-
公开(公告)号:KR101904269B1
公开(公告)日:2018-10-05
申请号:KR1020137017240
申请日:2011-11-21
申请人: 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드
发明人: 크뤽생크,데이비드,보위 , 힐,마이클,디.
CPC分类号: H01F10/24 , C04B35/26 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/764 , C30B29/28
摘要: 여기에개시된실시예들은물질의자성에악영향을미치지않고가닛(garnets)에서이트륨(Yttrium) 또는기타희토류금속을줄이거나제거하기위해 RF 애플리케이션에서사용된합성가닛(synthetic garnets)을개질하는방법을포함한다. 일부실시예는 12면체사이트에서이트륨의일부를비스무트로치환하고, 8면체와 4면체사이트에하나이상의높은원자가이온을도입하는것을포함한다. 또한, 높은원자가이온에의해유도된원자가보상을위해 12면체사이트에칼슘이추가될수 있어, 마이크로파디바이스가닛에서이트륨(Y)의전부또는대부분을효과적으로치환할수 있다. 치환된이트륨(Y)을갖는개질된합성가닛은서큘레이터, 아이솔레이터및 공명기와같은다양한마이크로파자기디바이스에서사용될수 있다.
-
公开(公告)号:KR20180008648A
公开(公告)日:2018-01-24
申请号:KR20177036056
申请日:2016-08-02
申请人: FERRO CORP
发明人: SYMES WALTER J JR
CPC分类号: C04B35/01 , B32B18/00 , C03B19/06 , C03C4/14 , C03C8/20 , C03C10/00 , C03C10/0054 , C03C2204/00 , C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/6264 , C04B35/62695 , C04B35/63 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3265 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6584 , C04B2235/96 , C04B2237/34 , C04B2237/346 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , H03H1/0007 , H03H3/00 , H05K1/0306
摘要: 전자장치가, 소성시, 바륨-티타늄-텅스텐-실리콘산화물을포함하는유전체물질을형성하는전구체물질의혼합물을포함하는유전체조성물로부터제조된다.
摘要翻译: 电子器件由包含前体材料混合物的介电组合物制成,所述前体材料在烧制时形成包含钡 - 钛 - 钨 - 硅氧化物的介电材料。
-
公开(公告)号:KR20180001463A
公开(公告)日:2018-01-04
申请号:KR20170077858
申请日:2017-06-20
IPC分类号: H01G4/12 , C04B35/465 , H01G4/30
CPC分类号: H01G4/30 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/5296 , C04B2235/5409 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , H01G4/1218
摘要: 유전체층의수명특성을향상시키면서누설전류를억제할수 있는적층세라믹콘덴서, 세라믹분말, 및그들의제조방법을제공한다. 적층세라믹콘덴서는, 세라믹유전체층과내부전극층이교대로적층된적층체를구비하는적층세라믹콘덴서이며, 세라믹유전체층은, Ti보다도가수가큰 도너원소, 그리고 Ti보다도가수가작고 Ti 및도너원소보다도이온반경이큰 억셉터원소를고용하는티타늄산바륨을주성분으로하고, 티타늄산바륨에대한도너원소의고용량은, 티타늄산바륨을 100㏖로한 경우에도너원소를산화물로환산하여 0.05㏖이상 0.3㏖이하이고, 티타늄산바륨에대한억셉터원소의고용량은, 티타늄산바륨을 100㏖로한 경우에억셉터원소를산화물로환산하여 0.02㏖이상 0.2㏖이하이다.
摘要翻译: 一种多层陶瓷电容器,包括:多层结构,其中陶瓷电介质层和内部电极层交替堆叠,其中:所述陶瓷电介质层的主要成分是钛酸钡,其中具有大于Ti的供体元素被固溶 以及受主元素,其具有小于Ti的价态和大于Ti的离子半径,并且供体元素被固溶; 假定钛酸钡的量为100摩尔且给体元素转化成氧化物时,供体元素的固溶量为0.05摩尔或更多且0.3摩尔或更少; 假定钛酸钡的量为100摩尔并且受体元素转化为氧化物时,接受器元件的固溶量为0.02摩尔以上且0.2摩尔以下。
-
公开(公告)号:KR1020170133399A
公开(公告)日:2017-12-05
申请号:KR1020177030727
申请日:2016-03-31
CPC分类号: B01J35/002 , B01D53/9418 , B01D53/944 , B01D53/945 , B01D2255/2025 , B01D2255/2042 , B01D2255/2045 , B01D2255/20707 , B01D2255/20723 , B01D2255/30 , B01D2255/65 , B01D2255/91 , B01D2255/912 , B01D2258/01 , B01J21/063 , B01J21/16 , B01J23/22 , B01J23/30 , B01J27/053 , B01J29/06 , B01J35/0006 , B01J35/04 , C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/82 , C04B38/0006 , C04B2111/00793 , C04B2111/0081 , C04B2235/3203 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3258 , C04B2235/3472 , C04B2235/3481 , C04B2235/349 , C04B2235/446 , C04B2235/448 , C04B2235/6021 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C04B2235/9615 , F01N3/2828 , F01N2330/06 , F01N2350/02 , F01N2350/04 , F01N2370/04 , F01N2510/06 , Y02T10/22
摘要: 벌집형몸체를포함하는배기가스정화용벌집형촉매로서, 여기서벌집형몸체는, 오염물트랩으로서작용하고/거나베이스금속을포함하는촉매활성시스템을기재로하는촉매활성분획을갖는분획; 및촉매비활성분획을포함하며, 여기서촉매비활성분획은벌집형몸체의열 유도된수축을감소시키기위한적어도 1종의열 안정적인황산염또는황화물성분을포함하는것인벌집형촉매가개시된다.
摘要翻译: 1。一种用于净化废气的蜂窝状催化剂,其包含蜂窝体,其中所述蜂窝体包含具有催化活性部分的部分,所述催化活性部分基于充当污染物捕集器和/或含有贱金属的催化活性体系; 和催化剂非活性部分,其中催化剂非活性部分包含至少一种热稳定的硫酸盐或硫化物组分,用于减少蜂窝体的热诱发收缩。
-
公开(公告)号:KR101759700B1
公开(公告)日:2017-07-20
申请号:KR1020170044199
申请日:2017-04-05
申请人: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
IPC分类号: C23C14/08 , C23C14/34 , C23C30/00 , H01L31/0224 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01B1/08
CPC分类号: H01B1/08 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/608 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/9646 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C30/005 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/0749 , H01L31/1884 , Y02E10/541
摘要: 본발명의산화물증착재는산화인듐을주성분으로하고, Ce/In 원자수비로 0.001∼0.110의세륨을포함하는소결체에의해구성되며, CIE 1976 표색계에서의 L값이 62∼95인것을특징으로한다. L값이 62∼95인상기산화물증착재는최적의산소량을가지기때문에, 성막진공조로의산소가스도입량이적어도저저항이고가시역부터근적외역에서의고투과성의투명도전막을진공증착법으로제조할수 있고, 산소가스의도입량이적기때문에막과증착재와의조성차를작게할 수있고, 양산시의막 조성의변동이나특성의변동도저감하는것이가능하게된다.
-
公开(公告)号:KR101696859B1
公开(公告)日:2017-01-16
申请号:KR1020127002485
申请日:2010-07-29
申请人: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/645 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
摘要: 본발명은청색 LED나태양전지에적절한투명도전막의고속성막및 스플래쉬가덜한(splash-less) 성막을실현할수 있는이온도금용태블릿, 그것을얻기위해서최적인산화물소결물체와그 제조방법에관한것이다. 산화물로서인듐과세륨을함유하며세륨의함유량이 Ce / (In+Ce) 원자수비로 0.3 ~ 9 원자%인산화물소결물체(oxide sintered body)를가공하여얻어진이온도금용태블릿(tablet)이며, 상기산화물소결물체는, 빅스바이트(bixbyite)형구조의 InO상이주요결정상이고, 제 2 상으로서형석(fluorite)형구조의 CeO상이평균입경 3 m 이하의결정립(crystal grains)으로미세하게분산되어있으며; 산화물소결물체는평균입경 1.5 m 이하의산화인듐분말로이루어진원료분말을혼합한후, 혼합분말을성형하여, 성형물을상압소결법에따라소결한하거나, 또는혼합분말을핫 프레스법에따라성형하여소결하여제조한다.
摘要翻译: 能够实现适合于蓝色LED或太阳能电池的透明导电膜的高速成膜,无节点成膜,最适合于获得该氧化物烧结体的溅射靶和制造方法 它们。 包含氧化铟和氧化铈的氧化物烧结体,并且还包含作为氧化物的一种或多种选自钛,锆,铪,钼和钨的金属元素组中的一种或多种金属元素(M元素) 其中铈含量为0.3〜9原子%,作为Ce /(In + Ce + M)的原子数比,M元素含量为1原子%以下,原子比为M / (In + Ce + M),并且铈和M元素的总含量等于或低于9原子%,作为(Ce + M)/(In + Ce + M)的原子数比,其特征在于 所述氧化物烧结体具有作为主晶相的二氧化物结构的In 2 O 3相,具有以平均粒径为3以下的晶粒微细分散的萤石型结构的CeO 2相 μm,作为第二相; 通过混合氧化铟粉末和氧化铈粉末得到的氧化物烧结体的制造方法以及含有M元素的氧化物粉末的平均粒径等于或小于1.5μm的原料粉末,然后将该混合粉末 ,并通过常压烧结法烧结成型体,或者通过热压法成型和烧结混合粉末等。
-
公开(公告)号:KR101671543B1
公开(公告)日:2016-11-01
申请号:KR1020117011379
申请日:2009-11-09
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
IPC分类号: C04B35/457 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC分类号: C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/6586 , C04B2235/661 , C04B2235/76 , C04B2235/761 , C04B2235/764 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要: (a) Zn, Sn 및 In을포함하는원료화합물분말을혼합하여혼합물을조제하는공정, (b) 상기혼합물을성형하여성형체를조제하는공정, (c) 상기성형체를 1000℃이상 1300℃미만에서 0시간이상소결하는공정, 및 (d) 상기소결한성형체를추가로 1300℃이상 1500℃미만에서 2시간이상소결하는공정을포함하는, 산화물소결체의제조방법.
-
公开(公告)号:KR101658256B1
公开(公告)日:2016-09-20
申请号:KR1020117013690
申请日:2009-12-03
申请人: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/22 , H01L29/24 , H01L21/02
CPC分类号: H01L29/7869 , C04B35/453 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62695 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6585 , C04B2235/661 , C04B2235/664 , C04B2235/721 , C04B2235/722 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/775 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C04B2235/9661 , C23C14/086 , C23C14/3414
摘要: 상동결정구조의 InGaZnO을포함하고, 소결체밀도가상대밀도로 90% 이상이며, 평균결정입경이 10μm 이하인복합산화물소결체.
-
公开(公告)号:KR1020160065896A
公开(公告)日:2016-06-09
申请号:KR1020167010740
申请日:2014-10-07
申请人: 콴텀스케이프 코포레이션
IPC分类号: H01M10/0562 , H01M10/0585 , H01M10/0525 , C04B35/626 , C04B35/65
CPC分类号: H01M10/0562 , C01G25/006 , C01P2006/40 , C04B35/117 , C04B35/486 , C04B35/4885 , C04B35/495 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/64 , C04B35/645 , C04B35/65 , C04B41/009 , C04B41/5027 , C04B2235/3203 , C04B2235/3205 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3255 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3294 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/661 , C04B2235/666 , C04B2235/764 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/056 , H01M10/0561 , H01M10/0585 , H01M2300/0071 , H01M2300/0091
摘要: 본원에는고체전지응용에서전해질및 음극전해질로사용하기에적합한가넷물질조성물, 예를들어, 리튬-함유가넷및 알루미나로도핑된리튬-함유가넷이개시된다. 또한, 본원에는그 안에미립자를갖는리튬-함유가넷박막이개시된다. 본원에는완전고체리튬재충전전지용음극전해질, 전해질및/또는양극전해질로서리튬-함유가넷을제조하고사용하는신규하고진보적인방법이개시된다. 본원에는또한, 이들가넷음극전해질, 전해질및/또는양극전해질을포함하는신규전기화학적디바이스가개시된다. 본원에는또한, 전기화학적디바이스, 전지구성요소(양극또는음극물질), 또는완전고체전기화학적에너지저장디바이스에서음극전해질, 전해질, 및, 또는양극전해질로사용하기위한이온적으로전도성인물질의치밀하고얇은(
摘要翻译: 这里列出的是石榴石材料组合物,例如锂填充石榴石和掺有氧化铝的锂填充石榴石,其适合用作固态电池应用中的电解质和阴极电解液。 这里也列出了其中具有细颗粒的锂填充石榴石薄膜。 本文公开了制造和使用锂填充石榴石作为所有固态锂可再充电电池的阴极电解质,电解质和/或阳极电解液的新颖和创造性的方法。 本文还公开了包含这些石榴石阴极电解质,电解质和/或阳极电解液的新型电化学装置。 本文还阐述了制备新型结构的方法,包括用作阴极电解液,电解质和/或阳极电解质的离子导电材料的致密薄(<50um)自立膜,在电化学装置中,电池组分( 正极或负极材料)或完整的固态电化学储能装置。 此外,本文所述的方法公开了用于固态储能装置及其组件的新型烧结技术,例如用于加热和/或场辅助(FAST)烧结。
-
10.
公开(公告)号:KR101596211B1
公开(公告)日:2016-02-22
申请号:KR1020157005168
申请日:2008-07-02
申请人: 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤
CPC分类号: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
摘要: 본발명은고속성막과무노듈(nodule-less)을실현할수 있는스퍼터링용타겟또는이온도금용타블렛, 그것을얻는데최적인산화물소결물체와그것의제조방법, 그것을이용해얻어지고청색광의흡수가적은낮은저항의투명도전막에관한것이다. 따라서, 본발명은인듐과갈륨을산화물로서함유하고있고, 빅스바이트형구조의 InO상이주요결정상을형성하며, β-GaO형구조의 GaInO상, 또는 GaInO상과 (Ga, In)O상이평균입경 5 ㎛이하의결정립으로 InO상에미세하게분산되어있고, 갈륨의함량이 Ga/(In+Ga)의원자수비로 10 원자% 이상내지 35 원자% 미만인것을특징으로하는산화물소결물체를제공한다.
摘要翻译: 用于溅射的靶或用于离子镀的片,其能够获得高速成膜和无结节,适于获得其的氧化物烧结体及其制造方法,以及具有低吸收率的透明导电膜 蓝光和低比电阻,通过使用它们获得。 由氧化物烧结体提供,其具有铟和镓作为氧化物,其特征在于具有双晶型结构的In 2 O 3相形成主晶相,并且具有2-Ga 2 O 3的GaInO 3相 类型结构或GaInO 3相和(Ga,In)2 O 3相作为平均粒径等于或小于5μm的晶粒细分散,镓的含量等于 或高于原子数的10原子,低于35原子的原子数Ga /(In + Ga)等。
-
-
-
-
-
-
-
-
-