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公开(公告)号：KR1020060059552A
公开(公告)日：2006-06-02
申请号：KR1020040098675
申请日：2004-11-29
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 남호남
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C16/455 , H01L21/67011
摘要： 본 발명은 반도체 제조 설비의 오토 리필 시스템 및 그의 인터락 제어 방법에 관한 것이다. 오토 리필 시스템은 반도체 제조 설비가 설비 다운되지 않도록 인터락을 설정하여 TMA 공급원으로부터 TMA 버블러로 트리메틸알루미늄(TMA)을 공급 및 재충전시킨다. 따라서 본 발명에 의하면, 종래의 TMA 캐니스터 교체로 인한 시간 손실 및 설비 다운 시간을 줄일 수 있으며, TMA 캐니스터 자체의 세정 불량에 의한 파티클 발생을 사전에 방지한다.
반도체 제조 설비, 오토 리필, 인터락, TMA-
公开(公告)号：KR1020060057955A
公开(公告)日：2006-05-29
申请号：KR1020040097154
申请日：2004-11-24
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김정남
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67011
摘要： 본 발명은 반도체소자 제조용 증착설비에 관한 것으로, 외측튜브와 플랜지 사이에 설치되어 외측튜브와 플랜지를 실링시키는 오링이 이탈되지 않도록 오링고정부가 외측튜브에 설치됨에 따라 공정튜브내 공정가스의 외부 누설을 방지하는 효과가 있다.
오링, 외측튜브, 플랜지-
公开(公告)号：KR1020060034988A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：KR1020040084051
申请日：2004-10-20
申请人： 전원섭
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/67011 , B08B7/0035
摘要： 몸체, 샤워부, 작업대를 구비하는 세정장치에 레이저 발생부, 고정부재 및 레이저 전달부를 구비함으로써, 세정 작업을 하면서 세정되는 웨이퍼에 화학물질이 재흡착 되는 것을 방지하여 생산성을 향상시킬 수 있는 레이저를 이용한 세정장치가 개시된다. 레이저를 이용한 세정장치는 레이저 발생부, 고정부재 및 레이저 전달부를 구비한다. 레이저 발생부는 몸체의 외부에 배치되어, 레이저빔을 작업공간에 제공하게 되고, 고정부재는 몸체의 외부에 배치된다. 레이저 전달부는 고정부재의 일단에 회전가능하게 결합되고, 하우징, 포커싱렌즈, 광가이드, 레이저거울 및 투과성부재를 구비한다. 하우징의 내부에는 공간이 형성되고, 일면에 제 1관통공이 형성되고, 타면에 제 2관통공이 형성된다. 포커싱렌즈는 하우징의 제 1관통공에 결합되며, 레이저빔의 초점을 잡아주게 된다. 광가이드는 일단은 하우징의 제 2관통공에 결합되고, 타단은 레이저 발생부에 결합되어 레이저 발생부로부터 발생된 레이저빔을 레이저 전달부에 전달하게 된다. 레이저거울은 하우징의 내부에 회전가능하게 결합되어 광가이드로부터 발진된 레이저빔이 레이저거울에 반사되어 포커싱렌즈를 관통하게 된다. 투과성부재는 몸체의 일면에 결합되고, 포커싱렌즈를 관통한 레이저 빔이 작업공간을 향하여 통과된다.
레이저, 세정장치-
公开(公告)号：KR1020060030244A
公开(公告)日：2006-04-10
申请号：KR1020040079047
申请日：2004-10-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김동호
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/67248 , H01L21/67011
摘要： 본 발명은 저압 화학 기상 증착 장치에 관한 것으로, 장치는 처리실과 이로부터 반응부산물들이 배기되는 배기관을 가진다. 배기관의 내부에서 반응부산물들이 고형화되는 것을 방지하기 위해 배기관은 히팅재킷에 의해 감싸진다. 히팅재킷에는 바이메탈을 이용한 센서들이 복수개 장착되며, 이들 센서들은 서로 직렬로 연결된다. 히팅재킷의 영역들 중 어느 한 영역에서 온도가 설정범위를 벗어나면, 센서들이 설치된 신호선들과 연결된 제어기가 이를 인식하여 설비를 인터록한다.
바이메탈, 저압 화학 기상 증착, 배기관, 히팅재킷-
公开(公告)号：KR1020060028939A
公开(公告)日：2006-04-04
申请号：KR1020040077856
申请日：2004-09-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김정남
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/673 , H01L21/67011
摘要： 반도체 제조 공정 시 유입된 반응 가스의 와류 발생을 해결하여 반응 가스를 균일하게 분배할 수 있는 트레이 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치가 제공된다. 트레이는 프레임, 프레임의 측면에 형성되어 있으며 웨이퍼를 로딩하기 위한 지지대, 프레임 상에 프레임과 수직으로 배치되고 몸체에 메쉬가 형성되어 반응 가스의 와류 발생을 방지하는 가스 분배 플레이트 및 가스 분배 플레이트를 프레임에 고정시키기 위한 고정부를 포함한다.
반도체, 가스 분배 플레이트, 균일, 확산, 와류-
公开(公告)号：KR1020060025917A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：KR1020040074805
申请日：2004-09-18
申请人： 삼성전자주식회사
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67011
摘要： 가스 공급관의 체결 구조가 개선된 반도체 제조 장치가 제공된다. 반도체 제조 장치는 공정 챔버와, 공정 챔버의 일측에 형성된 플랜지 볼트 및 플랜지 볼트에 체결되고 외형이 다각 기둥인 플랜지 너트가 단부에 형성된 가스 공급관을 포함한다.
공정 챔버, 가스 공급관, 페룰, 오링-
公开(公告)号：KR100143755B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019930009273
申请日：1993-05-27
申请人： 올린 코포레이션
发明人： 마이클제이.맥기어리 , 허먼제이.베글린
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/67011 , H01L21/02131 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662
摘要： 본 발명은 실리콘 기판을 염소 공급원(여기서, 염소 공급원은 옥살릴 클로라이드이다)의 존재하에 산화시킴으로써 실리콘 기판에 염소 도핑된 이산화규소 필름을 형성시킴으로 특징으로 하여 실리콘 기판에 염소 도핑된 이산화규소 필름을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019930008522B1
公开(公告)日：1993-09-09
申请号：KR1019850002925
申请日：1985-04-30
申请人： 배리언 어소시에이츠 인코포레이티드
发明人： 노만엘,터너
IPC分类号： H01L21/145
CPC分类号： H01L21/67103 , H01L21/67011 , Y10S269/903
摘要： 내용 없음.
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公开(公告)号：KR1020170113669A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020177025936
申请日：2015-03-31
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 요네다,아키히코
CPC分类号： G05B19/4183 , G05B23/0283 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/67011 , H01L21/67253 , H01L21/67276 , H01L21/677 , H01L22/10 , H01L22/34
摘要： 감시대상으로서선정된감시항목에의해선정된보수부품에대해서, 상기보수부품의역치를설정하는설정정보, 상기보수부품의감시데이터, 및상기보수부품을초기화한리셋횟수를포함하는감시정보를유지하는부품관리정보를유지하는데이터수집컨트롤러와, 적어도상기보수부품으로구성되는유닛으로부터수집한장치데이터로부터상기감시데이터를상기데이터수집컨트롤러에전송하는조작부를갖고, 상기데이터수집컨트롤러는, 상기부품관리정보에포함되는상기감시데이터가상기역치에도달한것을상기조작부에통지하고, 상기조작부는, 상기역치에도달한감시데이터가생성된상기유닛에서의메인터넌스종료후, 상기감시데이터를초기화하는지시를상기데이터수집컨트롤러에송신하고, 상기데이터수집컨트롤러는, 상기감시데이터를초기화해서상기리셋횟수를카운트업하는기판처리장치.
摘要翻译： 监视信息包括用于设置维护部分的阈值的设置信息，用于维护部分的监视数据以及用于初始化维护部分的重置次数，用于由选择作为监视目标的监视项目选择的维护部分 以及控制单元，其从至少由维护部分构成的单元收集的设备数据将监控数据传输到数据收集控制器， 控制单元通知操作单元包括在信息中的监测数据已经达到阈值，并且操作单元指示在生成监测数据达到阈值的单元中的维护之后初始化监测数据， 数据采集控制器初始化监测数据并输出复位编号 并计数基板处理设备。
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公开(公告)号：KR1020170106709A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：KR1020160030138
申请日：2016-03-14
申请人： 워트주식회사
发明人： 박승배
CPC分类号： Y02P80/156 , H01L21/67098 , F24F3/14 , F24F11/30 , F24F2110/10 , F24F2110/20 , H01L21/02 , H01L21/67011
摘要： 반도체제조공정용초절전항온습및 항온수제어장치가개시된다. 개시되는반도체제조공정용초절전항온습및 항온수제어장치는압축기, 응축기, 팽창밸브및 증발기를포함하는냉동사이클부재; 상기증발기에서반도체제조공정설비쪽으로공급되는공기를예열시키는예열부재; 상기예열부재를경유하며예열된공기가요구되는온도가되도록본 가열하는본 가열부재; 상기본 가열부재를경유한공기의습도가요구되는습도가되도록가습하는가습부재; 외부열원에서공급된열교환수와상기반도체제조공정설비의쿨 플레이트(cool plate)를경유한쿨 플레이트순환유체가열교환되어, 상기쿨 플레이트순환유체가항온수가되도록하는항온수열교환부재; 상기항온수열교환부재에서형성된항온수가저장되었다가상기쿨 플레이트쪽으로공급될수 있도록하는저수조부재; 및상기항온수열교환부재에서상기외부열원에서공급된열교환수와열교환된상기쿨 플레이트순환유체가요구되는온도의항온수가될 수있도록, 상기외부열원에서공급된열교환수의유량을조절하는비례제어밸브부재;를포함한다. 개시되는반도체제조공정용초절전항온습및 항온수제어장치에의하면, 예열부재와본 가열부재가적용되어상기반도체제조공정설비쪽으로공급되는공기를 2단에걸쳐가열하되, 상기예열부재와상기본 가열부재가각각상기외부열원에서공급된열교환수의열기및 상기응축이의응축열을이용하여그러한각 단계의가열을수행하게됨으로써, 상기반도체제조공정설비쪽으로공급되는공기를가열시키기위하여별도의전기에너지가소요되지않고, 상기쿨 플레이트에서승온된쿨 플레이트순환유체를냉각시켜항온수를형성하기위하여, 상기승온된상태의쿨 플레이트순환유체에비해상대적저온인상기외부열원에서공급된열교환수를이용하고, 상기비례제어밸브부재에의해정밀하게온도제어를함으로써, 상기승온된상태의쿨 플레이트순환유체가별도냉동사이클등이요구되지않고도항온수로변화될수 있게됨으로써, 반도체제조공정설비의온도와습도가요구되는온도와습도로항상유지될수 있도록하면서, 동시에웨이퍼냉각용의쿨 플레이트를요구되는온도로항상냉각될수 있도록하면서초절전운전이가능한장점이있다.
摘要翻译： 公开了一种用于半导体制造工艺的超低温恒湿恒温水控制装置。 本发明公开了一种用于半导体制造过程的超低温恒湿恒温水控制装置，该制冷循环构件包括压缩机，冷凝器，膨胀阀和蒸发器， 一种预热部件，用于预热从蒸发器供应给半导体制造工艺设备的空气; 主加热部件，用于通过预热部件和预热空气加热待加热到所需温度的空气; 一个加湿部件，用于加湿上基座加热部件，使得通过基座加热单元的空气的湿度变成所需的湿度; 一种恒温水热交换构件，其将从外部热源供应的热交换水与通过半导体制造设备的冷却板的冷却板循环流体进行交换，以使冷却板循环流体经历恒温; 一种储水部件，用于储存形成在恒温水热交换部件中的恒温水并将恒温水供应到冷却板; 和比例控制阀构件，以确保所述凉爽板循环液供给的热罐和热量从所需的外部热源，调节从外部热源在所述恒温水热构件供给的流量的热数时的温度的恒定温度的数量 等等。 根据超低功率恒温用于半导体制造过程中是湿的，并且可以是恒定的温度控制装置，而是通过所述加热部件和所述预加热元件被施加到向半导体制造工艺设备的两个阶段供给的空气加热的开始，预加热元件和所述主加热 一个单独的电能，需要对空气进行加热构件，并且每个外部供给的热源的热进行热交换数和使用该缩合物的eungchukyeol，向半导体制造工艺设备提供的，从而执行每个这样的步骤的加热 与温热状态下的冷却板循环流体相比，从温度较低的外部热源供应的热交换水用于冷却在冷却板中加热的冷却板的循环流体， 通过由比例控制阀部件精确地控制温度，处于加热状态的冷却板循环流体需要单独的制冷循环等 为了使半导体制造工艺设备的温度和湿度同时保持在所需的温度和湿度，同时允许用于晶片冷却的冷却板总是被冷却到所需的温度， 有一个潜在的优势。
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