公开(公告)号：KR100138619B1

公开(公告)日：1998-05-15

申请号：KR1019940021287

申请日：1994-08-25

Applicant: 니홍 고오강 가부시끼가이샤

Inventor： 모찌즈끼다다시 ,  이시바시요히찌 ,  아끼요시다까노리 ,  이와다요시히도 ,  기노시로사또시 ,  사까시다아끼꼬

IPC: G01N21/00

Abstract: 불활성 운반가스를 조내에 도입하는 단계; 펄스 반치폭0.001μsec(마이크로 초) 이상, 펄스 에너지 밀도 0.001GW/㎠ 이상, 또한 주파수 100㎐ 이상인 레이저 비임을 불활성 운반가스 내에 있는 고체 시료의 표면에 조사하는 예비처리 단계; 미립자 발생속도 V(㎍/초), 그리고 분석용 목표 원소의 미립자들 중의 농도 대 분석용 목표원소의 고체시료내에서의 농도의 비인 선택비 S가 다음 식들을 만족하는 조건에서 미립자를 불활성 가스중에서 발생시키는 단계;
S 0.25 log V + 1.5,
S -0.2 log V + 0.6,
0.1 V 100
발생된 미립자를 검출기에 도입하는 단계로 되어 있는 고체시료의 분석방법.

公开(公告)号：KR1019970009995B1

公开(公告)日：1997-06-20

申请号：KR1019900702082

申请日：1990-01-20

Applicant: 니홍 고오강 가부시끼가이샤

Inventor： 누마따노리지 ,  이이야마마고또 ,  무라가미노보루 ,  고바야시모또노부 ,  다나베하루요시

IPC: C04B41/51

CPC classification number: C04B41/009 ,  C04B38/065 ,  C04B41/5133 ,  C04B41/5144 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/0087 ,  Y10T428/12486 ,  Y10T428/249957 ,  Y10T428/24997 ,  C04B41/4515 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  C04B35/00 ,  C04B38/0051 ,  C04B35/04 ,  C04B35/10 ,  C04B38/00

Abstract: 내용없음.

公开(公告)号：KR1019960010675B1

公开(公告)日：1996-08-07

申请号：KR1019920702388

申请日：1992-01-27

Applicant: 니홍 고오강 가부시끼가이샤

Inventor： 가자마아끼라 ,  오시게다까히꼬 ,  야마다요시로 ,  야마다다께오 ,  야마자끼다께시 ,  다까야마다까미쓰 ,  노무라슈이찌로

IPC: G01B11/06

CPC classification number: G01B11/065

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019960005364B1

公开(公告)日：1996-04-24

申请号：KR1019910701415

申请日：1991-02-22

Applicant: 니홍 고오강 가부시끼가이샤

Inventor： 안도세이고 ,  다께나까마사끼 ,  이와나가겐이찌 ,  후루가와다까또 ,  다께꼬시아쯔히사

IPC: G01N27/83

CPC classification number: G01N27/82 ,  G01N27/9046

Abstract: 없음

公开(公告)号：KR1019960003727B1

公开(公告)日：1996-03-21

申请号：KR1019910700831

申请日：1990-12-05

Applicant: 니홍 고오강 가부시끼가이샤

Inventor： 요시에야스노리 ,  쯔꾸이다까시

IPC: G02B6/44

CPC classification number: B29C59/04 ,  B23K26/262 ,  G02B6/4484 ,  G02B6/4488

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019950011335B1

公开(公告)日：1995-09-30

申请号：KR1019910701697

申请日：1991-03-27

Applicant: 니홍 고오강 가부시끼가이샤

Inventor： 야마기시미끼 ,  요꼬야마다까시 ,  스즈끼야스오 ,  쯔보이하루히또 ,  노또다까시 ,  가와가미마사아끼

IPC: F23G5/50

CPC classification number: F23G5/50 ,  F23G5/444 ,  F23G2207/112 ,  F23G2207/20 ,  G01F1/661 ,  G01F1/74 ,  G06M11/00 ,  G06M11/04

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019950018560A

公开(公告)日：1995-07-22

申请号：KR1019940033598

申请日：1994-12-10

Applicant: 니홍 고오강 가부시끼가이샤

Inventor： 야마모도나오끼 ,  다께모도가쓰히로 ,  사까모도노보루 ,  이와다요시또

IPC: C22B7/02 ,  C22B19/30

Abstract: 산화아연의 형태로 아연을 함유하고 있는 분진으로부터 탄소를 함유하는 응집체를 제조하는 단계; 응집체를 용융금속내에 장입하여, 응집체내의 산화아연이 환원되고 증발되어 아연이 되게 하는 단계; 및 산화아연으로서의 증발된 아연을 생성분진과 함께 포집하는 단계로 되어 있는 아연 함유분진으로부터 아연을 회수하는 방법.

公开(公告)号：KR1019950014347A

公开(公告)日：1995-06-16

申请号：KR1019940004247

申请日：1994-03-04

Applicant: 니홍 고오강 가부시끼가이샤

Inventor： 야마우찌가쯔히사 ,  미사오히또시 ,  이노우에다다시 ,  다찌바나히로시

IPC: C22C38/18 ,  C22C38/10 ,  C22C38/40

Abstract: 파쇄저항성 스텐레스 강판은; 스텐레스 강에 불가피하게 잔존하는 “Al
2 O
3 -MnO-SiO
2 ”의 비금속 개재물로 구성되며; 비금속 개재물은 “Al
2 O
3 -MnO-SiO
2 ”의 3-성분계의 상평형도에서 9개점으로 규정된 영역에 위치하는 조성을 가지며; 스텐레스 강판은 최소한 1520N/mm
2 (155 kgf/mm
2 )의 1.0%온세트응력을 가지며; 스텐레스 강판은 196 N/mm
2 (20kef/mm
2 )이하의 1.0%온세트 응력의 이방성 차를 가지며; 스텐레스 강판은 적어도 4.6mm의 에릭센 수를 갖는다. 고 파쇄저항성 스텐레스 강판의 제조방법은; 스텐레스 강 스트립을 준비하며; 스텐레스 강 스트립에 어닐링-키플링-제1냉간압연(CR
1 )-제1중간 어닐링-제2냉간압연(CR
2 )-제2중간 어닐링-제3냉간압연(CR
3 )-최종 어닐링-제4냉간압연(CR
4 )-저온 열처리로 구성되는 일련의 공정을 실시하는 단계로 구성된다.

公开(公告)号：KR1019950005791B1

公开(公告)日：1995-05-31

申请号：KR1019920013517

申请日：1992-07-28

Applicant: 니홍 고오강 가부시끼가이샤

Inventor： 아라이겐이찌 ,  이시야마가즈시 ,  다나까야스시 ,  히우라아끼라 ,  나미가와미사오

IPC: C21D8/12

CPC classification number: C21D8/1233 ,  C21D1/76 ,  C21D8/1222 ,  C21D8/1266 ,  C21D8/1272 ,  C22C38/02

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019950009244A

公开(公告)日：1995-04-21

申请号：KR1019940022790

申请日：1994-09-09

Applicant: 니홍 고오강 가부시끼가이샤

Inventor： 고시히데유끼 ,  후나노까와히로시 ,  도이사또시 ,  곤도구니히로 ,  우메다도시유끼 ,  다까하시도시히로 ,  기까와메구미

IPC: G01N5/02 ,  G01N1/22

Abstract: 본 발명은 정밀도가 좋고 신속하게 측정할 수 있고, 소형·경량인 배기가스내의 더스트농도 자동측정장치를 제공하는 것을 목적으로 하며, 더스트체취부(Ⅰ)와 가스흡인유량측정부(Ⅱ)오 여과지공급칭량부(Ⅲ)와 측정제어부(Ⅳ)로 구성되어 있는 배기가스의 더스트농도 자동측정장치이고, 연도배기가스를 유도하는 채취관(3)과 그 채취관의 반전장치(5)와 연도배기가스의 등속흡인유닛(10)과 홀더형 여과지핸들링장치와 흡인가스의 적산유량을 측정하기 위한 가스미터(15)와 가스미터보호를 위한 SO
2 흡수병(12)과 미스트제거병(13), 여과지건조용의 열풍건조장치(18), 내진천칭(20) 및 상기 각 장치 전체의 측정동작을 제어하는 시퀀서, CPU, CRT, 프린터로 구성된 것을 특징으로 한다.