막형성 조성물 및 이온주입방법

    公开(公告)号:KR101926739B1

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:KR1020187019213

    申请日:2013-02-08

    Abstract: [과제] 이온주입방법 및 이온주입용 막형성 조성물 및 레지스트 하층막 형성 조성물을 제공하는 것.
    [해결수단] 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 포함하는 화합물 및 유기용제를 포함하는 막형성 조성물을 기판 상에 도포하고 베이크하여 막을 형성하는 공정, 불순물 이온을 상기 막의 상방으로부터 상기 막을 개재하여 상기 기판에 주입함과 동시에, 상기 막 중의 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 상기 기판 중에 도입하는 공정을 포함하는, 이온주입방법. 상기 막형성 조성물은, 13족, 14족, 15족 또는 16족의 원소를 포함하는 화합물 및 유기용제를 포함하는 이온주입용 막형성 조성물이다. 또한, 적어도 2개의 붕산에스테르기를 가지는 화합물을 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물이다.

    감광성 접착제 조성물
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:KR102205627B1

    公开(公告)日:2021-01-21

    申请号:KR1020197001270

    申请日:2017-08-25

    Abstract: [과제] 신규한감광성접착제조성물을제공한다. [해결수단] 하기 (A)성분, (B)성분, (C)성분및 (D)성분을포함하고, 상기 (B)성분을상기 (A)성분보다질량비로보다많이함유하는, 감광성접착제조성물. (A)성분: 하기식(1)로표시되는구조단위를갖고, 말단에하기식(2)로표시되는구조를갖는폴리머, (B)성분: 상기식(1)로표시되는구조단위를갖고, 말단에상기카르복시기또는하이드록시기를갖는폴리머, (C)성분: 라디칼형광중합개시제및 (D)성분: 용제(이들식 중, X는탄소원자수 1 내지 6의알킬기, 비닐기, 알릴기또는글리시딜기를나타내고, m 및 n은각각독립적으로 0 또는 1을나타내고, Q는탄소원자수 1 내지 16의 2가의탄화수소기를나타내고, Z는탄소원자수 1 내지 4의 2가의연결기를나타내고, 이 2가의연결기는상기식(1)에있어서의 -O-기와결합하고, R1은수소원자또는메틸기를나타낸다.) JPEG112019004427517-pct00010.jpg5798

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