公开(公告)号：KR1020170079174A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020150189451

申请日：2015-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오태환 ,  김민정 ,  신우정 ,  오승호 ,  윤광섭 ,  이석원 ,  정명기 ,  정용출 ,  최지영

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/823456 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/42376

Abstract: 본발명의기술적사상은게이트구조체의형상및 사이즈의변화를통해다양한문턱전압이구현된반도체소자및 그제조방법을제공한다. 그반도체소자제조방법은희생층을 UV 조사식각방법을통해패턴밀도와상관없이균일한두께로제거함으로써, 남은희생층의높이를균일하게유지시킬수 있고, 그에따라 U형구조의하부메탈층의높이도균일하게유지시킬수 있다. 따라서, 그러한 U형구조의하부메탈층을포함한게이트구조체로형성된트랜지스터는게이트의길이에의존하여문턱전압이변경되되, 동일한게이트길이에대해서는동일문턱전압을갖는균일성을유지할수 있다.

Abstract translation: 本发明的技术方面提供了一种半导体器件及其制造方法，其中各种阈值电压通过栅极结构的形状和尺寸的变化而实现。 在该半导体装置的制造方法中，与图案密度无关地通过紫外线照射蚀刻法均匀地去除牺牲层，从而能够均匀地维持残留的牺牲层的高度，因此能够提高下部金属层的高度 有可能让它卡住。 因此，由包括这种U形结构的下金属层的栅极结构形成的晶体管可以在用于相同栅极长度的相同阈值电压下保持均匀性，同时根据栅极的长度改变阈值电压。

公开(公告)号：KR1020170066219A

公开(公告)日：2017-06-14

申请号：KR1020160152088

申请日：2016-11-15

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 반클림풋패트릭에이. ,  은디에게니콜라스무가

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  G03F7/028 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L21/02348 ,  C23C16/00 ,  C23C18/00 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76844 ,  H01L23/53238

Abstract: 유전체재료들을형성하기위해 UV (ultraviolet) 보조된모세관응결을위한장치및 방법들이제공된다. 일부실시예들에서, UV 구동반응은액상유동성재료의광-중합을용이하게한다. 적용예들은고 종횡비구조체들에서의고 품질갭 충진및 다공성고체유전체막의기공 (pore) 시일링을포함한다. 다양한실시예들에따라, 모세관응결및 UV 노출을위해구성된단일스테이션챔버및 멀티-스테이션챔버가제공된다.

Abstract translation: 提供用于UV（紫外线）辅助毛细管冷凝以形成介电材料的设备和方法。 在一些实施例中，UV驱动反应有利于液体流体材料的光聚合。 应用包括高纵横比结构的高质量填隙和多孔固体电介质膜的孔密封。 根据各种实施例，提供了配置用于毛细管冷凝和UV暴露的单站室和多站室。

公开(公告)号：KR1020170044174A

公开(公告)日：2017-04-24

申请号：KR1020177007658

申请日：2015-08-14

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 스토월,마이클더블유. ,  첸,용메이

IPC: H01L21/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C16/27 ,  C23C16/50 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C14/35 ,  C23C14/0611 ,  C23C16/272 ,  C23C16/50 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02266

Abstract: 나노결정질다이아몬드층을증착하기위한방법들이본원에서개시된다. 방법은, 제 1 프로세스챔버의프로세싱영역에포지셔닝된기판에스퍼터가스를전달하는단계― 제 1 프로세스챔버는탄소-함유스퍼터타겟을가짐― ; 스퍼터링플라즈마를생성하기위해스퍼터가스에에너지펄스를전달하는단계― 스퍼터링플라즈마는스퍼터링지속기간을갖고, 에너지펄스는, 1 W/cm내지 10 W/cm의평균전력, 및 100 ㎲미만의그리고 30 ㎲초과의펄스폭을갖고, 스퍼터링플라즈마는자기장에의해제어되고, 자기장은 300 가우스(Gauss) 미만임― ; 및이온화된종을형성하기위해스퍼터타겟에스터퍼링플라즈마를전달하는단계를포함할수 있으며, 이온화된종은기판상에결정질탄소-함유층을형성한다.

Abstract translation: 本文公开了用于沉积纳米晶金刚石层的方法。 该方法包括将溅射气体输送到位于第一处理室的处理区域中的基板，第一处理室具有含碳溅射靶; 传递能量脉冲，以溅射气体，以产生等离子体溅射溅射等离子体具有一个持续时间溅射能量脉冲，1瓦/平方厘米至10 W /平均功率厘米和小于100㎲和30㎲ 其中溅射等离子体受磁场控制，磁场小于300高斯; 并且转移溅射靶酯发射等离子体以形成电离物质，其中离子化物质在衬底上形成结晶含碳层。

公开(公告)号：KR1020160125912A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：KR1020160048911

申请日：2016-04-21

Applicant: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

Inventor： 청,루이 ,  만나,프라미트 ,  말릭,아브히지트바수

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/04 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0234 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32

Abstract: 본개시는, 하드마스크층과, 하드마스크층 상의후속층 사이의접착을개선하기위한방법들에관한것이다. 특히, 본개시의실시예는, 실리콘산화물층, 실리콘질화물층, 또는비정질실리콘층과같은마스크층과금속-도핑된비정질탄소층 사이의접착을개선하기위한방법들에관한것이다. 본개시의일 실시예는, 금속-도핑된비정질탄소층에대해플라즈마처리를수행하는것을포함한다.

Abstract translation: 本公开涉及用于改善硬掩模层和硬掩模层上的后续层之间的粘合性的方法。 特别地，本公开的实施方案涉及用于改善金属掺杂非晶碳层和掩模层之间的粘附性的方法，例如氧化硅层，氮化硅层或非晶硅层。 本公开的一个实施方案包括对金属掺杂的无定形碳层进行等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020160044453A

公开(公告)日：2016-04-25

申请号：KR1020167000675

申请日：2013-08-21

Applicant: 인텔 코포레이션

Inventor： 쉔커,리차드이. ,  탄,엘리엇엔.

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/528 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 장치는회로기판; 기판상의제1 면에있는제1 상호접속층 및기판상의상이한제2 면에있는제2 상호접속층; 및제1 상호접속층과제2 상호접속층을분리시키는하드마스크층을포함하고, 하드마스크층은상이한하드마스크물질들을포함하는교번하는가이드섹션들, 및비아가이드를포함한다. 방법은집적회로구조상에유전체층을형성하는것; 유전체층 내에상호접속라인들을가지는제1 상호접속층을형성하는것; 유전체층의표면상에하드마스크층을형성하는것 ―하드마스크층은상호접속라인들위에가이드섹션들을형성하는교번하는하드마스크물질들을포함함― ; 가이드섹션들중 하나내에비아가이드를형성하는것; 및비아가이드를통해상호접속라인들중 하나에전기적으로접속된하드마스크가이드층위에제2 상호접속층을형성하는것을포함한다.

Abstract translation: 一种包括电路基板的设备; 在所述衬底上的第一平面中的第一互连层和在所述衬底上的不同第二平面中的第二互连层; 以及分离所述第一互连层和所述第二互连层的硬掩模层，其中所述硬掩模层包括包括不同硬掩模材料的交替引导部分和通孔引导件。 一种包括在集成电路结构上形成介电层的方法; 在介电层中形成具有互连线的第一互连层; 在所述电介质层的表面上形成硬掩模层，所述硬掩模层包括在所述互连线上形成引导部分的交替的硬掩模材料; 在一个引导部分中形成通孔引导件; 以及在所述硬掩模引导层上形成第二互连层，所述第二互连层通过所述通孔引导件电连接到所述互连线之一。

公开(公告)号：KR101614408B1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：KR1020120109844

申请日：2012-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도아츠시 ,  미즈나가사토시 ,  오츠카타케히로

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271

Abstract: (과제) 처리용기내의처리공간에접하는부재의표면에대한카본막의밀착성을향상시켜파티클의발생을억제할수 있는성막장치의운용방법을제공한다. (해결수단) 처리용기(2) 내에서보유지지(保持) 수단(22)에보유지지된피(被)처리체(W)의표면에카본막을성막하는성막공정을행함과함께불필요한카본막을제거하기위해클리닝가스로클리닝공정을행하도록한 성막장치의운용방법에있어서, 성막공정에앞서, 처리용기내의처리공간에접하는부재의표면에카본막(74)의밀착성을향상시키고그리고클리닝가스에대하여내성을갖는내성프리코팅막(70)을형성한다. 이에따라, 카본막의밀착성을향상시키고, 게다가불필요한카본막을제거하는클리닝처리를행해도내성프리코팅막을잔존시킨다.

公开(公告)号：KR1020150117215A

公开(公告)日：2015-10-19

申请号：KR1020150047645

申请日：2015-04-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가츠누마다카유키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477 ,  H01J37/32045 ,  H01L21/02115

Abstract: 산화막과카본막이교대로적층된피처리막에, 마이크로트렌치나, 측벽의요철이적은홈을형성한다. HTO막(2020)과카본막(2021)이교대로적층된 OCOC막(202)을, OCOC막(202) 상에형성된실리콘막(203)을마스크로하여, 제1 또는제2 CF계가스와산소가스를포함하는혼합가스의플라즈마에의해에칭하는플라즈마에칭방법에있어서, OCOC막(202)의도중까지는, 불소에대한탄소의함유비율이소정의비율인제1 CF계가스와산소가스를포함하는혼합가스의플라즈마에의해, OCOC막(202)을에칭하는제1 에칭공정을행하고, OCOC막(202)의도중부터는, 불소에대한탄소의함유비율이제1 CF계가스보다높은제2 CF계가스와산소가스를포함하는혼합가스의플라즈마에의해, OCOC막(202)을에칭하는제2 에칭공정을행한다.

Abstract translation: 在要处理的膜上依次堆叠氧化膜和碳膜，形成在侧壁上具有少量凸起的微通道或凹槽。 在用于蚀刻其中HTO膜（2020）和碳膜（2021）依次用形成在OCOC膜（202）上的硅酮膜（203）作为掩模的OCOC膜（202）的等离子体蚀刻方法中， 通过包含第一或第二CF基气体和氧气的混合气体的等离子体，进行第一蚀刻工艺，以通过包含第一CF基气体的混合气体的等离子体蚀刻OCOC膜（202） 具有一定比例的碳与氟的氧气直到OCOC膜（202）的中间，并且进行第二蚀刻工艺，以通过包含第二CF基的混合气体的等离子体来蚀刻OCOC膜（202） 气体和氧气比OCOC膜（202）中间的第一CF基气体的碳与氟比高。

公开(公告)号：KR1020150109466A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：KR1020157022791

申请日：2014-01-17

Applicant: 롱이튜드 쎄미컨덕터 에스.에이.알.엘.

Inventor： 마에카와아츠시

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894

Abstract: 반도체기판(1) 상에절연막(5, 6, 18, 19), 제1 재료막(20)을차례로형성하는공정, 제1 재료막상에직사각형의제1 개구(31)를가지는마스크막(21, 22)을형성하는공정, 및마스크막을마스크로하여제1 재료막을건식식각하여, 제1 재료막에제1 방향(Y)으로단축을가지는타원형의제2 개구(31A)를형성하는공정을가진다. 마스크막을형성하는공정은, 제1 개구의제1 방향으로대향하는측면을가지는제2 재료막(21)과, 제1 개구의제2 방향으로대향하는측면을가지는제3 재료막(21, 22)을형성하는공정을포함하며, 제3 재료막의두께는제2 재료막의두께보다두껍다.

公开(公告)号：KR1020150102993A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：KR1020157016664

申请日：2013-12-30

Applicant: 에프이아이 컴파니

Inventor： 이상훈 ,  블랙우드제프리 ,  스톤스테이시

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/04

CPC classification number: H01L21/2605 ,  C23C16/045 ,  C23C16/047 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02277 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898

Abstract: 공극들(voids) 없이 높은 종횡비(high aspect ratio) 홀을 충전하기 위한, 또는 공극들 없이 높은 종횡비 구조들을 생성하기 위한 방법이, 대응하는 장치와 함께 제공된다. 상기 홀의 직경보다 더 작은 직경을 가진 빔은 상기 홀 내부로 쏘아져서, 상기 홀 바닥의 중앙 영역에서 증착의 시작을 유도한다. 상기 빔-유도 증착에 의해 상기 홀 내부에 기다란 구조가 형성된 후, 상기 홀의 나머지를 충전하기 위해, 빔은 적어도 상기 홀의 직경 크기 만큼의 패턴으로 스캔될 수 있다. 그 다음, 상기 높은 종횡비 홀은 아티팩트들의 형성 없이, 관찰을 위해, 이온 빔을 사용하여 단면을 절취(cross-sectioned)한다. 전자-빔-유도 증착이 사용될 때, 바람직하게는, 상기 전자들은 높은 에너지를 가져서 상기 홀의 바닥에 도달할 수 있도록 하며, 상기 빔은 빔 꼬리들(tails)에 의한 스퓨리어스(spurious) 증착을 감소시키기 위해 낮은 전류를 가진다.

公开(公告)号：KR1020150037638A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：KR1020140130444

申请日：2014-09-29

Applicant: 램 리써치 코포레이션

Inventor： 래디시리쉬케이. ,  지춘하이 ,  첸신이 ,  수브라모니움프라모드

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/0332 ,  C23C16/505 ,  C23C16/515 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274

Abstract: PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 를사용하여높은에칭선택도, 저응력의 AHM (ashable hard mask) 을형성하는방법들이제공된다. 특정한실시예들에서, 이방법들은듀얼무선주파수플라즈마소스를사용하는 AHM의증착동안저주파수무선주파수전력을펄스하면서고주파수무선주파수전력을일정하게유지하는단계를수반한다. 다양한실시예들에따라, 저주파수무선주파수전력은비-제로레벨들사이에서또는전력을스위칭온하고스위칭오프함으로써펄스될수 있다. 결과적으로증착된고 선택도의 AHM은 AHM 상에부딪히는감소된이온및 원자그리고 AHM 내에트랩된수소의낮은레벨들을포함하는하나이상의요인들로인해감소된응력을가질수도있다.

Abstract translation: 提供了使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）形成高蚀刻选择性，低应力可灰化硬掩模（AHM）的方法。 在某些实施例中，所述方法包括以下步骤：在使用双射频等离子体源沉积AHM的同时，保持高频射频功率恒定，来脉冲低频射频功率。 根据各种实施例，低频射频功率可以在非零电平之间进行脉冲，或通过切换电源接通和断开。 因此，沉积的高选择性AHM可能由于一个或多个因素而具有降低的应力，包括降低AHM下的离子和原子撞击以及在AHM中捕获的氢的较低水平。