전기화학적 성능 및 산소발생반응을 향상시키기 위해 NiCo2O4 스피넬 구조에서 니켈을 구리로 치환하는 방법

    公开(公告)号:KR1020220083589A

    公开(公告)日:2022-06-20

    申请号:KR1020210168299

    申请日:2021-11-30

    摘要: 본발명은전기화학적성능및 산소발생반응(oxygen evolution reaction, OER)을향상시키기위한 NiCo2O4 스피넬구조에서니켈(Ni)을구리(Cu)로치환하는방법에관한것으로서, 1) 전극지지대로서, 흑연팰트(graphite felt, GF)를준비하는단계; 2) 흑연팰트를열처리하는단계; 3) 흑연팰트표면의불순물을제거하기위해, 열처리및 산처리하는단계; 4) 세척및 건조하는단계; 5) Ni(NO3)2·6H2O, Cu(NO3)2·6H2O 및 Co(NO3)2·6H2O를준비하여증류수에용해시키는단계; 6) 용해이후요소를첨가하여섞어주는단계; 7) 흑연팰트전극지지대를 6) 단계에서만든용액에넣고초음파처리하는단계; 8) 가열, 냉각, 세척및 건조시키는단계; 및 9) 하소공정하는단계;를포함하여 Ni1-xCuxCo2O4/GF 전극(x = 0.125, 0.25, 0.375 및 0.5)을제조할수 있다. 본발명에따라제조된전극은니켈금속을구리로치환함에따라산소빈자리형성을통해 OH- 이온흡착이촉진되고, 장기적인반응에서전기화학적성능및 산소발생반응이매우우수해지는효과가있다.

    금속 공기 전지용 전극 재료

    公开(公告)号:KR102380372B1

    公开(公告)日:2022-03-31

    申请号:KR1020177002810

    申请日:2015-07-09

    摘要: 본발명은, 탄소골격및 공극에의한균질한공연속구조를갖고, 이온, 산소나전해질, 전해액의투과, 확산성이우수하고, 또한탄소끼리의네트워크형성에의해, 전지반응에수반하는발열을신속하게확산할수 있으며, 나아가전기전도성도양호한금속공기전지용전극재료를제공한다. 본발명은, 탄소로이루어지는골격과공극이공연속구조를형성하는공연속구조부분을갖고, 공연속구조부분의, X선산란법또는 X선 CT법으로산출되는구조주기가 0.002 내지 10㎛인다공질탄소재료를포함하는금속공기전지용전극재료이다.

    전도성 탄소 분말, 이의 제조 방법 및 이의 용도

    公开(公告)号:KR102375413B1

    公开(公告)日:2022-03-16

    申请号:KR1020167020098

    申请日:2014-12-22

    摘要: 본발명은본질적으로리그닌으로부터유래한전도성탄소분말, 이의제조방법및 이의용도에관한것이다. 상기분말은전기전도성탄소중간생성물로부터유래할수 있고, 결국본질적으로리그닌으로부터유래한다. 또한, 이의용도및 상기탄소분말을포함하는조성물이개시된다. 추가적으로본질적으로리그닌으로부터유래한전기전도성탄소중간생성물을또한포함하는상기전도성탄소분말제조방법이상기조성물제조방법과함께개시된다.

    그래핀 산화물 기반 음향 트랜스듀서 형성 방법 및 소자

    公开(公告)号:KR102374090B1

    公开(公告)日:2022-03-14

    申请号:KR1020177011692

    申请日:2015-10-06

    摘要: 음향트랜스듀서멤브레인에사용된재료는실제시스템에서이루어지게될 많은절충을필요로하는매우특별한품질을요구한다. 그래핀및 그래핀관련물질은많은음향학적변환시스템의성능에중요한기여를할 수있는몇 가지예외적인특성을가진새로발견된등급의물질이다. 따라서본 발명자들은낮은비용의제조및 처리기술을이용하는리본마이크로폰및 다이어프램확성기의기초로서그래핀산화물기반트랜스듀서를확립했다.

    탄소 나노튜브의 분급
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:KR102358249B1

    公开(公告)日:2022-02-07

    申请号:KR1020177006462

    申请日:2015-08-07

    摘要: 반전도성및 금속성단일벽 탄소나노튜브, 반전도성중합체및 용매 B를포함하는조성물 (조성물 B)로부터, 반전도성단일벽 탄소나노튜브, 반전도성중합체및 용매 A를포함하는조성물 (조성물 A)을분리하는단계를포함하며, 여기서반전도성중합체는 0.5 내지 1.8 eV 범위의밴드갭을갖고, 용매 A 및용매 B는방향족또는헤테로방향족용매를포함하는것인, 조성물 A의제조방법; 조성물 A 자체; 조성물 A를전자장치의전구체에도포함으로써층을형성하는단계를포함하는, 전자장치의형성방법; 또한이 방법에의해수득가능한전자장치가제공된다.

    투명전극 및 그의 제조방법

    公开(公告)号:KR102349582B1

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:KR1020180167681

    申请日:2018-12-21

    IPC分类号: H01B5/00 H01B1/02 H01B1/04

    摘要: 우수한신뢰성의투명전극및 그의제조방법이제안된다. 본투명전극은투명전극은그래핀층; 및그래핀층상의, 표면에금속산화물층이형성된금속나노와이어층;을포함한다.

    도전성 페이스트
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:KR102328465B1

    公开(公告)日:2021-11-17

    申请号:KR1020167026635

    申请日:2015-03-27

    摘要: 이도전성페이스트는, 은피복수지와, 열경화성수지조성물, 경화제및 용제를함유하는유기계비이클로이루어지고, 상기열경화성수지조성물이, 실온에있어서고체상태를나타내며또한 150 ℃에서의수지의용융점도가 0.5 Pa·s 이하인성질을나타내는에폭시수지조성물이고, 상기열경화성수지조성물과상기은 피복수지의함유비율이질량비로 10 ∼ 40 : 60 ∼ 90 이다.

    은이 코팅된 탄소나노튜브가 함유된 전기접점재료의 제조방법

    公开(公告)号:KR102258336B1

    公开(公告)日:2021-05-31

    申请号:KR1020170030771

    申请日:2017-03-10

    IPC分类号: H01B1/04 H01B1/02 C01B32/168

    摘要: 본발명은은이코팅된탄소나노튜브가함유된전기접점재료의제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는 (a) 탄소나노튜브를질산용액내에넣고초음파분산및 산처리를수행하는단계; (b) 상기 a단계를통해초음파분산및 산처리된탄소나노튜브를세척하는단계; (c) 세척된상기탄소나노튜브를염화주석과염산의혼합용액및 염화팔라늄과염산의혼합용액에순차적으로혼합한후 각각초음파를가하여주석과팔라늄을상기탄소나노튜브의표면에결합시키는단계; (d) 질산은수용액과암모니아수용액을넣어무색이될때까지혼합한다음상기 c단계에서제조된상기탄소나노튜브를혼합하는단계; (e) 글리옥실산수용액과수산화나트륨수용액을혼합한다음탈이온수로세척하여은이코팅된탄소나노튜브를제조하는단계; 및 (f) 은이코팅된탄소나노튜브와은, 구리, 니켈및 금으로이루어진군에서선택된 1종이상의금속이함유된합금을혼합하여분말혼합체를제조하는단계;를포함하는것을특징으로하는은이코팅된탄소나노튜브가함유된전기접점재료의제조방법에관한것이다.