公开(公告)号：KR101886208B1

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：KR1020180049315

申请日：2018-04-27

申请人： 주식회사 씨엠코이엔지

发明人： 조성천

IPC分类号： H01L21/67 ,  B65G47/46 ,  B65G47/18

CPC分类号： H01L21/67011 ,  B65G47/18 ,  B65G47/46 ,  B65G2201/042

摘要： 본발명은원료를다수의지점으로분배하는장치에있어서: 원료가투입되는본체(20); 상기본체(20)의하단에분배판(35)과메인슈트(33)를연결하여다수의경로로원료를공급하는공급수단(30); 및상기메인슈트(33)의각각의경로에대한원료공급을단속하는가변수단(40);을포함하여이루어지는것을특징으로한다. 이에따라, 실리콘파우더용원료물질을다량으로처리하는과정에서공정의조건에부합하도록다수의경로로분할하여공급할수 있기에생력화를기반으로생산성향상을도모하는효과가있다.

公开(公告)号：KR20180057746A

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：KR20160154685

申请日：2016-11-21

申请人： (주)티티에스

发明人： SEO PANN GILL ,  KIM MI SUN ,  CHOI DAE YEON ,  LEE KEUN PYO

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02 ,  B01D2258/0216 ,  H01L21/67011

摘要： 본발명은트랩장치에관한것으로서, 리던던시(redundancy) 트랩을구비하여트랩장치를스위칭하도록하는트랩장치에관한것이다. 이를위해공정챔버로부터공급된미반응공정가스를포함한반응부산물을다중경로로분기시키는복수의분기부, 미반응공정가스를포함한반응부산물을포집하는복수의트랩부, 및복수의분기부의경로방향을제어함으로써미반응공정가스를포함한반응부산물이복수의트랩부중 어느한 측으로공급되도록경로를설정하는경로스위칭부를포함하는것을특징으로하는이중화트랩장치가개시된다.

公开(公告)号：KR101823718B1

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：KR1020137017300

申请日：2012-01-12

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 이와시타,야스하루 ,  히라카와,오사무 ,  혼다,마사루 ,  후쿠토미,아키라

IPC分类号： H01L21/677 ,  B65G49/07 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/67011 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1126 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1137 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/19 ,  Y10T156/1939 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/195

摘要： 본발명의기판반전장치는, 기판의편면을유지하는제1 유지부와, 이제1 유지부에대향하여설치되고, 기판의편면을유지하는제2 유지부와, 적어도제1 유지부또는제2 유지부를상대적으로이동시켜제1유지부와제2 유지부를접근, 이격시키는이동기구와, 기판의편면을유지하여반송하는반송기구를갖고있고, 제1 유지부, 제2 유지부및 반송기구에있어서의기판의유지는, 베르누이척에의해행해진다.

摘要翻译： 根据本发明的基板反转装置包括：第一保持部分，用于保持基板的一个表面;第二保持部分，与第一保持部分相对设置并且保持基板的一个表面; 通过相对地移动所述第一保持部，保持部和第二保持部的方法中，间距移动机构和，和具有一个输送装置用于输送和保持所述基板，所述第一保持部和第二保持部分和所述输送机构用于的一个表面 由伯努利夹头完成。

公开(公告)号：KR1020170134615A

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：KR1020177031828

申请日：2015-04-17

申请人： 가부시키가이샤 하모닉 드라이브 시스템즈

发明人： 마루야마도시키 ,  후루타가즈마사

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/304 ,  F16C33/72 ,  H01L21/683 ,  H02K5/10 ,  F16J15/447

CPC分类号： H02K5/15 ,  F16C19/54 ,  F16C35/042 ,  F16C41/007 ,  F16C2380/26 ,  H01L21/304 ,  H02K5/10 ,  H02K5/1732 ,  H02K5/22 ,  H02K11/215 ,  H02K2205/09 ,  H01L21/67011 ,  F16C33/72 ,  F16J15/447 ,  H01L21/683

摘要： 정압씰부착모터(1)에서는, 전후로돌출되는모터회전축(12)의제1, 제2축단부(12a, 12c)에배치된제1, 제2정압밀봉부(30, 40)에의하여전후의간격이밀봉된다. 제1, 제2정압밀봉부(30, 40)의밀봉간격(32, 42)으로공급되는밀봉가스는, 약액분위기(5a, 5b)와모터실(18) 혹은인코더실(21)로분기되어흐른다. 밀봉가스의분기류에의하여모터실(18), 인코더실(21)로부터약액분위기(5a, 5b)로진애가침입하는것이방지되고, 약액분위기(5a, 5b)로부터모터실(18), 인코더실(21)로약액을포함하는가스가침입하는것이방지된다.

摘要翻译： 在静压密封马达1中，设置在马达旋转轴12的第一和第二轴端部12a和12c上的第一和第二静压密封部30和40向前和向后突出， 密封。 供应到第一静压密封部分30和第二静压密封部分40的密封间隔32和42的密封气体被分支到化学溶液气氛5a和5b以及马达室18或编码器室21 它流动。 由于密封气体的分流，可以防止来自电机室18和编码器室21的流体侵入化学溶液气氛5a和5b中， 可以防止含有药液的气体侵入到腔室21内。

公开(公告)号：KR1020170004951A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020167020130

申请日：2015-05-18

申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

发明人： 사사키미츠루 ,  미우라다츠야 ,  오노도시히로 ,  오노가즈무네 ,  엔도쇼코 ,  기타하라류

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01J37/32926 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/67011

摘要： 프로세스레시피에설정된처리순서에따라기판의처리를제어하는제어부를구비하는기판처리장치로서, 상기프로세스레시피는, 상기처리순서를기능별로나누어유닛화한복수의부분레시피에링크하고, 상기제어부는, 링크한상기복수의부분레시피에설정된처리순서에따라기판의처리를제어하는, 기판처리장치가제공된다.

摘要翻译： 提供了一种基板处理装置，其包括被配置为根据在处理配方中设置的处理过程来控制基板处理的控制部。 过程配方与通过将处理过程分成功能而获得的多个部分配方相关联。 控制部件根据在多个部分配方中设定的处理程序来控制基板处理。

公开(公告)号：KR1020150100567A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：KR1020150026008

申请日：2015-02-24

申请人： 램 리써치 코포레이션

发明人： 리저칼

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67196 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67703 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/02

摘要： 기판 프로세싱 툴은, 중앙 캐비티 둘레에서 제 1 이송 플레인 내에 배열된 N 개의 기판 프로세싱 스테이션들을 포함하고, N은 1보다 큰 정수이다. N 개의 기판 프로세싱 스테이션들 중 적어도 하나의 기판 프로세싱 스테이션은 기판을 프로세싱하도록 구성된다. M 개의 기판 프로세싱 스테이션들이 중앙 캐비티 둘레에서 제 2 이송 플레인 내에 배열되고, M은 1보다 큰 정수이다. 제 2 이송 플레인은 제 1 이송 플레인과 평행하게 제 1 이송 플레인 위에 배열된다. 상부 툴 부분은 M 개의 기판 프로세싱 스테이션들 및 N 개의 기판 프로세싱 스테이션들의 제 1 부분을 포함한다. 회전가능한 하부 툴 부분은 상부 툴 부분에 대해 회전한다. N 개의 기판 프로세싱 스테이션들의 제 2 부분은 회전가능한 하부 툴 부분과 함께 회전한다.

摘要翻译： 基板处理工具包括在中心腔周围的第一输送平面中的N个基板处理站，N是大于1的整数。 N个基板处理站中的至少一个基板处理站被配置为处理基板。 M个基板处理站被布置在围绕中心腔的第二传输平面中，并且M是大于1的整数。 第二输送平面平行于第一输送平面上的第一输送平面。 上部工具部分包括M个基板处理站的第一部分和N个基板处理站。 一个可旋转的下部工具部分为上部工具旋转。 N个基板处理站的第二部分与可旋转的下部工具部分一起旋转。

公开(公告)号：KR1020150076864A

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：KR1020130165532

申请日：2013-12-27

申请人： 세메스 주식회사

发明人： 이선이

IPC分类号： G02F1/13

CPC分类号： G02F1/1303 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/677

摘要： 본발명은기판을처리하는장치에관한것으로, 기판처리의효율성을향상시키는기판처리장치에관한것이다. 본발명의일실시예에따른기판처리장치는, 제1 챔버와, 상기제1챔버와인접하게배치되는제2 챔버와, 상기제1 챔버및 상기제2 챔버내에각각배치되어기판을반송하는반송유닛과, 상기제1 챔버에위치한기판상의영역에제1 유체를분사하는제1 노즐과, 상기제2 챔버에위치한기판상의영역에제2 유체를분사하는제2 노즐을포함하되, 상기제1 노즐과상기제2 노즐은일체형으로제공된다.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于处理基板的设备，其提高了处理基板的有效性。 根据本发明的实施例，用于处理基板的装置包括：第一室; 邻近第一室的第二室; 分别布置在第一室和第二室中的返回单元，并使基板返回; 将第一流体喷射到位于所述第一室上的所述基板上的区域的第一喷嘴; 以及将第二流体喷射到位于所述第二室上的所述基板上的区域的第二喷嘴，其中所述第一喷嘴和所述第二喷嘴被一体化。

公开(公告)号：KR1020150043389A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：KR1020157006118

申请日：2013-07-18

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 람,윈저 ,  밀러,케이스에이. ,  존슨,칼 ,  라이커,마틴리 ,  수,예

IPC分类号： H01L21/203 ,  C23C14/04 ,  C23C14/54 ,  H01L21/67 ,  G05B15/02

CPC分类号： C23C14/046 ,  C23C14/54 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/203 ,  G05B15/02 ,  H01L21/67011

摘要： 프로세스챔버에서기판을프로세싱하기위한방법들및 장치는, 제 1 챔버프로세스를수행하기위해프로세스제어기로부터하나또는그 초과의디바이스들을위한프로세스제어파라미터들을수신하는단계; 하나또는그 초과의디바이스들에프로세스제어파라미터들각각을전송하기위한시간을결정하는단계; 하나또는그 초과의디바이스들각각에대해, 하나또는그 초과의디바이스들각각과연관된특정신호프로세스지연들을사용하여, 프로세스제어파라미터들각각을전송하기위한결정된시간을조정하는단계; 및제 1 챔버프로세스를수행하기위해, 조정된시간들에서하나또는그 초과의디바이스들각각에프로세스제어파라미터들을전송하는단계를포함하며, 동기화제어기는하나또는그 초과의출력채널들을포함하고, 각각의채널은하나또는그 초과의디바이스들중 하나에직접적으로커플링된다.

公开(公告)号：KR101454603B1

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020140008214

申请日：2014-01-23

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 기판을 수용한 처리실 내로 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 탄소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 질소 함유 가스를 공급하는 공정; 및 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 산소 함유 가스를 공급하는 공정;을 비(非)동시에 수행하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 산탄질화막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스 중 하나의 가스를 공급하는 공정에서는, 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스 중 상기 하나의 가스 이외의 가스를 상기 처리실 내로 비(非)공급으로 하고, 상기 산소 함유 가스를 공급하는 공정에서는, 그 때까지 상기 기판 상에 형성된 층의 상기 산소 함유 가스에 의한 산화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서, 상기 층을 산화하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101439096B1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：KR1020130124505

申请日：2013-10-18

申请人： 주식회사 테스

发明人： 정웅식

IPC分类号： H01L21/683

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67011

摘要： The present invention relates to a substrate processing method comprising the steps of changing process time and rotational speed of a substrate according to a change of a process condition to set and store the process time and rotational speed; calculating the number of rotations of the substrate based on the process time and the rotational speed; correcting the rotational speed, when the number of rotations is not an integer, to an integer approximate to a value of the number of rotations and setting the corrected number of rotations; calculating the corrected rotational speed of the substrate based on the corrected number of rotations and the process time; and processing the substrate by the corrected rotational speed during the process time. The present invention, though the process time and the rotational speed of the substrate are changed as necessary, corrects the rotational speed of the substrate by the corrected number of rotations with an integer value and stops the substrate at a position which is the same as a rotation start position, namely controls the rotational speed of the substrate to make the rotation stop position identical to the rotation end position, thereby performing a regular process in overall regions of the substrate.

摘要翻译： 本发明涉及一种基板处理方法，包括根据处理条件的变化来改变基板的处理时间和转速以设置和存储处理时间和转速的步骤; 基于处理时间和转速计算基板的转数; 当旋转次数不是整数时将转速校正为接近转数的整数并设定校正转数; 基于所述修正的转数和所述处理时间来计算所述基板的修正转速; 并且在处理时间期间通过校正的旋转速度来处理衬底。 本发明虽然根据需要改变基板的处理时间和转速，但通过校正转数以整数来校正基板的旋转速度，并将基板停止在与 旋转开始位置，即控制基板的旋转速度以使旋转停止位置与旋转结束位置相同，从而在基板的整个区域中执行常规处理。