公开(公告)号：KR1020150037638A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020140130444

申请日：2014-09-29

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 래디시리쉬케이. ,  지춘하이 ,  첸신이 ,  수브라모니움프라모드

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274

Abstract: PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 를사용하여높은에칭선택도, 저응력의 AHM (ashable hard mask) 을형성하는방법들이제공된다. 특정한실시예들에서, 이방법들은듀얼무선주파수플라즈마소스를사용하는 AHM의증착동안저주파수무선주파수전력을펄스하면서고주파수무선주파수전력을일정하게유지하는단계를수반한다. 다양한실시예들에따라, 저주파수무선주파수전력은비-제로레벨들사이에서또는전력을스위칭온하고스위칭오프함으로써펄스될수 있다. 결과적으로증착된고 선택도의 AHM은 AHM 상에부딪히는감소된이온및 원자그리고 AHM 내에트랩된수소의낮은레벨들을포함하는하나이상의요인들로인해감소된응력을가질수도있다.

Abstract translation: 提供了使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）形成高蚀刻选择性，低应力可灰化硬掩模（AHM）的方法。 在某些实施例中，所述方法包括以下步骤：在使用双射频等离子体源沉积AHM的同时，保持高频射频功率恒定，来脉冲低频射频功率。 根据各种实施例，低频射频功率可以在非零电平之间进行脉冲，或通过切换电源接通和断开。 因此，沉积的高选择性AHM可能由于一个或多个因素而具有降低的应力，包括降低AHM下的离子和原子撞击以及在AHM中捕获的氢的较低水平。