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公开(公告)号：KR1020150017684A
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：KR1020140101860
申请日：2014-08-07
申请人： 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02008 , C30B15/206 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L21/324 , Y10T428/24488 , Y10T428/31
摘要： 본 발명은, 반도체 디바이스 형성 공정에 있어서의 열처리시의 슬립 전위의 발생이 억제되고, 또한, 디바이스 형성 영역에 있어서의 COP나 산소 석출핵 등의 결정 결함이 저감되며, 벌크부에 있어서의 산소 석출핵이 면 내경 방향으로 균일하게 제어된 실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
초크랄스키법에 의해 육성한 실리콘 단결정 잉곳으로부터 슬라이스한 웨이퍼에, 산소 함유 분위기 내, 최고 도달 온도 1300℃∼1380℃의 범위 내에서 5∼60초간 유지하는 급속 승강온 열처리를 행한 후, 웨이퍼의 디바이스 형성면(1)을, 하기 식 (1)∼(3)에 의해 산출되는 X의 값 이상 제거한다.
X[㎛]=a[㎛]+b[㎛] …… (1)
a[㎛]=(0.0031×최고 도달 온도[℃]-3.1)×6.4×강온 속도
-0.4 [℃/초] …… (2)
b[㎛]=a/(산소 고용 한도[atoms/㎤]/기판 산소 농도[atoms/㎤]) …… (3)摘要翻译： 本发明的目的是提供一种硅晶片，其能够在制造半导体器件的过程中控制热处理期间的滑移位错; 在制造半导体器件的区域中具有较少的晶体缺陷，例如COP和氧沉淀核; 并且其中本体部分中的氧沉淀核在晶片表面的径向方向上均匀分布，以及其制造方法。 硅晶片通过将由切克劳斯基（Czochralski）工艺生长的硅单晶锭切片的硅晶片进行快速热处理而制造，其中将硅晶片加热至1300〜1380℃的最高温度， 保持在最高温度5至60秒; 以及根据以下等式（1）至（3）计算出的X [μm]或更大的厚度去除要制造半导体器件的晶片的表面层（1）：（1）X [ 微米] = A [微米] + b [μm]的; （2）a [μm] =（0.0031×（上述最高温度）[℃] -3.1）×6.4×（冷却速度）〜0.4 [℃/秒] 和（3）b [μm] = a /（氧的固溶度极限）[原子/ cm 3] /（底物中的氧浓度）[原子/ cm 3]。
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公开(公告)号：KR101472183B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020120107200
申请日：2012-09-26
申请人： 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/324
摘要： CZ법에의해육성한웨이퍼의벌크부의직경방향에있어서의 BMD 밀도의면내균일성을높일수 있는실리콘웨이퍼의열처리방법을제공한다. 또한, BMD 사이즈의면내균일성도높일수 있고, 더욱, 웨이퍼의표층부의 COP를저감할수 있는실리콘웨이퍼의열처리방법을제공한다. CZ법에의해육성한실리콘단결정잉곳으로부터슬라이스된실리콘웨이퍼를, 산화성가스분위기속, 1325℃이상 1400℃이하의범위내의제1 최고도달온도까지승온시켜상기제1 최고도달온도를유지한후, 50℃/초이상 250℃/초이하의강온속도로강온하는제1 열처리를행하는공정과, 상기제1 열처리를행한실리콘웨이퍼를, 비산화성가스분위기속, 900℃이상 1200℃이하의범위내의제2 최고도달온도까지승온시켜상기제2 최고도달온도를유지한후, 강온하는제2 열처리를행하는공정을포함한다.
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公开(公告)号：KR101313462B1
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：KR1020127001166
申请日：2010-05-17
申请人： 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/3225
摘要： RTP시의 슬립의 발생을 억제하면서, Grown-in 결함의 저감력을 향상시킬 수 있고, 또한 RTP후 얻어지는 실리콘 웨이퍼의 표면 거칠기도 개선할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 제공한다. 실리콘 웨이퍼에 대하여, 희가스 분위기 중, 제1 승온 속도로 1300℃ 이상 실리콘의 융점 이하인 제1 온도(T
1 )까지 급속 승온시켜, 제1 온도(T
1 )를 유지한 후, 제1 강온 속도로 400℃ 이상 800℃ 이하인 제2 온도(T
2 )까지 급속 강온시키고, 계속해서, 희가스 분위기로부터 산소 가스를 20 vol.% 이상 100 vol.% 이하 함유하는 산소 함유 분위기로 전환한 후, 제2 승온 속도로 제2 온도(T
2 )로부터 1250℃ 이상 실리콘의 융점 이하인 제3 온도(T
3 )까지 급속 승온시켜, 제3 온도(T
3 )에서 유지한 후, 제2 강온 속도로 제3 온도(T
3 )로부터 급속 강온시킨다.-
公开(公告)号：KR101392034B1
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：KR1020120090138
申请日：2012-08-17
申请人： 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/8256
摘要： 본발명은, 고체촬상소자를제조하기위해서적용한경우, 제조후의고체촬상소자에종점검출부가잔존하지않고, 반도체소자부로의확산등의문제도없어, 고정밀도의박막화를실현하는것이가능한고체촬상소자용반도체기판을제공하는것을목적으로한다. 소자부형성영역이되는표면측의표층부를남기는이면측으로부터의백 가공이적용되는고체촬상소자용반도체기판으로서, 상기소자부형성영역이되는표면측의표층부와, 이표층부보다이면측방향내부에형성되고, BMD 밀도가 1×10/cm이상 1×10/cm이하인상기백 가공이적용되는제1 벌크층과, 이제1 벌크층보다이면측방향내부에형성되고, 상기제1 벌크층보다 BMD 밀도가낮으며, 그밀도가 1×10/cm이상 1×10/cm이하인상기백 가공이적용되는제2 벌크층을구비하는것을특징으로하는고체촬상소자용반도체기판.
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公开(公告)号：KR1020130023090A
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：KR1020120090138
申请日：2012-08-17
申请人： 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L27/14 , H01L21/8256
摘要： PURPOSE: A semiconductor substrate for a solid state imaging device and a method for manufacturing the solid state imaging device using the same are provided to form a thin semiconductor substrate with high precision by preventing impurities from being diffused from a semiconductor device made of materials which are different from the materials of the semiconductor substrate. CONSTITUTION: A superficial part(3a), a first bulk layer(4a), and a second bulk layer(5) are formed on a semiconductor substrate(1). The first bulk layer is formed behind the superficial part. The second bulk layer is formed behind the first bulk. A superficial part(3b) and a first bulk layer(4b) are formed on the rear of the semiconductor substrate. The first bulk layer is formed before the superficial part.
摘要翻译： 目的：提供一种用于固态成像装置的半导体衬底以及使用其的固态成像器件的制造方法，以通过防止杂质从由以下材料制成的半导体器件扩散而高精度地形成薄的半导体衬底 不同于半导体衬底的材料。 构成：在半导体衬底（1）上形成表面部分（3a），第一本体层（4a）和第二本体层（5）。 第一体层形成在表面部分后面。 第二体积层形成在第一体积后面。 在半导体衬底的后部形成表面部分（3b）和第一本体层（4b）。 第一体层在浅表部分之前形成。
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公开(公告)号：KR1020120024970A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：KR1020127001166
申请日：2010-05-17
申请人： 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/3225
摘要： RTP시의 슬립의 발생을 억제하면서, Grown-in 결함의 저감력을 향상시킬 수 있고, 또한 RTP후 얻어지는 실리콘 웨이퍼의 표면 거칠기도 개선할 수 있는 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 제공한다. 실리콘 웨이퍼에 대하여, 희가스 분위기 중, 제1 승온 속도로 1300℃ 이상 실리콘의 융점 이하인 제1 온도(T
1 )까지 급속 승온시켜, 제1 온도(T
1 )를 유지한 후, 제1 강온 속도로 400℃ 이상 800℃ 이하인 제2 온도(T
2 )까지 급속 강온시키고, 계속해서, 희가스 분위기로부터 산소 가스를 20 vol.% 이상 100 vol.% 이하 함유하는 산소 함유 분위기로 전환한 후, 제2 승온 속도로 제2 온도(T
2 )로부터 1250℃ 이상 실리콘의 융점 이하인 제3 온도(T
3 )까지 급속 승온시켜, 제3 온도(T
3 )에서 유지한 후, 제2 강온 속도로 제3 온도(T
3 )로부터 급속 강온시킨다.-
公开(公告)号：KR101657351B1
公开(公告)日：2016-09-13
申请号：KR1020140101860
申请日：2014-08-07
申请人： 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02008 , C30B15/206 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/3225 , H01L21/324 , Y10T428/24488 , Y10T428/31
摘要： 본발명은, 반도체디바이스형성공정에있어서의열처리시의슬립전위의발생이억제되고, 또한, 디바이스형성영역에있어서의 COP나산소석출핵등의결정결함이저감되며, 벌크부에있어서의산소석출핵이면 내경방향으로균일하게제어된실리콘웨이퍼및 그제조방법을제공하는것을목적으로한다.초크랄스키법에의해육성한실리콘단결정잉곳으로부터슬라이스한웨이퍼에, 산소함유분위기내, 최고도달온도 1300℃∼1380℃의범위내에서 5∼60초간유지하는급속승강온열처리를행한후, 웨이퍼의디바이스형성면(1)을, 하기식 (1)∼(3)에의해산출되는 X의값 이상제거한다.X[㎛]=a[㎛]+b[㎛]…… (1)a[㎛]=(0.0031×최고도달온도[℃]-3.1)×6.4×강온속도[℃/초]…… (2)b[㎛]=a/(산소고용한도[atoms/㎤]/기판산소농도[atoms/㎤])…… (3)
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公开(公告)号：KR101381537B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020117027499
申请日：2010-05-28
申请人： 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3225 , Y10S438/928
摘要： 웨이퍼 벌크부에 존재하는 보이드 결함이 디바이스 프로세스에서의 오염원이나 슬립의 발생원이 되는 것이 억제된 실리콘 웨이퍼, 및 RTP를 실시할 때, 디바이스 활성 영역이 되는 웨이퍼의 표면 근방에서, COP 등의 결정 결함을 저감시킬 수 있는 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 제공한다. CZ법에 의해 제조한 실리콘 웨이퍼에 대하여 RTP를 실시할 때, 제1 공간(20a) 내에 그리고 제2 공간(20b) 내에 공급하는 가스나 공간 내의 내압, 최고 도달 온도(T1) 등을 정해진 값으로 한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에 의해, 웨이퍼 표면부(1)는 보이드 결함이 존재하지 않는 무결함 영역이며, 웨이퍼 표면부(1)보다 깊은 웨이퍼 벌크부(2)는 팔면체를 기본 형상으로 하는 다면체로 구성되고, 상기 다면체의 코너부가 곡면형이며, 내벽 산화막이 제거된 보이드 결함(4)이 존재하는 실리콘 웨이퍼를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020130033985A
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：KR1020120107200
申请日：2012-09-26
申请人： 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/324
摘要： PURPOSE: A heat treating method of a silicon wafer is provided to improve the surface uniformity of a BMD size and to reduce the COP of the superficial part of a wafer. CONSTITUTION: A sliced silicon wafer of a silicon ingot is heated to a first highest temperature in the range of 1325-1400>= and is quenched with the cooling speed of 50>=/sec-250>=/sec. The silicon wafer is heated to a second highest temperature in the range of 900-1250>= and is quenched. The heating rate of the second highest temperature is 1>=/min-5>=/min. [Reference numerals] (AA) Wafer surface; (BB,HH,JJ) Surface part; (CC,II,KK) Bulk part; (DD,FF) BMD nuclei; (EE) Inner wall oxide film; (GG) Void;
摘要翻译： 目的：提供硅晶片的热处理方法以改善BMD尺寸的表面均匀性并降低晶片的表面部分的COP。 构成：将硅锭的切片硅晶片加热到1325-1400℃的第一高温，并以50℃= / sec-250℃= /秒的冷却速度淬火。 将硅晶片加热至900-1250℃的第二高温，并淬火。 第二高温的加热速率为1> = / min-5> = / min。 （附图标记）（AA）晶片表面; （BB，HH，JJ）表面部分; （CC，II，KK）散装零件; （DD，FF）BMD核; （EE）内壁氧化膜; （GG）无效;
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公开(公告)号：KR1020120013994A
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：KR1020117027499
申请日：2010-05-28
申请人： 글로벌웨어퍼스 재팬 가부시키가이샤
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3225 , Y10S438/928
摘要： 웨이퍼 벌크부에 존재하는 보이드 결함이 디바이스 프로세스에서의 오염원이나 슬립의 발생원이 되는 것이 억제된 실리콘 웨이퍼, 및 RTP를 실시할 때, 디바이스 활성 영역이 되는 웨이퍼의 표면 근방에서, COP 등의 결정 결함을 저감시킬 수 있는 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법을 제공한다. CZ법에 의해 제조한 실리콘 웨이퍼에 대하여 RTP를 실시할 때, 제1 공간(20a) 내에 그리고 제2 공간(20b) 내에 공급하는 가스나 공간 내의 내압, 최고 도달 온도(T1) 등을 정해진 값으로 한 실리콘 웨이퍼의 열처리 방법에 의해, 웨이퍼 표면부(1)는 보이드 결함이 존재하지 않는 무결함 영역이며, 웨이퍼 표면부(1)보다 깊은 웨이퍼 벌크부(2)는 팔면체를 기본 형상으로 하는 다면체로 구성되고, 상기 다면체의 코너부가 곡면형이며, 내벽 산화막이 제거된 보이드 결함(4)이 존재하는 실리콘 웨이퍼를 제공한다.
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