:2013-03-01
CPC分类号: G02B1/02 , C09C1/28 , C09D5/004 , C30B7/00 , C30B29/16 , C30B29/54 , C30B29/60 , G02B5/223 , G02B5/26
摘要: 다수의콜로이드성결정또는콜로이드성결정의집합체를포함하되, 상기결정각각이콜로이드성어레이중의방사선반사입자및 결정내에분산된방사선흡수입자를포함하는, 방사선-산란조성물. 상기조성물은하나의파장대역내의방사선을실질적으로모든방향으로산란시키고방사선을흡수한다.
摘要翻译: 包括多个胶体晶体或胶体神圣定义的聚合,该确定,其中的每一个包括分散在辐射反射在胶体缩写射线粒子和结晶,散射辐射的组合物,吸收辐射的颗粒。 该组合物在基本上所有方向上散射一个波段中的辐射并吸收辐射。
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公开(公告)号:KR1020170039279A
公开(公告)日:2017-04-10
申请号:KR1020177006012
申请日:2015-08-20
申请人: 아반타마 아게
发明人: 뤼힌거,노만알베르트 , 하르트마이어,벤자민
IPC分类号: C08K3/22 , G02B1/02 , G02B1/11 , G02B3/00 , C08K5/09 , C08K5/5333 , C08K9/02 , C08L33/14 , C08L81/06 , H01L51/52 , B82Y30/00
CPC分类号: H01L51/5275 , B82Y30/00 , C08J5/18 , C08J2329/14 , C08J2333/14 , C08J2381/00 , C08J2381/06 , C08J2439/06 , C08K3/22 , C08K2003/2227 , C08K2003/2237 , C08K2003/2241 , G02B1/02 , G02B1/04 , G02B3/0018 , G02B5/0242 , G02B5/0278 , H01L51/0035 , H01L51/004 , H01L51/5268 , H01L51/56
摘要: 본발명은청구항에서정의되는바와같은티타네이트나노입자(1), 계면활성제(2) 및중합체성매트릭스(3)를포함하는신규혼성재료(30)을제공한다. 상기혼성재료는탁월한광학적특성을가지고있으며, 박막의형태또는마이크로렌즈의형태일수 있다. 본발명은또한그와같은혼성재료를포함하는중간물품및 디바이스, 그리고그와같은혼성재료를수득하기위한개시재료를제공한다. 본발명은또한상기개시재료, 상기혼성재료, 상기중간물품의제조방법; 상기개시재료, 상기혼성재료및 상기중간물품의용도를제공한다.
摘要翻译: 本发明提供了包含如权利要求中定义的钛酸盐纳米颗粒(1),表面活性剂(2)和聚合物基质(3)的新型杂化材料(30)。 该混合材料具有优异的光学性能,并且可以呈薄膜形式或微透镜形式。 本发明还提供了包含这种混合材料的中间制品和装置,以及用于获得这种混合材料的起始材料。 本发明还涉及起始材料,混合材料,制造中间制品的方法; 起始材料,混合材料和中间制品的使用。
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公开(公告)号:KR1020160060075A
公开(公告)日:2016-05-27
申请号:KR1020167009516
申请日:2014-09-12
申请人: 코닝 인코포레이티드
发明人: 코치,칼윌리엄Ⅲ , 폴슨,찰스앤드류 , 프라이스,제임스조셉
摘要: 본개시내용의하나또는그 이상의면은기판상에배치되는광학필름구조를포함하는제품에관한것으로, 상기기판은비정질또는결정질이될 수있는강화된또는비-강화된기판을포함할수 있고, 그럼으로써그 위에배치되는광학필름구조가없는기판에대해내스크래치성을나타내고동일하거나개선된광학특성을유지하는제품에관한것이다. 하나또는그 이상의구체예에있어서, 상기제품은가시스펙트럼(예컨대, 380nm - 780nm)에걸쳐, 85% 이상의평균투과율을나타낸다. 상기광학필름구조의구체예들은알루미늄-함유산화물, 알루미늄-함유산-질화물, 알루미늄-함유질화물(예컨대, AlN) 및이들의조합을포함한다. 본명세서에개시된상기광학필름구조는실리콘산화물, 게르마늄산화물, 알루미늄산화물및 이들의조합과같은산화물들을포함하는투명한유전체를또한포함한다. 이와같은제품들의형성방법들또한제공된다.
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36.ArF 엑시머 레이저 리소그래피에서의 사용을 위한 석영 유리로 만들어진 광학 컴포넌트 및 그 컴포넌트를 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译: 用于ARF EXCIMER激光光刻的QUARTZ玻璃的光学部件及其制造方法公开(公告)号:KR1020150138170A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:KR1020157022805
申请日:2014-02-19
发明人: 퀸보도
CPC分类号: C03C3/06 , C03B19/1453 , C03B32/00 , C03B32/02 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2201/24 , C03C4/04 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2201/24 , C03C2203/54 , C03C2204/00 , G02B1/00 , G02B1/02 , Y02P40/57
摘要: 본발명은, 193 nm 의적용파장을갖는 ArF 엑시머레이저리소그래피프로세스에서의사용을위한합성석영유리로만들어지며, 실질적으로산소결함사이트가없는유리구조, 0.1 x 10molecule/cm내지 1.0 x 10molecule/cm범위의수소함량, 2 x 10molecule/cm미만의 SiH 기의함량, 및 0.1 과 100 wt. ppm 사이의범위의히드록실기의함량을포함하고, 상기유리구조가 1070℃미만의가상온도를갖는, 광학컴포넌트에관한것이다. 본발명의목적은 633 nm 의측정파장을이용하여압축거동의측정에기초한적용파장으로 UV 레이저방사선을이용할때 압축거동의신뢰적인예측을허용하는것이다. 이것은, 컴포넌트가, 펄스폭이 125 ns 이고 2000 Hz 의펄스반복주파수에서각각의에너지밀도가 500 μJ/cm인 5x10개펄스들을이용하여 193 nm 의파장을갖는방사선에의한조사에응답하여레이저유도굴절률변화를겪고, 상기변화는, 193 nm 의적용파장을이용한측정시제 1 측정값 M의합계를내고, 633 nm 의측정파장을이용하여측정시제 2 측정값 M의합계를내고, 여기서 M/M
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公开(公告)号:KR1020150064113A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:KR1020157010754
申请日:2013-03-01
CPC分类号: G02B1/02 , C09C1/28 , C09D5/004 , C30B7/00 , C30B29/16 , C30B29/54 , C30B29/60 , G02B5/223 , G02B5/26
摘要: 다수의콜로이드성결정또는콜로이드성결정의집합체를포함하되, 상기결정각각이콜로이드성어레이중의방사선반사입자및 결정내에분산된방사선흡수입자를포함하는, 방사선-산란조성물. 상기조성물은하나의파장대역내의방사선을실질적으로모든방향으로산란시키고방사선을흡수한다.
摘要翻译: 一种辐射散射组合物,其包含多个胶体晶体或胶体晶体的聚集体,每个所述晶体包括胶体阵列中的辐射反射颗粒和分散在晶体中的辐射吸收颗粒。 组合物在基本上所有方向上散射波长带中的辐射并吸收辐射。
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公开(公告)号:KR1020150024823A
公开(公告)日:2015-03-09
申请号:KR1020147033781
申请日:2013-06-27
CPC分类号: G02B5/208 , A01G9/1438 , C08K3/22 , C08K2003/2224 , C08K2201/016 , E04B1/78 , E04B2001/7691 , G02B1/02 , Y02A30/255 , Y02A40/252 , Y02B80/34 , Y02P60/148 , Y10T428/2982 , E04B1/76 , A01G9/14 , C08K3/20 , E04D1/28 , E06B5/00
摘要: 본 발명의 목적은 온도 상승의 원인인 적외선의 반사가 우수하고, 가시 광선에 대해서는 투과성이 우수한 차열재를 제공하는 것에 있다. 본 발명은 결정의 가로 폭이 1 ㎛ 이상이고, 또한 결정의 두께가 0.2 ㎛ 이하인 고에스펙트비 판상 결정 수산화마그네슘을 유효 성분으로 하는 차열재이다.
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39.광학 유리, 프레스 성형용 유리 소재, 광학 소자와 그들의 제조 방법 审中-实审
标题翻译: 光学玻璃,用于压制成型的玻璃材料,光学元件,用于制造用于压制成型的玻璃材料的方法,以及用于制造光学元件的方法公开(公告)号:KR1020150013262A
公开(公告)日:2015-02-04
申请号:KR1020147034517
申请日:2013-07-18
申请人: 호야 가부시키가이샤
摘要: 우수한 광학 특성과 함께 우수한 가공성을 갖는 플루오로인산 광학 유리, 및 상기 유리로 이루어지는 프레스 성형용 유리 소재 및 광학 소자, 그리고 그들의 제조 방법을 제공한다. 카티온 성분으로서 P
5+ , 아니온 성분으로서 O
2- , F
- 를 함유하는 광학 유리에 있어서, F
- 의 함유량이 40 아니온% 이하, 마모도 F
A 가 420 이상이며, 취성 지표값 B 가 4500 ㎛
-1/2 이하인 광학 유리.-
公开(公告)号:KR1020140146166A
公开(公告)日:2014-12-24
申请号:KR1020147030887
申请日:2013-04-04
申请人: 한 펑디
CPC分类号: G02F1/055 , B29D11/00932 , G02F1/0027 , G02F1/0136 , G02F1/05 , G02F1/21 , G02F1/3558 , G02F2001/212 , G02B1/02 , C30B29/30 , C30B29/32 , C30B33/04 , G02B1/04 , G02B1/045 , G02F1/03
摘要: 본 발명은 전기광학(EO) 결정소자, 그 적용 및 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게, 본 발명은 광범위한 변조, 통신, 레이저, 및 전기광학 산업 용도에서 초고 선형 EO 계수(γ
c ), 가령 1100 pm/V 보다 큰 횡유효 선형 EO 계수 및 527 pm/V까지의 종유효 선형 EO 계수를 나타내며, 이로 인해 200V 미만의 매우 낮은 반파전압(V
l ) 및 87V 미만의 매우 낮은 반파전압(V
T )을 나타내는 (도핑되거나 미도핑된 PMN-PT, PIN-PMN-PT 또는 PZN-PT 강유전체 결정으로 제조될 수 있는) EO 결정소자에 관한 것이다.摘要翻译: 本发明涉及电光(E-O)晶体元件,其应用及其制备方法。 更具体地,本发明涉及显示超高线性EO系数yc的EO晶体元件(其可以由掺杂或未掺杂的PMN-PT,PIN-PMN-PT或PZN-PT铁电晶体制成),例如, 横向有效线性EO系数yTc大于1100 pm / V,纵向有效线性EO系数ytc高达527 pm / V,这导致非常低的半波长电压Vtx低于200V,Vtx低于约87V,在广泛的调制 通信,激光和工业用途。
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