듀얼 현상 공정을 포함한 포토리소그래피 방법
    8.
    发明授权
    듀얼 현상 공정을 포함한 포토리소그래피 방법 有权
    光刻方法包括双重开发过程

    公开(公告)号:KR101853253B1

    公开(公告)日:2018-05-02

    申请号:KR1020110106014

    申请日:2011-10-17

    IPC分类号: H01L21/027

    摘要: 본발명은생산수율을증대또는극대화할수 있는포토리소그래피방법을개시한다. 그의방법은, 활성영역및 에지영역을갖는웨이퍼상에포토레지스트를도포하는단계와, 상기에지영역의상기포토레지스트를자외선에에지노광하는단계와, 상기활성영역의상기포토레지스트를상기자외선에패턴노광하는단계와, 상기에지영역의상기포토레지스트에제 1 현상액을선택적으로제공하여상기에지영역에서상기포토레지스트를제거하는단계와, 상기활성영역의상기포토레지스트를제 2 현상액으로현상하는단계를포함한다.