公开(公告)号：KR101021450B1

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：KR1020067027916

申请日：2005-09-07

申请人： 덴카 주식회사

发明人： 이와모토고 ,  히로츠루히데키 ,  히라하라가즈노리

IPC分类号： H01L23/373

CPC分类号： H05K1/05 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3733 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0284 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/09018 ,  Y10T428/12007 ,  Y10T428/249957 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/249986 ,  Y10T428/249987 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/26 ,  C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  H01L2924/00

摘要： 고신뢰성이 요구되는 반도체 부품을 탑재하는 세라믹 회로 기판의 베이스판으로서 바람직한 알루미늄-탄화 규소질 복합체를 제공한다. 평판 형상의 탄화 규소질 다공체에 알루미늄을 주성분으로 하는 금속을 함침하여 이루어지고, 양 주면에 알루미늄을 주성분으로 하는 금속으로 이루어지는 알루미늄층을 갖고, 일 주면이 회로 기판에 접합되어 타 주면이 방열면으로서 사용되는 알루미늄-탄화 규소질 복합체에 있어서, 탄화 규소질 다공체의 방열면을 볼록형의 휨 형상으로 성형 또는 기계 가공하여, 알루미늄을 주성분으로 하는 금속을 함침 후, 방열면의 알루미늄층에 추가로 기계 가공을 하고, 휨을 부여한 것을 특징으로 하는 알루미늄-탄화 규소질 복합체.

公开(公告)号：KR1020070064293A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：KR1020067027916

申请日：2005-09-07

申请人： 덴카 주식회사

发明人： 이와모토고 ,  히로츠루히데키 ,  히라하라가즈노리

IPC分类号： H01L23/373

CPC分类号： H05K1/05 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5155 ,  C04B41/88 ,  C04B2111/00844 ,  H01L23/13 ,  H01L23/142 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3733 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0284 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/09018 ,  Y10T428/12007 ,  Y10T428/249957 ,  Y10T428/249971 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/249986 ,  Y10T428/249987 ,  Y10T428/24999 ,  Y10T428/26 ,  C04B35/565 ,  C04B38/00 ,  C04B41/4521 ,  C04B41/4523 ,  H01L2924/00

摘要： An aluminum-silicon carbide composite suitably used as the base plate of a ceramic circuit board for mounting a semiconductor component requiring high reliability. An aluminum-silicon carbide composite comprising a flat silicon carbide porous element impregnated with a metal mainly containing aluminum and having an aluminum layer consisting of a metal mainly containing aluminum on each of its opposite main surfaces, one main surface being joined to a circuit board and the other main surface being used as a radiation surface, characterized in that the radiation surface of the silicon carbide porous element is formed or machined into a convexly warped shape and is impregnated with a metal mainly containing aluminum, and then the aluminum layer on the radiation surface is further machined to form a warp.

摘要翻译： 适合用作陶瓷电路板的基板的铝 - 碳化硅复合体，用于安装需要高可靠性的半导体部件。 一种铝 - 碳化硅复合体，包括浸渍有主要含有铝的金属的平坦碳化硅多孔元件，并且在其相对的主表面中的每一个上具有由主要含有铝的金属组成的铝层，一个主表面接合到电路板和 另一个主表面用作辐射表面，其特征在于，碳化硅多孔元件的辐射表面被形成或加工成凸形的弯曲形状，并且浸渍有主要包含铝的金属，然后在辐射上浸入铝层 进一步加工表面以形成翘曲。