公开(公告)号：KR1020130137019A

公开(公告)日：2013-12-13

申请号：KR1020137023522

申请日：2012-06-09

申请人： 마누티우스 아이피, 인크.

发明人： 펜윅윌리엄이. ,  레이머제프

IPC分类号： H01L33/12

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12

摘要： 발광 다이오드(LED)용 결정성 GaN을 제조하는 데 사용되는 실리콘 웨이퍼는 실리콘 기판, 질화 알루미늄(AlN) 버퍼 층 및 GaN 상부 층을 포함한다. 실리콘 웨이퍼는 적어도 200 mm의 직경 및 Si(111)1x1 표면을 갖는다. AlN 버퍼 층은 Si(111)표면 위에 가로놓인다. GaN 상부 층은 버퍼 층 상에 배치된다. 전체 웨이퍼에 걸쳐 AlN의 원자의 최하부 면에 AlN의 알루미늄 원자가 실질적으로 존재하지 않으며, 전체 웨이퍼에 걸쳐 AlN의 원자의 최하부 면에 실질적으로 AlN의 질소 원자만 존재한다. AlN 버퍼 층을 제조하는 방법은 트리메틸알루미늄 및 이어서 후속량의 암모니아를 챔버를 통해 유동시키기 전에 챔버를 통해 유동되는 수소의 0.01 부피% 미만인 제1량의 암모니아를 프리플로우하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR101552412B1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：KR1020137023522

申请日：2012-06-09

申请人： 마누티우스 아이피, 인크.

发明人： 펜윅윌리엄이. ,  레이머제프

IPC分类号： H01L33/12

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075

摘要： 발광다이오드(LED)용결정성 GaN을제조하는데 사용되는실리콘웨이퍼는실리콘기판, 질화알루미늄(AlN) 버퍼층 및 GaN 상부층을포함한다. 실리콘웨이퍼는적어도 200 mm의직경및 Si(111)1x1 표면을갖는다. AlN 버퍼층은 Si(111)표면위에가로놓인다. GaN 상부층은버퍼층 상에배치된다. 전체웨이퍼에걸쳐 AlN의원자의최하부면에 AlN의알루미늄원자가실질적으로존재하지않으며, 전체웨이퍼에걸쳐 AlN의원자의최하부면에실질적으로 AlN의질소원자만존재한다. AlN 버퍼층을제조하는방법은트리메틸알루미늄및 이어서후속량의암모니아를챔버를통해유동시키기전에챔버를통해유동되는수소의 0.01 부피% 미만인제1량의암모니아를프리플로우하는단계를포함한다.