-
公开(公告)号:KR101914965B1
公开(公告)日:2018-11-05
申请号:KR1020120095538
申请日:2012-08-30
申请人: 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号: G03F7/26 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号: G03F7/0045 , C07C2602/14 , C07C2603/56 , C07C2603/74 , C08F212/08 , C08F220/10 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/325 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , Y10S430/114
摘要: (과제) KrF광, 전자선및 EUV광을사용하여고해상및 고에칭내성을갖고, 또한현상잔사결함이저감된네거티브형의패턴을형성가능한패턴형성방법, 그방법에사용되는감활성광선성또는감방사선성수지조성물및 감활성광선성또는감방사선성막을제공하는것. (해결수단) (A) 산의작용에의해분해되어극성기를보이는기를갖는반복단위를함유하고, 또한방향족기를함유하는산의작용에의해유기용제에대한용해도가감소하는수지, (B) 활성광선또는방사선의조사에의해산이발생되는비이온성화합물, 및 (C) 용제를포함하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을사용하여막을형성하는공정, 상기막을노광하는공정, 노광된막을유기용제를포함하는현상액을사용해서현상함으로써네거티브형패턴을형성하는공정을포함하는패턴형성방법.
-
公开(公告)号:KR101888730B1
公开(公告)日:2018-08-14
申请号:KR1020150151528
申请日:2015-10-30
申请人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
CPC分类号: G03F7/40 , C07C381/12 , C08F220/14 , C08F220/24 , C08F220/28 , C09D133/06 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L21/0274
摘要: [해결수단] 카르복실기가산불안정기로치환된반복단위를갖는고분자화합물과산발생제를포함하는레지스트조성물의레지스트막을형성하여, 이것을노광하고, 가열처리후에유기용제의현상액을이용하여네가티브패턴을형성하고, 이네가티브패턴위로부터식(1)으로나타내어지는고분자화합물과탄소수 7~16의에스테르계용제및/또는탄소수 8~16의케톤계용제를함유하는수축제용액을도포하고, 베이크후 유기용제현상액으로제거하여, 패턴의스페이스부분의치수를축소시키는패턴형성방법.(R, R은 H 또는 CH, R, R은 H, F 또는 1가탄화수소기, R, R, R은 H 또는 1가탄화수소기, R, R은 H 또는 1가탄화수소기, R는산불안정기, X, X는 2가탄화수소기, k, k는 0 또는 1, 0
-
公开(公告)号:KR101870220B1
公开(公告)日:2018-06-22
申请号:KR1020157026747
申请日:2014-03-05
申请人: 후지필름 가부시키가이샤
IPC分类号: G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32 , C07C381/12 , C08K5/36 , C08L101/00
CPC分类号: C07C381/12 , C07D309/12 , C07D317/22 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2004 , G03F7/2041 , G03F7/2059 , G03F7/325 , H01L21/0275
摘要: 일반식(1) 또는 (2)으로나타내어지는화합물을함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물에의해, 미세(예를들면, 선폭또는스페이스폭 50nm 이하)의패턴형성의영역에있어서, 높은해상성및 노광래티튜드, 및양호한패턴형상을실현하는화합물, 감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 레지스트막, 패턴형성방법, 및이들을사용한전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공한다.
-
公开(公告)号:KR101869314B1
公开(公告)日:2018-06-20
申请号:KR1020167023696
申请日:2011-08-26
申请人: 후지필름 가부시키가이샤
CPC分类号: G03F7/40 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/405 , H01L29/02
摘要: 본발명은 (a) 화학증폭형레지스트조성물로막을형성하는공정, (b) 상기막을광에노광하는공정, (c) 상기노광된막을유기용제를포함하는현상액을사용해서현상하는공정, 및 (d) 상기현상된막을유기용제를포함하고현상액의비중보다큰 비중을갖는린스액을사용해서린싱하는것을포함하는패턴형성방법이다.
-
公开(公告)号:KR101869310B1
公开(公告)日:2018-06-20
申请号:KR1020167020561
申请日:2015-02-16
申请人: 후지필름 가부시키가이샤
CPC分类号: G03F7/16 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/26 , G03F7/325 , G03F7/38
摘要: 패턴형성방법은, 산의작용에의하여분해되어극성기를발생하는기를갖는수지를적어도함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여기판상에막을형성하는공정 (1)과, 막을노광하는공정 (2)와, 노광된막을실질적으로용해시키지않고, 노광된막중에발생하는극성기와이온결합, 수소결합, 화학결합및 쌍극자상호작용중 어느하나의상호작용을하는성분과, 노광된막을접촉시키는공정 (3)과, 노광된막을유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하고, 막중의노광량이적은영역을제거하여, 패턴을형성하는공정 (4)를이 순서로갖는다.
-
公开(公告)号:KR101857979B1
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:KR1020167002771
申请日:2014-07-28
申请人: 후지필름 가부시키가이샤
发明人: 요시노후미히로
IPC分类号: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号: G03F7/325 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/2041
摘要: 종래의더블패터닝법과는전혀다른신규패턴형성방법으로서, 1회의노광및 1회의현상으로, 패턴의피치를미세화할수 있는패턴형성방법, 이에이용되는감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 레지스트막, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공한다. 특히, 마스크를이용한경우, 마스크의피치의절반이하의피치의패턴을형성할수 있는패턴형성방법, 이에이용되는감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 레지스트막, 전자디바이스의제조방법, 및전자디바이스를제공한다. 하기공정 (가)~(다)를갖는패턴형성방법. (가) 미노광상태로부터노광량이증가함에따라현상액에대한용해도가증대해가는데, 소정노광량이상이되면상기용해도가감소해가는막을감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여형성하는공정, (나) 상기막을노광하는공정, 및 (다) 현상액전체량에대하여유기용제를 80질량% 이상포함하는현상액을이용하여, 상기노광된막을현상하는공정.
-
公开(公告)号:KR101855230B1
公开(公告)日:2018-05-09
申请号:KR20177004169
申请日:2015-08-21
IPC分类号: G03F7/039 , C08F220/28 , G03F7/038
CPC分类号: G03F7/038 , C08F220/18 , C08F220/24 , C08F220/26 , C08F220/28 , C08F220/36 , C08F228/06 , C08F230/08 , C08F2220/282 , C08F2220/283 , C08F2220/365 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/32 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274 , C08F2220/1858 , C08F2220/1866 , C08F2220/185 , C08F2220/1825 , C08F2220/1875 , C08F2230/085 , C08F220/22
摘要: 본발명은, DOF가크고, 또한 LWR이작은감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 상기조성물을이용한패턴형성방법, 및전자디바이스의제조방법을제공하는것을목적으로한다. 본발명의감활성광선성또는감방사선성수지조성물은, 수지 P와, 활성광선또는방사선의조사에의하여산을발생하는화합물을함유하는, 감활성광선성또는감방사선성수지조성물로서, 상기수지 P가특정식으로나타나는반복단위 p1 및반복단위 p2를갖고, 상기반복단위 p2가하이드록시아다만틸기의하이드록시기가산의작용에의하여분해되어탈리하는기로보호된기를갖지않는다.
-
公开(公告)号:KR101853253B1
公开(公告)日:2018-05-02
申请号:KR1020110106014
申请日:2011-10-17
申请人: 삼성전자주식회사
IPC分类号: H01L21/027
CPC分类号: G03F7/20 , G03F7/0392 , G03F7/2028 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/40
摘要: 본발명은생산수율을증대또는극대화할수 있는포토리소그래피방법을개시한다. 그의방법은, 활성영역및 에지영역을갖는웨이퍼상에포토레지스트를도포하는단계와, 상기에지영역의상기포토레지스트를자외선에에지노광하는단계와, 상기활성영역의상기포토레지스트를상기자외선에패턴노광하는단계와, 상기에지영역의상기포토레지스트에제 1 현상액을선택적으로제공하여상기에지영역에서상기포토레지스트를제거하는단계와, 상기활성영역의상기포토레지스트를제 2 현상액으로현상하는단계를포함한다.
-
公开(公告)号:KR20180041639A
公开(公告)日:2018-04-24
申请号:KR20180040967
申请日:2018-04-09
发明人: CHANG YOUNG HONG , EUI HYUN RYU , MIN KYUN JANG , DONG YOUNG KIM , JAE YUN AHN
CPC分类号: G03F7/11 , C09D133/06 , G03F7/0397 , G03F7/095 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , C08L37/00
摘要: 포토레지스트조성물위에적당하게도포되는탑코트조성물이제공된다. 바람직한탑코트조성물은 (i) 산불안정한그룹을포함하는질소-함유모이어티를포함한제1 단위; 및 (ii) (1) 하나이상의소수성그룹을포함하고 (2) 상기제1 단위와구별되는제2 단위를포함하는제1 폴리머를포함한다.
-
公开(公告)号:KR20180039677A
公开(公告)日:2018-04-18
申请号:KR20187006702
申请日:2014-07-25
申请人: INPRIA CORP
IPC分类号: G03F7/004 , G03F1/48 , G03F1/56 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/09 , G03F7/20 , G03F7/30 , H01L21/56
CPC分类号: G03F7/0042 , G03F7/0043 , G03F7/09 , G03F7/20 , G03F7/2002 , G03F7/2037 , G03F7/30 , G03F7/32 , G03F7/322 , G03F7/325
摘要: 유기금속용액은박막코팅을사용하는높은해상도방사선기반의패터닝을제공하는것으로밝혀졌다. 상기패터닝은선택된패턴을가지는코팅된표면의조사및 현상된이미지를형성하기위한현상제를사용한패턴의현상을포함할수 있다. 상기패터닝가능한코팅(patternable coating)은유기현상제또는수성산 또는염기현상제에의한포지티브-톤패터닝또는네가티브-톤패터닝에민감할수 있다. 상기방사선민감성코팅은유기리간드및 금속옥소/히드록소네트워크를포함할수 있다. 전구체용액은유기액체, 및금속탄소결합및/또는금속카르복실레이트결합을가지는유기리간드를가지는금속다핵옥소-히드록소양이온을포함할수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-