公开(公告)号：KR102242442B1

公开(公告)日：2021-04-21

申请号：KR1020197023382

申请日：2017-01-09

Applicant: 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

Inventor： 우에벨,패트릭 ,  바우어슈미츠,세바스티안 ,  러셀,필립

IPC: H01S3/00 ,  G02B6/02 ,  G02F1/365 ,  G02F1/35

Abstract: 광대역광 펄스(1)를생성하는광대역광원장치(100)는: 충전가스를포함하며펌프레이저펄스(2)의광학적비선형확장에의해상기광대역광 펄스(1)를생성하도록배치되는비밴드갭(non-bandgap) 타입의중공코어섬유(10)로서, 도광필드(guided light field)의코어모드를지지하는축방향의중공도광섬유코어(11)와섬유코어(11)를둘러싸며도광필드의횡벽(transverse wall) 모드를지지하는내부섬유구조(12)를구비한상기중공코어섬유(10); 및, 중공코어섬유(10)의입력측(13)에서펌프레이저펄스(2)를생성및 제공하도록배치된펌프레이저소스장치(20)를포함하며, 측벽모드는기본측벽모드와 2차이상의횡벽모드를포함하고, 광대역광 펄스(1)는섬유길이, 섬유코어직경, 펌프레이저펄스(2)의적어도하나의펌프펄스및/또는빔 파라미터, 및상기충전가스의적어도하나의가스파라미터에의해결정되는코어모드스펙트럼을가지며, 중공코어섬유(10)의내부섬유구조(12)는적어도 2차이상의횡벽모드와상기코어모드스펙트럼이서로에대해스펙트럼변위(spectral displacement)를갖도록구성된다. 또한, 광대역광 펄스를생성하는방법이개시된다.

公开(公告)号：KR101990787B1

公开(公告)日：2019-09-30

申请号：KR1020197007488

申请日：2015-08-06

Applicant: 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

Inventor： 스파츠요아임피. ,  와타리모유 ,  마거라인하르트

IPC: B22D11/06 ,  B22D11/16

公开(公告)号：KR101809771B1

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：KR1020127031846

申请日：2011-05-10

Applicant: 바스프 에스이 ,  막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

Inventor： 이바노비치소린 ,  양슈빈 ,  펭신랑 ,  뮐렌클라우스

IPC: C01G51/04 ,  C09C3/08 ,  H01M4/525

CPC classification number: C09C3/08 ,  B82Y30/00 ,  C01G51/04 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/86 ,  C01P2006/40 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/36 ,  H01G11/46 ,  H01G11/50 ,  H01M4/366 ,  H01M4/485 ,  H01M4/505 ,  H01M4/525 ,  Y02E60/13

Abstract: 본발명은그래핀으로나노입자를코팅하는방법으로서, (a) 현탁매질, 및양의표면전하를띠는나노입자를포함하는현탁액을제공하는단계, (b) 단계 (a)의현탁액에그래핀옥사이드입자를첨가하여, 그래핀옥사이드입자를나노입자상에축적시키는단계, 및 (c) 나노입자상에축적된그래핀옥사이드입자를그래핀으로전환시키는단계를 포함하는방법, 1 이상의금속, 반급속, 금속화합물및/또는반금속화합물을포함하는그래핀-코팅된나노입자, 전기화학전지및 슈퍼커패시터(supercapacitor)에서의그러한그래핀-코팅된나노입자의용도, 및이러한나노입자를포함하는슈퍼커패시터및 전기화학전지에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020170126804A

公开(公告)日：2017-11-20

申请号：KR1020170057518

申请日：2017-05-08

Applicant: 에어클로아크 게엠베하 ,  막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

Inventor： 아이데세바스찬프로브스트 ,  프란시스파울 ,  베르네아누크리스찬다니엘 ,  주릭사사 ,  오브로크파벨

IPC: G06F21/62

CPC classification number: G06F17/30979 ,  G06F7/582 ,  G06F21/6227 ,  G06F21/6254

Abstract: 컴퓨터시스템은질문을수신하고, 데이터저장소로부터행 및열을요청하고, 질문의조합이데이터저장소내의개인에대한정보를추론하기위해사용될수 없도록하는방식으로열을추가또는제거하도록구성된모듈을포함한다. 이모듈은조정된행 및열에대하여통계적계산을실행하여, 섭동된대답단독으로, 및섭동된대답의반복이데이터저장소내의개인에대한정보를추론하기위해사용될수 없도록하는섭동된대답을만들어낸다.

Abstract translation: 该计算机系统包括被配置为接收从所述数据存储的查询和请求线mityeol，添加或以这样的方式的问题的组合，从而被用来推断关于在数据存储中的个体信息中去除热量的模块。 该模块创建，以防止被单独用来推断关于在运行的统计计算的行和列的调整个人信息，有干扰A.扰动答案，扰动的重复回答的数据存储。

公开(公告)号：KR101789044B1

公开(公告)日：2017-10-23

申请号：KR1020137003066

申请日：2011-07-04

Applicant: 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

Inventor： 칼파스,크리스토프 ,  쉬에르,헬만

IPC: H01M4/66 ,  H01M4/02 ,  C23C22/36 ,  H01G9/042

CPC classification number: H01M4/485 ,  H01G9/0425 ,  H01G11/24 ,  H01G11/30 ,  H01G11/46 ,  H01G11/50 ,  H01M4/483 ,  H01M4/58 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/661 ,  H01M4/668 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/028 ,  Y02E60/122 ,  Y02E60/13

Abstract: 본발명은신규한결정질의인산염과규산염기반의전극재료의사용에관한것으로, 상기인산염과규산염기반의전극재료는바람직하게는호페이트또는제올라이트격자구조를가지며, 비수성시스템을기초한리튬이온배터리및 리튬커패시터용으로아주적합하다. 본발명에사용된전극재료의구조는적어도하기 a) 내지 d)와같은성분을포함하는것을특징으로한다: 즉, a) (MX)- 배위다면체를포함하는격자구조형태의 2 내지 193 원자 % 구조구축이온 M (상기 M은원소주기율표의그룹 2-15 중하나이상의원소에서선택됨), b) (MX)- 배위다면체를포함하는격자구조형태의 8 내지 772 원자 % 구조구축음이온 X (상기 n = 2 내지 4의수, X는그룹 16 및 17에서하나이상의원소에서선택된것으로바람직하게는산소, 그리고음이온 X의 25.01 % 까지의일부분이 F또는 Cl와같은할로겐화물에의해또는 OH에의해대체될수 있음), c) 원소주기율표의그룹 3 내지 13으로부터하나이상의원소들의 0 내지 5 원자 % 비-이동성구조-구축양이온, 및 d) 원소주기율표의그룹 1 또는그룹 11의원소들로부터선택된, > 0 내지 46 원자 % 이동성구조-구축양이온의성분을포함하고, 상기구조는적어도하나의자유채널또는구조의단위세포를통해연장하는, 이동성양이온중 하나이상종과완전히또는부분적으로채워진채널을가지고있고, 적어도 M 원자의 50 % 이상이 P인경우라면, 구조가호페이트또는제올라이트격자구조를나타낸다.

公开(公告)号：KR101715534B1

公开(公告)日：2017-03-13

申请号：KR1020157007593

申请日：2013-08-27

Applicant: 바스프 에스이 ,  막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

Inventor： 보네베르거,헨리케 ,  라이헬트,헬무트 ,  자그라냐르스키,율리안 ,  리,첸 ,  뮐렌,클라우스 ,  첸,롱

IPC: C07D221/14 ,  C07D221/18 ,  C07D471/06 ,  C07D491/06 ,  H01G9/20

CPC classification number: C07D491/06 ,  C07D221/18 ,  C07D239/70 ,  C07D311/78 ,  C07D311/92 ,  C07D471/06 ,  C09B5/62 ,  C09B57/08 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0061 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/542

Abstract: 본발명은하기화학식 3 및 1의화합물, 및주요중간체로서화학식 1의화합물을포함하는화학식 3의화합물의제조방법을제공한다. 상기식에서, n은 0 또는 1이고, R및 R는동일하거나상이하고 NHR, NRR, OR, SR및 R로이루어진군으로부터선택되거나, 또는 R및 R는함께로이루어진군으로부터선택되고, X는 Cl, Br 또는 I이다.

Abstract translation: 本发明提供式（3）和（1）的化合物，其中n为0或1，R 13和R 14相同或不同，并且选自NHR310，NR311R312，OR313，SR314和R315或R13 和R14一起选自（a），（b）和（c），X是Cl的Cl，Br的制备方法和包含式（3）的化合物的式 1）作为关键中间体。

公开(公告)号：KR1020170009889A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：KR1020167033822

申请日：2015-04-24

Applicant: 바스프 에스이 ,  막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

Inventor： 스트러드윅앤드류-제임스 ,  슈밥마티아스게오르크 ,  뮐렌클라우스 ,  자히데프헤르만 ,  베버닐스-아이케 ,  빈더악셀

IPC: C01B32/182 ,  C23C16/02 ,  H01L29/16

CPC classification number: C01B31/0453 ,  C01B32/186 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/26 ,  C23C16/46 ,  Y02P20/544 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0209 ,  H01L29/1606

Abstract: 본발명은 (i) 화학증착챔버에표면 S1을갖는기재를제공하는단계, (ii) 화학증착챔버에적어도하나의기체또는초임계산화제를공급하면서기재에대해열 전처리를수행하여표면 S1을적어도하나의기체또는초임계산화제와접촉시켜서전처리된표면 S2를얻는단계, (iii) 화학증착에의해전처리된표면 S2 상에그래핀을제조시키는단계를포함하는, 그래핀을제조하기위한방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及制备石墨烯的方法，其包括（i）在化学沉积室中提供具有表面S1的基底，（ii）使基底经受热预处理，同时进料至少一种气态或超临界氧化剂 进入化学沉积室以使表面S1与至少一种气态或超临界氧化剂接触并获得预处理的表面S2，（iii）通过化学沉积在预处理的表面S2上制备石墨烯。

公开(公告)号：KR1020170004992A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：KR1020167031206

申请日：2015-04-14

Applicant: 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우. ,  이엠피에이 아이트게뇌시쉐 마테리알프뤼풍스 운트 포르슝산스탈트

Inventor： 파젤,로만 ,  루피우,파스칼 ,  산체스발렌시아,후안라몬 ,  얀센,마틴 ,  뮐러,안드레아스 ,  암샤로프,콘스탄틴

IPC: C01B31/02 ,  C07C13/62 ,  C07C13/60 ,  B01J23/44

CPC classification number: C01B31/0233 ,  B01J23/42 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/16 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  C07C13/62 ,  C07C15/20 ,  C07C2603/54 ,  C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  Y10S977/75 ,  Y10S977/843 ,  B01J23/44 ,  C07C13/60

Abstract: 본발명은, (i) 단일벽 탄소나노튜브 (SWCNT)의세그먼트 S를포함하는전구체요소를제공하며, 여기서세그먼트 S는오르토-융합벤젠고리에의해형성된하나이상의고리로구성되고, 개방된제1 말단 E1 및제1 말단 E1의반대쪽의제2 말단 E2를갖는것인단계, (ii) 금속-함유촉매의표면상에서탄소-공급원화합물과의증기상 반응에의해전구체요소를성장시키며, 여기서전구체요소는세그먼트 S의개방말단 E1을통해금속-함유촉매의표면과접촉되며, 금속-함유촉매는다음관계식: d> 2 x d를만족시키는평균직경 d를갖는입자형태또는연속필름형태로존재하는것인단계를포함하는, 직경 d를갖는단일벽 탄소나노튜브 (SWCNT)의제조방법에관한것이다.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有直径d SWCNT的单壁碳纳米管（SWCNT）的制备方法，其包括（i）提供包含单壁碳纳米管的段S SWCNT的前体元素，制备的片段S SWCNT 由至少一个由邻苯乙烯环形成的环，并且具有开口的第一末端E1和与第一末端E1相对的第二末端E2，（ii）通过与碳气相反应生长前体元素 在含金属的催化剂的表面上的源化合物，其中前体元素经由段SWCNT的开口端E1与含金属的催化剂的表面接触，并且含金属的催化剂为 具有满足以下关系的平均直径d cat的颗粒：d cat> 2×d SWCNT或连续膜的形式。

公开(公告)号：KR1020160065949A

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：KR1020167011708

申请日：2014-09-29

Applicant: 바스프 에스이 ,  막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

Inventor： 슈밥마티아스게오르크 ,  뮐렌클라우스 ,  자히데프헤르만 ,  이토요시카즈

IPC: C23C16/26 ,  C01B31/04 ,  C07C211/04 ,  C07C211/05 ,  C07C211/10 ,  C07C211/46

CPC classification number: H01L51/0002 ,  C01B32/186 ,  C23C16/26 ,  C23C16/30 ,  H01L51/002 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/42 ,  H01L51/50 ,  C07C211/04 ,  C07C211/05 ,  C07C211/10 ,  C07C211/46

Abstract: 본발명은화학기상증착에의해기판 S1 상에 0 내지 65 중량% 의질소함량을갖는그래핀필름을증착하기위한하기화학식 I 의아민전구체또는이의암모늄염의용도에관한것이다: (X-R)-NH(I) [식중, R은 (a) O, NH 및 NR중하나이상이임의삽입될수 있는 C내지 C알칸디일, (b) O, NH 및 NR중하나이상이임의삽입될수 있는알켄디일, (c) O, NH 및 NR중하나이상이임의삽입될수 있는알킨디일, (d) C내지 C방향족 2 가모이어티, 및 (e) CO 및 CHCO 로부터선택되고, X은 H, OH, OR, NH, NHR, 또는 NR로부터선택되고, 이때두 개의 X기는함께화학결합, O, NH, 또는 NR로부터선택되는 2 가 X기를형성할수 있고, R는하나이상의치환기 X으로임의치환될수 있는 C내지 C방향족모이어티및 C내지 C알킬로부터선택되고, n 은 1, 2, 또는 3 임].

公开(公告)号：KR101561322B1

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：KR1020117001337

申请日：2009-06-30

Applicant: 바스프 에스이 ,  막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우.

Inventor： 카스틀러마르셀 ,  쾨흘러질케 ,  뮐렌클라우스 ,  차오호이녹 ,  차오돈

IPC: C08G61/12 ,  C09K11/06 ,  H01B1/12 ,  H01L51/00

CPC classification number: C08G61/126 ,  C08G61/124 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1458 ,  C09K2211/1483 ,  H01B1/127 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/5048 ,  Y02E10/549

Abstract: 반복단위로서하기화학식 I의기를포함하며, 수평균분자량 M이 30 내지 70 ㎏/몰범위인벤조티아디아졸-시클로펜타디티오펜공중합체가개시된다. 화학식 I상기화학식에서, R은 n-헥사데실또는 3,7-디메틸옥틸이다. 본발명은또한반도체또는전하수송재료로서의, 박막트랜지스터(TFT)로서의, 또는유기발광다이오드(OLED)용반도체부품에서의, 광전지부품을위한, 또는센서에서의, 배터리내 전극재료로서의, 광학도파관으로서의또는전자사진응용분야를위한, 상기공중합체의용도에관한것이다.