公开(公告)号：KR1020090007283A

公开(公告)日：2009-01-16

申请号：KR1020087020860

申请日：2007-02-27

申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤

发明人： 시마다타케시 ,  토지카즈야

IPC分类号： C04B35/46 ,  H01C7/02

CPC分类号： H01C7/025 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/62818 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/608 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/9661

摘要： A semiconductor ceramic composition that does not contain Pb, being capable of not only shifting of the Curie temperature toward the positive direction but also controlling of room temperature specific resistance, and that exhibits excellent jump characteristics. There is provided a semiconductor ceramic composition having portion of the Ba of BaTiO3 replaced by Bi-Na, which semiconductor ceramic composition contains crystals wherein within crystal grains, the composition of center portion is different from that of outer shell portion. The semiconductor ceramic composition realizes controlling of room temperature specific resistance and enhancing of jump characteristics, so that it is most suitable for use in a PTC thermistor, PTC heater, PTC switch, temperature detector, etc.

摘要翻译： 不含Pb的半导体陶瓷组合物不仅能够朝向正方向移动居里温度，而且能够控制室温电阻率，并且具有优异的跳跃特性。 提供了一种半导体陶瓷组合物，其中BaTiO 3的Ba部分被Bi-Na替代，该半导体陶瓷组合物含有晶体，其中在晶粒内部，中心部分的组成与外壳部分的组成不同。 半导体陶瓷组合物实现了室温电阻率的控制和跳跃特性的提高，因此最适用于PTC热敏电阻，PTC加热器，PTC开关，温度检测器等。

公开(公告)号：KR1020080105152A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：KR1020087024611

申请日：2007-02-15

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 기쿠치요시오 ,  가와사키신지

IPC分类号： C04B38/00 ,  C04B35/565 ,  B01D39/20

CPC分类号： C04B38/0038 ,  B01D39/2075 ,  C04B35/565 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/62813 ,  C04B35/6316 ,  C04B2111/00793 ,  C04B2111/0081 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2235/9615 ,  C04B2235/9684 ,  Y10T428/24149 ,  Y10T428/249969 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0058 ,  C04B38/0074

摘要： A porous object which comprises silicon carbide particles as an aggregate and silicon metal as a binder, the particles being bonded to one another with the binder so as to have pores thereamong, characterized in that the surface of the silicon metal is selectively coated with a phase comprising alumina (high-melting compound). This porous object is produced by adding aluminum metal or an alloy comprising silicon metal and aluminum metal to raw materials comprising silicon carbide and silicon metal, mixing them, burning the mixture in an inert gas atmosphere or a reduced-pressure atmosphere, and then oxidizing and burning it in an oxygen atmosphere. ® KIPO & WIPO 2009

摘要翻译： 一种多孔物体，其包含作为骨料的碳化硅颗粒和作为粘合剂的硅金属，所述颗粒通过粘合剂彼此粘合以具有以下孔，其特征在于，所述硅金属的表面选择性地涂覆有相 包括氧化铝（高熔点化合物）。 该多孔物体是通过将铝金属或包含硅金属和铝金属的合金添加到包含碳化硅和硅金属的原料中混合，将其混合在惰性气体气氛或减压气氛中进行燃烧，然后氧化和 在氧气氛中燃烧。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020080088370A

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：KR1020080015675

申请日：2008-02-21

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 노나카,토모아키 ,  사사키,히로시 ,  오다시마,쓰토무 ,  타카이시,테츠오 ,  하라다,타카히로

IPC分类号： C04B35/03 ,  C04B35/46 ,  C04B35/48 ,  C04B111/90

CPC分类号： C04B35/6264 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

摘要： A method for preparing a dielectric ceramic composition is provided to produce the dielectric ceramic composition which is improved in break-down voltage and life characteristics while retaining good electrical characteristics such as relative permittivity, dielectric loss, and capacity temperature characteristics. A method for preparing a dielectric ceramic composition having at least a main component containing a dielectric oxide having a perovskite type crystal structure represented by the formula of ABO3(wherein, A is at least one element selected from Ba, Ca, Sr, and Mg, and B is at least one element selected from Ti, Zr, and Hf), includes the steps of: preparing the main component raw material containing the dielectric oxide represented by the ABO3; preparing a sub-component raw material containing a composite oxide represented by M4R6O(SiO4)6, wherein M is at least one selected from Ca and Sr, and R is at least one selected from Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu; mixing the main component raw material with the sub-component raw material to obtain a dielectric ceramic composition raw material; and firing the dielectric ceramic composition raw material.

摘要翻译： 提供一种制备电介质陶瓷组合物的方法，以制造在耐电压和寿命特性方面得到改善的电介质陶瓷组合物，同时保持诸如相对介电常数，介电损耗和容量温度特性的良好的电特性。 一种制备电介质陶瓷组合物的方法，所述介电陶瓷组合物至少具有包含具有由式ABO 3表示的钙钛矿型晶体结构的电介质氧化物的主要成分（其中，A为选自Ba，Ca，Sr和Mg中的至少一种元素， 和B是选自Ti，Zr和Hf中的至少一种元素），包括以下步骤：制备含有由ABO 3表示的电介质氧化物的主要成分原料; 制备含有由M4R6O（SiO4）6表示的复合氧化物的亚成分原料，其中M为选自Ca和Sr中的至少一种，R为选自Sc，Y，La，Ce，Pr，Nd中的至少一种 ，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu; 将主成分原料与副成分原料混合，得到电介质陶瓷组合物原料; 并烧制介电陶瓷组合物原料。

公开(公告)号：KR1020080074851A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：KR1020087003363

申请日：2006-08-09

申请人： 더 유니버시티 오브 휴스턴 시스템

发明人： 제이콥슨앨런제이. ,  왕솽옌 ,  김근태

IPC分类号： H01M4/86 ,  H01M8/10 ,  C04B35/01

CPC分类号： C04B35/016 ,  B01D53/228 ,  B01D71/024 ,  B01D2256/12 ,  C01B13/0255 ,  C01G49/009 ,  C01G51/68 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2002/78 ,  C01P2004/32 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C04B35/2641 ,  C04B35/50 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  H01M4/9033 ,  H01M2008/1293

摘要： Novel cathode, electrolyte and oxygen separation materials are disclosed that operate at intermediate temperatures for use in solid oxide fuel cells and ion transport membranes based on oxides with perovskite related structures and an ordered arrangement of A site cations. The materials have significantly faster oxygen kinetics than in corresponding disordered perovskites.

摘要翻译： 公开了新型阴极，电解质和氧分离材料，其在中等温度下操作，用于基于具有钙钛矿相关结构的氧化物和A位阳离子的有序排列的固体氧化物燃料电池和离子迁移膜。 与相应的无序钙钛矿相比，这些材料具有显着更快的氧动力学。

公开(公告)号：KR100832377B1

公开(公告)日：2008-05-26

申请号：KR1020070020368

申请日：2007-02-28

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 하라하루야 ,  와타나베야스오 ,  사토아키라

IPC分类号： C04B35/46 ,  C04B35/468 ,  C04B111/90

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

摘要： 적층 세라믹 전자부품에서, 절연성과 고온부하시의 내구성의 개선을 도모하여, 신뢰성이 높은 적층 세라믹 전자부품을 제공한다.
도전체 세라믹층과 내부도전층이 번갈아 적층된 적층 세라믹 전자부품에서, 내부 전극층을 형성하기 위한 도전 페이스트에 첨가하는 세라믹 분말로서, 페로브스카이트형 결정구조를 갖고, 테트라고날상의 함유량 Wt와 큐빅상의 함유량 Wc의 중량비율 Wt/Wc이 2 이상인 세라믹 분말을 사용한다. 테트라고날상과 큐빅상의 중량비율 Wt/Wc는 리트벨트법에 의한 다상 해석에 의해 구한다. 세라믹 분말은 예를 들면 티탄산 바륨 분말이다.
유전체 세라믹층, 내부전극층, 세라믹 분말, 페로브스카이트형 결정구조, 테트라고날상, 큐빅상, 중량비율, 리트벨트법, 비표면적, 유전체 페이스트

公开(公告)号：KR100822178B1

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：KR1020077002829

申请日：2006-04-13

申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼

发明人： 사사바야시타케히사 ,  이시하라마사유키 ,  나카무라토모유키 ,  사노하루노부

IPC分类号： H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  C04B35/468

CPC分类号： C04B35/62675 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62815 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

摘要： 본 발명은 유전율이 5500 이상으로 높고, 또한 유전율 온도특성이 양호한 유전체 세라믹을 제공하며, 소형 대용량이고 정전용량 온도특성이 X5R특성을 만족하는 적층 세라믹 커패시터를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, BaTiO
3 계 또는 (Ba,Ca)TiO
3 계의 주성분과, 희토류 원소와 Cu를 포함하는 첨가성분을 포함하는 조성을 가지며, 또한 결정입자(21)와 결정입자(21)간을 차지하는 입계(粒界; 22)로 이루어지는 구조를 갖는 유전체 세라믹에 있어서, 입계(22)에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도의, 결정입자의 내부에 있어서의 희토류 원소의 평균 농도에 대한 몰비가 2 미만이고, 유전체 세라믹 단면에 있어서, 결정입자(21) 중의 55∼85%의 개수의 제1의 결정입자(21A)에 대해서는 희토류 원소가 존재하는 영역이 90% 이상이며, 결정입자(21) 중의 15%∼45%의 개수의 제2의 결정입자(21B)에 대해서는 희토류 원소가 존재하는 영역이 10% 미만이다.
적층 세라믹 커패시터, 세라믹 적층체, 결정입자, 입계, 희토류 원소

公开(公告)号：KR1020080017344A

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：KR1020077028800

申请日：2006-05-24

申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼

发明人： 무토카즈오 ,  나카무라토모유키 ,  사노하루노부

IPC分类号： C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC分类号： H01G4/1227 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3277 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/30

摘要： This invention provides a dielectric ceramic composed mainly of a compound represented by general formula: (Ba1-tCat) m(Ti1-u-xZruCux)O3 wherein 0.96

摘要翻译： 本发明提供一种主要由通式（Ba1-tCat）m（Ti1-u-xZruCux）O3表示的化合物组成的介电陶瓷，其中0.96 <= m <= 1.02，0.001 <= x <= 0.03,0 < t <= 0.1，0 <= u <= 0.06。 特定的稀土元素Re如Dy，特定的金属元素M如Mn，还有Mg和Si。 Cu以构成主成分的主相粒子均匀分布的状态存在。 基于100重量份主成分的各辅助成分的含量为Re：0.1〜1.5摩尔份，M：0.1〜0.6份摩尔，Mg：0.1〜1.5摩尔份，Si：0.1〜2.0 分数份 上述结构可以实现具有高介电常数，具有良好的温度特性，高度可靠性的层叠陶瓷电容器，并且随着时间的推移不会导致静电电容的显着变化。

公开(公告)号：KR1020080012855A

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：KR1020077024691

申请日：2006-04-28

申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤

发明人： 시마다타케시 ,  테라오코이치 ,  토지카즈야

IPC分类号： C04B35/468 ,  H01C7/02

CPC分类号： C04B35/4682 ,  C01G23/006 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62635 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3234 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/96 ,  H01C7/025 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/1227

摘要： [PROBLEMS] To provide a semiconductor porcelain composition having the Ba of BaTiO3 partially replaced by Bi-Na so as to be able to suppress evaporation of Bi during calcining operation, suppress hetero-phase formation through prevention of Bi-Na composition deviance, lower resistivity at room temperature and suppress fluctuation of Curie temperature, and provide a relevant process for producing the same. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] (BaQ)TiO3 (Q is a semiconducting element) calcined powder and (BiNa)TiO3 calcined powder are separately provided. (BaQ)TiO3 composition and (BiNa)TiO 3 composition are calcined at optimum temperatures suiting the respective compositions, at relatively high temperature for the former and relatively low temperature for the latter. Thus, evaporation of Bi can be suppressed, and Bi-Na composition deviance can be prevented to thereby suppress any hetero-phase formation. Further, through mixing of the calcined powders and subsequent molding/sintering, there can be obtained a semiconductor porcelain composition that is low in resistivity at room temperature and realizes suppressing of Curie temperature fluctuation.

摘要翻译： [问题]为了提供具有部分被Bi-Na替代的BaTiO 3 Ba的半导体瓷组合物，以便能够抑制煅烧操作中Bi的蒸发，通过防止Bi-Na组成偏差来抑制异相形成，降低电阻率 在室温下抑制居里温度的波动，并提供相关的生产方法。 分别提供了用于解决问题的方法（BaQ）TiO 3（Q为半导体元素）煅烧粉末和（BiNa）TiO 3煅烧粉末。 （BaQ）TiO 3组合物和（BiNa）TiO 3组合物在适合各组合物的最佳温度下煅烧，在相对高的温度下煅烧，而后者的相对较低的温度。 因此，可以抑制Bi的蒸发，并且可以防止Bi-Na组成偏差，从而抑制任何异相形成。 此外，通过混合煅烧粉末和随后的模塑/烧结，可以获得在室温下电阻率低的半导体瓷组合物，并实现居里温度波动的抑制。

公开(公告)号：KR1020070118556A

公开(公告)日：2007-12-17

申请号：KR1020070057296

申请日：2007-06-12

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 야나기다미유키 ,  사토아키라

IPC分类号： H01B3/10

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  H01G4/30

摘要： A method for preparing a dielectric ceramic composition is provided to form a thin film-like dielectric layer comprising various main ingredients and having a high relative permittivity and a desired temperature coefficient of capacitance, thereby imparting improved reliability to an electronic part such as a multi-layer ceramic condenser. A method for preparing a dielectric ceramic composition comprising a main ingredient containing a compound having a perovskite type crystal structure and represented by the formula of ABO3(wherein A is Ba alone or in combination with Ca, and B is Ti alone or in combination with Zr) and a fourth side ingredient containing an oxide of R(wherein R is at least one selected from Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu), comprises the steps of: dividing the starting materials of the main ingredient into a first part and a second part; preliminarily reacting the first part of the starting materials for the main ingredient with a part of the starting materials for the fourth side ingredient to be included in the dielectric ceramic composition to obtain reacted materials; and adding the second part of the starting materials for the main ingredient and the remaining part of the starting materials for the fourth side ingredient to be included in the dielectric ceramic composition to the reacted materials. When the mole number of the first part is n1 and the mole number of the second part is n2, the ratio of the first part to the combined mole number of the first part and the second part, i.e. n1/(n1+n2), ranges from 0.5 to 1.

摘要翻译： 提供一种制备电介质陶瓷组合物的方法，以形成包含各种主要成分并且具有高的相对介电常数和所需的电容温度系数的薄膜状电介质层，从而赋予电子部件（例如， 层陶瓷冷凝器。 一种电介质陶瓷组合物的制备方法，其包含含有具有钙钛矿型结晶结构并由式ABO 3表示的化合物的主成分（其中A为单独的Ba或与Ca组合，B为单独的Ti或与Zr的组合 ）和含有R（其中R为选自Y，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb中的至少一种的氧化物的第四副成分） Lu）包括以下步骤：将主要成分的起始材料分成第一部分和第二部分; 使主成分的起始原料的第一部分与要包含在电介质陶瓷组合物中的第四副成分的起始原料的一部分反应以获得反应的材料; 并将第二部分的原料和用于待包括在电介质陶瓷组合物中的第四副成分的起始材料的剩余部分添加到反应材料中。 当第一部分的摩尔数为n1且第二部分的摩尔数为n2时，第一部分与第一部分和第二部分的组合摩尔数的比率即n1 /（n1 + n2）， 范围从0.5到1。

公开(公告)号：KR1020070118551A

公开(公告)日：2007-12-17

申请号：KR1020070057153

申请日：2007-06-12

申请人： 티디케이가부시기가이샤

发明人： 야나기다미유키 ,  사토아키라

IPC分类号： H01B3/10

CPC分类号： H01G4/1227 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3248 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  H01G4/30

摘要： A method for preparing a dielectric ceramic composition is provided to form a thin film-like dielectric layer having a high relative permittivity and a desired temperature coefficient of capacitance. A dielectric ceramic composition comprising a main ingredient containing a compound having a perovskite type crystal structure and represented by the formula of (Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3(wherein each of x and y ranges from 0 to 0.2) and a fourth side ingredient containing an oxide of R(wherein R is at least one selected from Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu). A method for preparing a dielectric ceramic composition comprises the steps of: preliminarily reacting the starting materials for the main ingredient with a part of the starting materials for the fourth side ingredient to be included in the dielectric ceramic composition to obtain reacted materials; and adding the remaining starting materials for the fourth side ingredient to be included in the dielectric ceramic composition to the reacted materials.

摘要翻译： 提供一种制备介电陶瓷组合物的方法，以形成具有高相对介电常数和所需的电容温度系数的薄膜状电介质层。 一种电介质陶瓷组合物，其包含含有钙钛矿型晶体结构并由式（Ba1-xCax）（Ti1-yZry）O3（其中x和y各自为0至0.2）表示的化合物的主成分和第四 （其中R为选自Y，La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu中的至少一种）的氧化物的侧面成分。 一种制备电介质陶瓷组合物的方法，包括以下步骤：将主成分的起始材料与待包括在电介质陶瓷组合物中的第四副成分的起始材料的一部分反应以获得反应的材料; 并将待包括在电介质陶瓷组合物中的第四侧成分的剩余起始材料加入到反应材料中。