摘要:
본 발명은 작용화 그라핀 나노리본을 제조하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 (1) 비양성자성 용매의 존재하에서 복수의 탄소 나노튜브(CNT)를 알칼리 금속 공급원에 노출시켜 그를 개방시키는 단계; 및 (2) 개방된 CNT를 친전자체에 노출시켜 작용화 그라핀 나노리본(GNR)을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 또한 개방된 CNT를 양성자성 용매에 노출시켜 그 위의 임의의 반응성 종을 ?칭시키는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 추가의 방법은 (1) 비양성자성 용매의 존재하에서 복수 개의 CNT를 알칼리 금속 공급원에 노출시켜 그를 개방시키고, (2) 개방된 CNT를 양성자성 용매에 노출시켜 비작용화 GNR을 형성함으로써 비작용화 GNR을 제조하는 방법을 포함한다.
摘要:
몇몇 실시양태에서, 본 발명은 (1) 그리드 구조물; 및 (2) 그리드 구조물과 접합된 그래핀 필름을 포함하는 투명 전극을 제공한다. 추가의 실시양태에서, 본 발명의 투명 전극은 유리와 같은 기판을 더 포함한다. 본 발명의 추가의 실시양태는 상기 기재된 투명 전극의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 방법은 일반적으로 (1) 그리드 구조물을 제공하는 단계; (2) 그래핀 필름을 제공하는 단계; 및 (3) 그래핀 필름을 그리드 구조물과 접합하는 단계를 포함한다. 추가의 실시양태에서, 본 발명의 방법은 또한 투명 전극을 기판과 접합하는 것을 포함한다.
摘要:
본 발명은 정렬 나노튜브 분절들을 포함하는 거시적 재료 및 물체의 생성에 관한 것이다. 본 발명은 유체 매질 중에 현탁화된 단일벽 탄소 나노튜브(SWNT) 분절들을 정렬한 후, SWNT의 거시적 정돈 어셈블리를 형성하는 방식으로 정렬 분절들을 현탁액으로부터 제거하는 방법을 기술한다. 또한, 본 발명은 나노튜브의 환경과, 상기 과정 이전 및 과정 동안의 환경의 변화를 조절함으로써 정돈 구조물로 자체 조립되려는 나노튜브 분절들의 고유 성향을 제어하는 것에 관한 것이다. 상기 재료 및 물체는 현미경 또는 이러한 물체의 치수의 도움 없이 볼 수 있을 정도로 충분히 크거나 또는 이러한 물체의 치수를 갖는다는 점에서 "거시적"이다. 이들 거시적 정돈 SWNT 재료 및 물체는 동일 방향으로 정렬되어 이들의 가장 인접한 이웃 튜브들과 접촉하는 나노튜브들로 이루어졌기 때문에, 이들은 SWNT가 미시적 규모에서 나타나는 놀랄만한 물리적, 전기적 및 화학적 특성을 갖는다. 또한, 밀집된 SWNT의 정돈 어셈블리는 정돈 어셈블리를 더 많이 그리고 더 크게 성장시키기 위한 주형으로서 작용한다. 또한, 정돈 어셈블리는 선택된 재료 특성들(예, 전단 강도, 인장 강도, 압축 강도, 인성, 전기 전도성 및 열 전도성)을 특별히 강화시키 위해 어셈블리를 내부적으로 변화시키는 후-가공 단계를 위한 토대로서 작용한다.
摘要:
본 발명은 탄소 나노튜브의 화학적 개질에 대한 신규 공정을 도입한다. 이러한 공정은 디아조늄종이 있는 작은 직경(약, 0.7 nm)의 단일벽 탄소 나노튜브를 비롯한 다중벽 및 단일벽 탄소 나노튜브 유도를 포함한다. 본 방법은 탄소 나노튜브의 측면 및 말단에 다양한 유기 화합물의 화학적 부착을 가능하게 한다. 이들 화학적으로 개질된 나노튜브는 중합체 복합체 물질, 분자 전자 적용 및 센서 장치에 적용된다. 유도법은 전기화학적으로 유도된 반응, 열적으로 유도된 반응(디아조늄 화합물의 원위치 제조를 통해 또는 사전형성된 디아조늄 화합물을 통해) 및 광화학적으로 유도된 반응을 포함한다. 유도는 나노튜브의 분광학적 성질에서의 상당한 변화를 유발한다. 예상 작용화도는 작용기 부분을 가진 나노튜브에서 매 20 내지 30 탄소 중 약 1 정도이다. 전기화학적 환원 공정은 나노튜브의 위치 선택적인 화학적 작용화를 가하기 위해 적합화할 수 있다. 더욱이, 적당한 화학기로 개질될 때, 나노튜브는 중합체 매트리스와 화학적으로 상용가능하고, 나노튜브의 성질(기계적 강도)을 전체적으로 복합체 물질의 성질로 이동시키게 한다. 또한, 적당한 화학기들로 개질되었을 때, 상기 기는 탄소 나노튜브를 포함하는 중합체를 형성하기 위해 중합될 수 있다.