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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101394868B1
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：KR1020127008681
申请日：2010-09-03
Applicant: 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 , 나카야마 겐이치
CPC classification number: H01L51/5296 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0067 , H01L51/0081 , H01L51/0504
Abstract: 전류 증폭형 트랜지스터 소자는, 에미터 전극과 콜렉터 전극과의 사이에, 2층의 유기 반도체층과 시트 형상의 베이스 전극이 구비된다. 한쪽의 유기 반도체층은, 에미터 전극과 베이스 전극과의 사이에 설치되고, p형 유기 반도체층과 n형 유기 반도체층의 다이오드 구조를 가진다. 상기 전류 증폭형 트랜지스터 소자와 그 중에 형성된 유기 EL 소자부를 포함한 전류 증폭형 발광 트랜지스터 소자도 개시되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020120065378A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020127008681
申请日：2010-09-03
Applicant: 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 , 나카야마 겐이치
CPC classification number: H01L51/5296 , B82Y10/00 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/0067 , H01L51/0081 , H01L51/0504
Abstract: 전류 증폭형 트랜지스터 소자는, 에미터 전극과 콜렉터 전극과의 사이에, 2층의 유기 반도체층과 시트 형상의 베이스 전극이 구비된다. 한쪽의 유기 반도체층은, 에미터 전극과 베이스 전극과의 사이에 설치되고, p형 유기 반도체층과 n형 유기 반도체층의 다이오드 구조를 가진다. 상기 전류 증폭형 트랜지스터 소자와 그 중에 형성된 유기 EL 소자부를 포함한 전류 증폭형 발광 트랜지스터 소자도 개시되어 있다.
Abstract translation: 在发射电极和集电极之间设置有两个有机半导体层和片状基极的电流放大晶体管器件。 有机半导体层之一配置在发射电极和集电极之间，具有p型有机半导体层和n型p型有机半导体层的二极管结构。 还公开了一种电流放大型发光晶体管器件，其包括形成在电流放大晶体管器件中的电流放大晶体管器件和有机EL器件部分。
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公开(公告)号：KR1020150004900A
公开(公告)日：2015-01-13
申请号：KR1020147033410
申请日：2012-04-27
Applicant: 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 , 나카야마 겐이치
IPC: H01L51/05
CPC classification number: H01L51/0504 , H01L51/0036 , H01L51/105 , H01L2251/301 , H01L2251/308 , H01L51/05 , H01L51/0508
Abstract: 본 발명은, 에미터 전극과 콜렉터 전극의 사이에 시트 형상의 베이스 전극이 배치되고, 또한, 상기 베이스 전극의 표리(表裏)의 각각의 측에 적어도 1층의 p형 유기 반도체층이 마련되어 있고, 또한 이들 p형 유기 반도체층과 베이스 전극의 사이에 전류 투과 촉진층이 각각 형성되어 있는 적층 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 트랜지스터 소자를 제공한다. 상기 본 발명에 의하면, 특히, 단순한 제조 프로세스에 의해서 안정적으로 제공할 수 있고, 대량 생산도 가능하게 할 수 있는 구조의 것으로서, 게다가, 에미터 전극과 콜렉터 전극의 사이에 있어서, 저전압하에서 큰 전류 변조 작용과 온/오프비가 우수한 트랜지스터 소자(MBOT)의 제공이 가능해진다.
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公开(公告)号：KR101382019B1
公开(公告)日：2014-04-04
申请号：KR1020117029637
申请日：2010-05-11
Applicant: 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 , 나카야마 겐이치
IPC: C07D403/10 , C07D403/12 , C07D209/48 , H01L51/30
CPC classification number: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L51/0053 , H01L51/0068 , H01L51/0074
Abstract: 유기 반도체 재료는 하기 일반식(F)로 표시된다.
일반식(F)
(식중의 A는 하나 이상의 방향족환으로 이루어지는 환상 공역계 골격 구조를, R
1 , R
2 는 각각 독립으로, 치환기를 가져도 좋은 알킬기를 나타낸다.)
상기 유기 반도체 재료는 높은 전자이동도 및 높은 온/오프치를 가지는 동시에, 용액을 사용한 용액 도포법에 의해 유기 반도체 박막을 형성할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020120015348A
公开(公告)日：2012-02-21
申请号：KR1020117029637
申请日：2010-05-11
Applicant: 다이니치 세이카 고교 가부시키가이샤 , 나카야마 겐이치
IPC: C07D403/10 , C07D403/12 , C07D209/48 , H01L51/30
CPC classification number: C07D209/48 , C07D409/14 , C07D495/04 , C07D495/14 , H01L51/0053 , H01L51/0068 , H01L51/0074
Abstract: 유기 반도체 재료는 하기 일반식(F)로 표시된다.
일반식(F)
(식중의 A는 하나 이상의 방향족환으로 이루어지는 환상 공역계 골격 구조를, R
1 , R
2 는 각각 독립으로, 치환기를 가져도 좋은 알킬기를 나타낸다.)
상기 유기 반도체 재료는 높은 전자이동도 및 높은 온/오프치를 가지는 동시에, 용액을 사용한 용액 도포법에 의해 유기 반도체 박막을 형성할 수 있다.
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