公开(公告)号：KR101905717B1

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：KR1020170027005

申请日：2017-03-02

申请人： 포항공과대학교 산학협력단

发明人： 정성준 ,  권지민

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/28 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78648 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/281 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0554 ,  H01L51/0558 ,  H03K19/0948 ,  H03K19/20 ,  H03K19/215

摘要： 기판, 기판상에위치하는제1 듀얼게이트박막트랜지스터; 상기제1 듀얼게이트트랜지스터상에위치하는제2 듀얼게이트박막트랜지스터; 및상기제2 듀얼게이트박막트랜지스터상에위치하는제3 듀얼게이트박막트랜지스터를포함하고, 상기제1 듀얼게이트박막트랜지스터, 제2 듀얼게이트박막트랜지스터및 제3 듀얼게이트박막트랜지스터는서로전기적으로연결되는삼차원적층구조의듀얼게이트박막트랜지스터논리회로에관한것으로, 본발명에따르면듀얼게이트박막트랜지스터여러층을삼차원으로적층하여듀얼게이트구조와박막트랜지스터의장점들을한꺼번에가져옴과동시에집적도를비약적으로향상시킬수 있으며, 또한, 하나의단위논리게이트가하나의트랜지스터면적에제작되어배선과회로설계가훨씬간단해지는효과가있다.

公开(公告)号：KR101898499B1

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：KR1020137006928

申请日：2011-08-19

申请人： 로디아 오퍼레이션스 ,  상뜨르 나쇼날 드 라 러쉐르쉬 샹띠피끄(씨엔알에스)

发明人： 바드르샹딸 ,  알세이드아흐메드 ,  휴로렌스

IPC分类号： C08J3/075 ,  H01B1/12 ,  C08L65/00 ,  H01M10/0565

CPC分类号： H01B1/127 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/794 ,  C08K5/3445 ,  C08L25/18 ,  C08L65/00 ,  H01B1/122 ,  H01B13/0026 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/5088 ,  H01L51/5206 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 중합체막, 중합체겔, 및중합체발포제각각은전기적전도성중합체및 이온액체를포함하고전자장치의성분으로서각각유용하다.

公开(公告)号：KR101894713B1

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：KR1020157012343

申请日：2013-09-18

申请人： 메르크 파텐트 게엠베하

发明人： 판쥔유 ,  엥겔마르틴 ,  쾨넨닐스 ,  루데망오렐리

IPC分类号： C09K11/06 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC分类号： H01L51/0035 ,  A61N5/0616 ,  A61N2005/0653 ,  A61N2005/0661 ,  C08F212/32 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1029 ,  C09K2211/1092 ,  C09K2211/1408 ,  C09K2211/1416 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/005 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0055 ,  H01L51/0056 ,  H01L51/0065 ,  H01L51/0067 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/5004 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5096 ,  H01L2251/5384 ,  H01L2251/552 ,  H05B33/10

摘要： 본발명은폴리머들, 전계발광디바이스들, 조성물들및 그용도에관한것이다.

公开(公告)号：KR101884496B1

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：KR1020137032237

申请日：2012-04-14

申请人： 메르크 파텐트 게엠베하

发明人： 몬테네그로엘비라 ,  뷔징아르네 ,  포게스프랑크 ,  플룸크리슈토프

IPC分类号： C07D409/04 ,  C07D405/04 ,  C09K11/06 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C07D219/04 ,  C07D221/20 ,  C07D265/38 ,  C07D405/04 ,  C07D409/04 ,  C07D413/04 ,  C09B57/00 ,  C09B57/10 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/0073 ,  H01L51/0074 ,  H01L51/0085 ,  H01L51/0087 ,  Y02E10/549

摘要： 본발명은화학식 (I) 의화합물, 전자소자에서이러한화합물의용도, 및화학식 (I) 의화합물을포함하는전자소자에관한것이다. 또한, 본발명은화학식 (I) 의화합물의제조및 화학식 (I) 의화합물을하나이상포함하는제형에관한것이다.

公开(公告)号：KR101876436B1

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：KR1020160134181

申请日：2016-10-17

申请人： 숭실대학교산학협력단

发明人： 김도환 ,  강문성 ,  박상식 ,  공석환

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/5203 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5032 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5338

摘要： 본발명은신축성있는발광소자에관한것으로, 본발명의일 측면에따른발광소자는발광성물질, 이온성물질, 및고분자매트릭스를포함하는활성층을포함한다. 이때, 활성층은압축및 신장가능하며, 압력또는신장률에따라발광세기가변화한다.

公开(公告)号：KR101876112B1

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：KR1020167030104

申请日：2015-03-27

申请人： 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤

发明人： 미에다데쓰야 ,  이시구로구니히코

IPC分类号： C08L23/22 ,  C08L21/00 ,  C08L45/00 ,  H01L27/32 ,  H01L51/52 ,  C08L53/02 ,  C08K3/22 ,  C08K5/56

CPC分类号： H01L51/5253 ,  C08L9/02 ,  C08L9/06 ,  C08L23/22 ,  C08L45/00 ,  C08L53/02 ,  C08L2205/03 ,  C09D109/02 ,  C09D109/06 ,  C09D123/22 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004

摘要： 폴리이소부틸렌수지(A)와, 수소첨가환상올레핀수지(B)와, 라디칼중합, 음이온중합, 혹은배위중합의어느하나에의해서얻어지는, 고무탄성을나타내는중합체(C)를함유하는것을특징으로하는유기전자디바이스소자밀봉용수지조성물, 이것을이용한수지시트, 유기일렉트로루미네센스소자, 및화상표시장치.

公开(公告)号：KR20180071277A

公开(公告)日：2018-06-27

申请号：KR20187012081

申请日：2016-09-29

申请人： DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC ,  ROHM & HAAS ELECT MATERIALS

发明人： LIU CHUN ,  TREFONAS III PETER ,  MUKHOPADHYAY SUKRIT ,  SPENCER LIAM P ,  DEVORE DAVID D ,  INMAN ASHLEY

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L51/0007 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/004 ,  H01L51/006 ,  H01L51/0072

摘要： 유기전하수송막을제조하는데유용한단일상 액체제형으로서; 상기제형은: (a) 5,000 미만의 M를갖는제1 폴리머수지; (b) 적어도 7,000의 M를갖는제2 폴리머수지; (c) 50 내지 165℃의비점을갖는제1 용매; 및 (d) 180 내지 300℃의비점을갖는제2 용매를포함한다.

公开(公告)号：KR20180066017A

公开(公告)日：2018-06-18

申请号：KR20180066930

申请日：2018-06-11

申请人： SAMSUNG SDI CO LTD

发明人： JUNG HO KUK ,  KANG GI WOOK ,  KANG EUI SU ,  KIM BYUNG KU ,  KIM YOUNG KWON ,  KIM HUN ,  YU EUN SUN ,  LEE SANG SHIN ,  JUNG SUNG HYUN ,  CHO PYEONG SEOK

IPC分类号： C09K11/06 ,  C07D251/12 ,  H01L51/00

CPC分类号： C09K11/06 ,  C07D251/12 ,  H01L51/0035

摘要： 화학식 1로표현되는적어도 1종의제1 화합물, 화학식 2로표현되는화합물, 및화학식 3으로표현되는모이어티와화학식 4로표현되는모이어티의조합으로이루어진화합물중 적어도 1종의제2 화합물, 및화학식 5로표현되는적어도 1종의제3 화합물을포함하는유기광전자소자용조성물, 이를포함하는유기광전자소자및 상기유기광전자소자를포함하는표시장치에관한것이다. 화학식 1 내지 5는명세서에기재한바와같다.

公开(公告)号：KR20180059363A

公开(公告)日：2018-06-04

申请号：KR20170156712

申请日：2017-11-22

IPC分类号： C09K11/06 ,  C08L25/14 ,  C08L33/08 ,  C08L33/14 ,  C08L35/06 ,  C08L101/00 ,  G02F1/13 ,  H01L33/06 ,  H01L51/00 ,  H01L51/50 ,  H01L51/56

CPC分类号： C09K11/025 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C09K11/02 ,  C09K11/06 ,  C09K11/703 ,  C09K11/883 ,  C09K2211/188 ,  G02B6/005 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0092 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/502 ,  H01L51/5056 ,  H01L51/5088 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/783 ,  Y10S977/818 ,  Y10S977/824 ,  Y10S977/892 ,  Y10S977/896 ,  Y10S977/95

摘要： 반도체나노결정및 상기반도체나노결정의표면에결합하는리간드를포함하되, 상기리간드는티올계유기리간드또는이의염과 Zn, In, Ga, Mg, Ca, Sc, Sn, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Sr, Y, Zr, Nb, Mo, Ba, Au, Hg, Tl 및이들의조합에서선택되는금속을포함하는다가금속화합물을포함하는양자점을포함하는발광소자및 표시장치가제공된다.

公开(公告)号：KR101843550B1

公开(公告)日：2018-05-14

申请号：KR1020120001644

申请日：2012-01-05

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 박정일 ,  이방린 ,  정종원

IPC分类号： C07D513/04 ,  C07D495/04 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  C09B57/00 ,  C08G61/12

CPC分类号： C07D495/04 ,  C07D513/04 ,  C08G61/123 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/124 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/3246 ,  C08G2261/414 ,  C08G2261/51 ,  C08G2261/92 ,  C09B57/001 ,  C09B69/109 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0068 ,  H01L51/0071 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558

摘要： 하기화학식 1로표시되는유기반도체화합물및 이를중합하여얻어지는유기반도체고분자를제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서각 치환기의정의는명세서에정의된바와같다.