흡수 시트 구성체
    4.
    发明授权
    흡수 시트 구성체 有权
    吸收片构造

    公开(公告)号:KR101728199B1

    公开(公告)日:2017-04-18

    申请号:KR1020137005698

    申请日:2011-09-27

    摘要: 흡수층을갖는흡수시트구성체로서, 그흡수시트구성체의상면및/또는하면에엠보스가실시되어있고, 흡수시트구성체 (1) 의중앙영역 (W1) 에, 길이방향으로연장되는 1 개의파형엠보스로서, 1 지점이상의엠보스가중단된지점을갖는파형엠보스 (2) 가실시되어있고, 및파형엠보스 (2) 에의해형성되는파형상의각 정부 (3) 로부터선상엠보스 (4) 가실시되어이루어지고, 흡수시트구성체 (1) 에실시되는엠보스의면적이그 흡수시트구성체 (1) 의전체면적의 2 ∼ 25 % 인것을특징으로하는흡수시트구성체, 그리고그 흡수시트구성체를액체투과성시트및 액체불투과성시트로끼워이루어지는흡수성물품. 본발명에의하면, 펄프가매우적은흡수시트구성체여도, 당해흡수시트구성체의적어도상면또는하면에특정한엠보스형상을실시함으로써, 액의침투속도가빠르고, 게다가액 누출이발생하기어려운흡수시트구성체를제공할수 있다는효과가발휘된다.

    摘要翻译: 具有吸收层的吸收片材结构体,该吸收性是在上表面和/或片材结构体,进行须贺压花的下表面上,吸收性片材结构体(1)的中央区域(W1),如在的纵向方向上延伸的单个波形的压花 的是,当由波形压花(2)被形成为从上的波形的每个部分(3)的线存取压花(4),并且是接入期间,和(2)具有波形压花断点或多个点须贺压花 制成,该吸收性片材结构体(1)根据压花,面积吸收性片材结构体,其中的吸收性片材结构体(1)为2至其中执行上,并且所述的吸收性片材结构体的流体可渗透的片材总面积的25% 并且是不透液体的薄片。 根据本发明,纸浆是非常小的吸收片材结构体甚至,通过实施这样的吸收性片材结构体的至少上表面或下表面的特定压花形状,液体的渗透速度是快的,但在硬的吸收性片材结构体的流体发生泄漏 效果可以提供。

    실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법
    8.
    发明授权
    실리콘 웨이퍼 및 그 제조 방법 有权
    硅波及其制造方法

    公开(公告)号:KR101657351B1

    公开(公告)日:2016-09-13

    申请号:KR1020140101860

    申请日:2014-08-07

    IPC分类号: H01L21/324 H01L21/02

    摘要: 본발명은, 반도체디바이스형성공정에있어서의열처리시의슬립전위의발생이억제되고, 또한, 디바이스형성영역에있어서의 COP나산소석출핵등의결정결함이저감되며, 벌크부에있어서의산소석출핵이면 내경방향으로균일하게제어된실리콘웨이퍼및 그제조방법을제공하는것을목적으로한다.초크랄스키법에의해육성한실리콘단결정잉곳으로부터슬라이스한웨이퍼에, 산소함유분위기내, 최고도달온도 1300℃∼1380℃의범위내에서 5∼60초간유지하는급속승강온열처리를행한후, 웨이퍼의디바이스형성면(1)을, 하기식 (1)∼(3)에의해산출되는 X의값 이상제거한다.X[㎛]=a[㎛]+b[㎛]…… (1)a[㎛]=(0.0031×최고도달온도[℃]-3.1)×6.4×강온속도[℃/초]…… (2)b[㎛]=a/(산소고용한도[atoms/㎤]/기판산소농도[atoms/㎤])…… (3)