公开(公告)号：KR20180044032A

公开(公告)日：2018-05-02

申请号：KR20160137596

申请日：2016-10-21

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B25/02 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B25/183 ,  C30B29/06 ,  C30B29/406 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/7806

摘要： GaN 기판을형성하기위하여, 실리콘기판의제1 면상에캡핑막을형성한다. 상기실리콘기판에서상기제1 면과반대면인제2 면상에버퍼막을형성한다. 상기버퍼막상에수소화물기상에피택시공정을수행하여갈륨질화물기판을형성한다. 그리고, 상기캡핑막및 실리콘기판을제거한다. 따라서, 실리콘기판의전체또는일부잔류에의해발생하는상기 GaN 기판의크랙또는깨짐등의불량이감소될수 있다.

公开(公告)号：KR101810242B1

公开(公告)日：2017-12-18

申请号：KR1020110051215

申请日：2011-05-30

申请人： 쌩-고벵 크리스톡스 에 드테끄퇴르

发明人： 린하르트파비앙 ,  레캄프구일라움 ,  베르메르쉬프랑수아-줄리앙

IPC分类号： H01L21/20 ,  C30B29/20 ,  H01L33/00

CPC分类号： C30B33/08 ,  C30B25/186 ,  C30B29/20 ,  C30B29/403

摘要： 본발명은단결정의표면상에금속재패드를침착한후; 패드상 및패드사이의단결정상에보호층을침착한후; 보호층보다신속하게금속을에칭하는제1 화합물로표면을에칭한후; 보호층보다신속하게단결정을에칭하는제2 화합물로표면을에칭한후; 단결정보다신속하게보호층을에칭하는제3 화합물로표면을에칭하는것을포함하는텍스처링된단결정의제조방법에관한것이다. 텍스처링된기판은 LED, 전자부품또는태양전지의제조에서 GaN, AlN 또는 III-N 화합물 (즉, 양이온이 +3 양전하를갖는금속의질화물)의에피택셜성장에사용될수 있다.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造单晶的方法，包括：在单晶的表面上沉积金属焊盘; 在焊盘和焊盘之间的焊盘顶部沉积保护层之后， 用比保护层更快地蚀刻金属的第一化合物蚀刻表面; 用比保护层更快地蚀刻单晶的第二化合物蚀刻表面; 并用第三种化合物刻蚀表面，刻蚀保护层的速度比单晶快。 在制造LED，电子元件或太阳能电池时，可以使用带纹理的衬底来外延生长GaN，AlN或III-N化合物（即，具有正+3正电荷的金属的氮化物）。

公开(公告)号：KR1020170126498A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：KR1020177029422

申请日：2016-04-05

申请人： 가부시키가이샤 사무코

发明人： 노나카나오야 ,  가와시마타다시

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  C30B29/06

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/324

摘要： 실리콘웨이퍼의이면에산화막을형성하는이면산화막형성공정과, 실리콘웨이퍼의외주부에존재하는산화막을제거하는이면산화막제거공정과, 아르곤가스분위기하에있어서열 처리를행하는아르곤어닐링공정과, 실리콘웨이퍼의표면에에피택셜막을형성하는에피택셜막형성공정을구비하고, 에피택셜막형성공정은, 실리콘웨이퍼에대하여, 수소및 염화수소를포함하는가스분위기하에있어서열 처리를행함으로써, 실리콘웨이퍼의표층을에칭하는프리베이킹공정과, 실리콘웨이퍼의표면에에피택셜막을성장시키는에피택셜막성장공정을갖는다.

摘要翻译： 氩退火工艺的表面，在氧化膜进行热处理形成工序的硅晶片是形成在硅晶片与氧化膜去除步骤的背面上的氧化膜是去除在硅晶片的外周的本氧化膜，在氩气气氛下 在具有用于通过包含氢和氯化氢的气体气氛下进行热处理，形成外延膜和外延膜形成过程中，对硅晶片，外延膜形成工序中，在硅晶片的表面层称为 预烘烤步骤以及用于在硅晶片的表面上生长外延膜的外延膜生长步骤。

公开(公告)号：KR1020170043679A

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：KR1020177010270

申请日：2014-05-26

申请人： 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤

发明人： 아이고다카시 ,  이토와타루 ,  후지모토다츠오

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  C30B25/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  B24B1/00

CPC分类号： C30B25/186 ,  B24B37/042 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  Y10T428/24355

摘要： 표면결함등이적고고품질의탄화규소단결정박막을구비한에피택셜탄화규소웨이퍼를얻을수 있는탄화규소단결정기판의제조방법및 탄화규소단결정기판을제공한다. 표면결함등이적고고품질의탄화규소단결정박막을갖는에피택셜탄화규소웨이퍼용탄화규소단결정기판의제조방법이며, 탄화규소단결정기판의표면을연마속도 100㎚/hr. 이하의 CMP(화학기계연마)법에의해연마하여표면을두께 100㎚이상제거하고, 직경 0.5㎛이상 1.5㎛이하, 깊이 50㎚이상 500㎚이하의대략원 형상의피트를 1개/㎠이하로한다.

摘要翻译： 更小，例如表面缺陷，并提供一种生产在碳化硅晶片与具有高品质的碳化硅单晶薄膜的碳化硅单晶基板而得到的碳化硅单晶外延衬底的方法。 的表面缺陷如制造外延碳化硅单晶基板，其具有高品质的碳化硅单晶薄膜，在碳化硅单晶基板的去除速率100㎚/ hr的表面的碳化硅晶片的小的方法。 抛光的通过CMP（化学机械抛光）小于100㎚去除表面的厚度的方法，和的脚的多于0.5㎛1.5㎛下文深度大致圆形形状的直径大于或小于50㎚500㎚低于1 /㎠ 的。

公开(公告)号：KR1020170030485A

公开(公告)日：2017-03-17

申请号：KR1020167034482

申请日：2015-07-14

申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤 ,  스미또모 덴꼬오 하드메탈 가부시끼가이샤

发明人： 니시바야시요시키 ,  다츠미나츠오 ,  스미야히토시 ,  우에다아키히코 ,  고바야시유타카

IPC分类号： C30B29/04 ,  B23B27/14

CPC分类号： C30B29/04 ,  C01B32/25 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20

摘要： 경도및 내결손성이균형잡히게향상된단결정다이아몬드, 이단결정다이아몬드의제조방법, 상기다이아몬드를이용한공구를제공한다. 질소원자를포함하는단결정다이아몬드로서, 상기단결정다이아몬드중의전체질소원자수에대한상기단결정다이아몬드중의고립치환형질소원자수의비율이 0.02% 이상 40% 미만인단결정다이아몬드이다.

摘要翻译： 硬度和抗破损性，以及使用钻石的工具。 一种包含氮源的单晶金刚石，其中所述单晶金刚石中分离的离散数量的氮原子的数量与所述单晶金刚石中氮原子的总数之比为0.02％以上且小于40％。

公开(公告)号：KR1020160150595A

公开(公告)日：2016-12-30

申请号：KR1020160077029

申请日：2016-06-21

申请人： 도요타 지도샤(주) ,  잇빤자이단호진 화인 세라믹스 센터

发明人： 세키아키노리 ,  이시카와유카리

IPC分类号： C30B25/18 ,  C30B31/22 ,  C30B29/36 ,  C23C14/18 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C16/06

CPC分类号： C30B25/186 ,  C23C14/18 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  C23C14/48 ,  C23C16/325 ,  C30B23/025 ,  C30B29/36 ,  C30B25/18 ,  C23C14/24 ,  C23C16/06 ,  C30B31/22

摘要： (과제) 효율적으로질소를도프할수 있는, SiC 결정의제조방법을제공한다. 또, SiC 결정의일부영역에대해서만 N 도너농도를높게할 수있는, SiC 결정의제조방법을제공한다. (해결수단) Si, C 및 N 을함유하는원료가스를공급하여, SiC 기판상에, N 으로도프된 SiC 결정을기상성장시키는 SiC 결정의제조방법으로서, 상기 SiC 기판은, La, Ce 혹은 Ti 가표면의일부또는전부에퇴적되어있는 SiC 기판, 혹은, La, Ce 혹은 Ti 가표면의일부또는전부에이온주입되어있는 SiC 기판인, SiC 결정의제조방법.

摘要翻译： 一种SiC晶体的制造方法，其特征在于，供给含有Si，C，N的原料气体，在SiC基板上使N掺杂的SiC晶体气相生长，其特征在于，所述SiC衬底为SiC衬底，其中，La，Ce或Ti 沉积在表面的一部分或全部或者其中La，Ce或Ti离子被注入部分或全部表面的SiC衬底中。

公开(公告)号：KR101663200B1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：KR1020127007578

申请日：2010-09-29

申请人： 국립대학법인 홋가이도 다이가쿠

发明人： 토미오카,카츠히로 ,  후쿠이,타카시 ,  타나카,토모타카

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/303 ,  C23C16/45525 ,  C30B25/005 ,  C30B25/186 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02609 ,  H01L29/045 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391

摘要： 본발명은, 작은서브임계값으로동작가능하면서도용이하게제조할수 있는터널전계효과트랜지스터에관한것이다. 본발명의터널전계효과트랜지스터는, 제1 도전형으로도프된 IV족반도체기판과; 상기 IV족반도체기판의 (111)면상에배치된 III-V족화합물반도체나노와이어로서, 상기 IV족반도체기판의 (111)면에접속된제1 영역과, 상기제1 도전형과다른제2 도전형으로도프된제2 영역을포함한 III-V족화합물반도체나노와이어와; 상기 IV족반도체기판에접속된소스전극과; 상기 III-V족화합물반도체나노와이어의제2 영역에접속된드레인전극과; 상기 IV족반도체기판의 (111)면과상기 III-V족화합물반도체나노와이어의계면, 또는상기 III-V족화합물반도체나노와이어의제1 영역과제2 영역의계면에효과를미칠수 있는위치에배치된게이트전극을가진다.

公开(公告)号：KR1020150110339A

公开(公告)日：2015-10-02

申请号：KR1020150034734

申请日：2015-03-13

申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤

发明人： 오노아키히토 ,  미타니요이치로 ,  야마모토타카히로 ,  토미타노부유키 ,  하마노켄이치

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/16 ,  H01L21/306 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/186 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02428 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/24 ,  H01L21/205 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/16

摘要： 제품의신뢰성을향상시킬수 있는탄화규소반도체장치의제조방법을얻는다. 우선, 평균거칠기 0.2nm 이하의평탄성을갖는탄화규소단결정기판(1)을준비한다. 다음에, 탄화규소단결정기판(1)의표면을환원성가스분위기중에서가스에칭한다. 가스에칭후에탄화규소단결정기판(1)의표면위에탄화규소막(6)을에피택셜성장시킨다. 여기에서, 가스에칭의에칭레이트를 0.5㎛/h 이상 2.0㎛/h 이하로한다.

摘要翻译： 本发明获得能够提高产品可靠性的碳化硅半导体器件的制造方法。 首先，准备平均粗糙度为0.2mm以下的平坦度的碳化硅单晶基板（1）。 然后，在还原气体的气氛下对碳化硅单晶基板的表面进行气蚀刻。 在气蚀刻之后，在硅碳单晶衬底（1）的表面上外延蚀刻碳化硅层（6）。 其中气刻蚀刻的蚀刻速率在0.5um / h和2.0um / h之间。

公开(公告)号：KR101552412B1

公开(公告)日：2015-09-10

申请号：KR1020137023522

申请日：2012-06-09

申请人： 마누티우스 아이피, 인크.

发明人： 펜윅윌리엄이. ,  레이머제프

IPC分类号： H01L33/12

CPC分类号： C30B25/183 ,  C30B25/10 ,  C30B25/14 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075

摘要： 발광다이오드(LED)용결정성 GaN을제조하는데 사용되는실리콘웨이퍼는실리콘기판, 질화알루미늄(AlN) 버퍼층 및 GaN 상부층을포함한다. 실리콘웨이퍼는적어도 200 mm의직경및 Si(111)1x1 표면을갖는다. AlN 버퍼층은 Si(111)표면위에가로놓인다. GaN 상부층은버퍼층 상에배치된다. 전체웨이퍼에걸쳐 AlN의원자의최하부면에 AlN의알루미늄원자가실질적으로존재하지않으며, 전체웨이퍼에걸쳐 AlN의원자의최하부면에실질적으로 AlN의질소원자만존재한다. AlN 버퍼층을제조하는방법은트리메틸알루미늄및 이어서후속량의암모니아를챔버를통해유동시키기전에챔버를통해유동되는수소의 0.01 부피% 미만인제1량의암모니아를프리플로우하는단계를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150047474A

公开(公告)日：2015-05-04

申请号：KR1020157000842

申请日：2013-06-12

申请人： 티브라 코포레이션

发明人： 데인드라닐 ,  마추카프란시스코

IPC分类号： H01L21/48 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18

CPC分类号： C30B1/02 ,  C30B23/005 ,  C30B23/025 ,  C30B25/165 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/403 ,  C30B29/52

摘要： 다중층기판구조물은기판, 기판상에형성되는열 매칭층, 상기열 매칭층 위의격자매칭층을포함한다. 열매칭층은몰리브덴, 몰리브덴-구리, 멀라이트, 사파이어, 그래파이트, 알루미늄-산질화물들, 실리콘, 실리콘탄화물, 아연산화물들및 희토류산화물들중 적어도하나를포함한다. 격자매칭층은합금을형성하도록제 1 화학원소및 제 2 화학원소를포함한다. 제 1 및제 2 화학원소는유사한결정구조들및 화학적특성들을갖는다. 열매칭층의열 팽창계수와격자매칭층의격자파라미터둘 다는 III-V족화합물반도체의일원(member)의것과대략동일하다. 격자매칭층의격자상수는 III-V족화합물반도체의일원의것과대략동일하다. 격자매칭층 및열 매칭층은측방향제어셔터를이용하여기판상에성막될수 있다.