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公开(公告)号:KR101681524B1
公开(公告)日:2016-12-01
申请号:KR1020147012384
申请日:2012-10-10
申请人: 메르크 파텐트 게엠베하
IPC分类号: G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号: G03F7/405 , C08F220/56 , C08F226/02 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0273
摘要: [과제] 표면거칠음, 브릿지결함, 또는미해상등의불량이없는, 미세한네거티브형포토레지스트패턴을형성할수 있는조성물과, 이를사용한패턴형성방법의제공. [해결수단] 화학증폭형레지스트조성물을사용하여네거티브형레지스트패턴을형성시키는방법에서, 레지스트패턴을두껍게함으로써패턴을미세화하기위하여사용되는미세패턴형성용조성물로서, 반복단위중에,중어느하나의구조를포함하는중합체와, 용제를포함하여이루어지는조성물. 유기용제현상액으로현상하여수득되는네거티브형포토레지스트패턴에상기조성물을도포하고, 가열함으로써, 미세한패턴을형성시킨다.
摘要翻译: 本发明提供一种能够形成没有诸如表面粗糙度,桥接缺陷和分辨率故障等麻烦的细的负性光致抗蚀剂图案的组合物。 并且还提供使用该组合物的图案形成方法。 解决问题的方法利用化学放大抗蚀剂组合物在形成负性抗蚀剂图案的过程中,通过对所述图案进行增肥来使用精细图案形成组合物来使抗蚀剂图案小型化。 精细图案形成组合物包含含有具有下式(A),(B)或(C)结构的重复单元的聚合物和溶剂。 将该组合物浇铸在通过用有机溶剂显影剂显影获得的负型抗蚀剂图案上,然后加热形成精细图案。
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公开(公告)号:KR1020140090189A
公开(公告)日:2014-07-16
申请号:KR1020147012384
申请日:2012-10-10
申请人: 메르크 파텐트 게엠베하
IPC分类号: G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号: G03F7/405 , C08F220/56 , C08F226/02 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/325 , G03F7/40 , H01L21/0273 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要: [과제] 표면 거칠음, 브릿지 결함, 또는 미해상 등의 불량이 없는, 미세한 네거티브형 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있는 조성물과, 이를 사용한 패턴 형성 방법의 제공.
[해결 수단] 화학증폭형 레지스트 조성물을 사용하여 네거티브형 레지스트 패턴을 형성시키는 방법에서, 레지스트 패턴을 두껍게 함으로써 패턴을 미세화하기 위하여 사용되는 미세 패턴 형성용 조성물로서, 반복 단위 중에,摘要翻译: 本发明提供一种能够形成没有诸如表面粗糙度,桥接缺陷和分辨率故障等麻烦的细的负性光致抗蚀剂图案的组合物。 并且还提供使用该组合物的图案形成方法。 解决问题的方法利用化学放大抗蚀剂组合物在形成负性抗蚀剂图案的过程中,通过对所述图案进行增肥来使抗微细图案形成组合物使抗蚀剂图案小型化。 精细图案形成组合物包含含有具有下式(A),(B)或(C)结构的重复单元的聚合物和溶剂。 将该组合物浇铸在通过用有机溶剂显影剂显影获得的负型抗蚀剂图案上,然后加热形成精细图案。
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公开(公告)号:KR101879173B1
公开(公告)日:2018-07-18
申请号:KR1020147003670
申请日:2012-07-13
申请人: 메르크 파텐트 게엠베하
IPC分类号: G03F7/40 , C08F226/02 , H01L21/027
CPC分类号: G03F7/32 , C08F8/28 , C08F8/30 , C08F8/34 , C08F226/02 , C08F226/04 , C08F2800/10 , C08F2810/30 , C08F2810/50 , C09D139/00 , G03F7/405 , H01L21/0273 , Y10T428/24802 , C08F126/02 , C08F8/12
摘要: [과제] 높은에칭내성을갖는레지스트패턴을형성시킬수 있는미세패턴형성용조성물, 및이를사용한레지스트패턴의형성방법의제공. [해결수단] 측쇄에방향족함유치환기를갖는수용성수지와순수를포함하는미세패턴형성용조성물. 이조성물은, 수용성수지에결합된산기를포함하거나, 또는조성물중에유리된산을포함하고있다.
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公开(公告)号:KR1020140050055A
公开(公告)日:2014-04-28
申请号:KR1020147003670
申请日:2012-07-13
申请人: 메르크 파텐트 게엠베하
IPC分类号: G03F7/40 , C08F226/02 , H01L21/027
CPC分类号: G03F7/32 , C08F8/28 , C08F8/30 , C08F8/34 , C08F226/02 , C08F226/04 , C08F2800/10 , C08F2810/30 , C08F2810/50 , C09D139/00 , G03F7/405 , H01L21/0273 , Y10T428/24802 , C08F126/02 , C08F8/12
摘要: [과제] 높은 에칭 내성을 갖는 레지스트 패턴을 형성시킬 수 있는 미세 패턴 형성용 조성물, 및 이를 사용한 레지스트 패턴의 형성 방법의 제공.
[해결 수단] 측쇄에 방향족 함유 치환기를 갖는 수용성 수지와 순수를 포함하는 미세 패턴 형성용 조성물. 이 조성물은, 수용성 수지에 결합된 산기를 포함하거나, 또는 조성물 중에 유리된 산을 포함하고 있다.
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