公开(公告)号：KR101342892B1

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：KR1020117015931

申请日：2009-12-25

Applicant: 미쓰미덴기가부시기가이샤 ,  아크레이 가부시키가이샤

Inventor： 수바교,아구스 ,  나카무라,모토노리 ,  야마바야시,토모아키 ,  타카하시,오사무 ,  키쿠치,히로아키 ,  콘도,카츠노리

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: G01N27/4146 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/107

Abstract: 본발명은뛰어난전기전도특성을안정적으로나타내는탄소나노튜브전계효과트랜지스터, 그제조방법, 및상기전계효과트랜지스터를가지는바이오센서에관한것이다. 먼저, LOCOS법에의해실리콘기판의컨택영역에산화실리콘막을형성한다. 이어서, 실리콘기판의채널영역에컨택영역의산화실리콘막보다얇은절연막을형성한다. 이어서, 실리콘기판상에채널이되는탄소나노튜브를배치한후, 탄소나노튜브를보호막으로피복한다. 마지막으로, 소스전극및 드레인전극을각각형성하여소스전극및 드레인전극을각각탄소나노튜브에전기적으로접속시킨다. 이와같이하여제조된전계효과트랜지스터는채널이되는탄소나노튜브가오염되어있지않으므로, 뛰어난전기전도특성을안정적으로나타낸다.

公开(公告)号：KR1020110112327A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：KR1020117015931

申请日：2009-12-25

Applicant: 미쓰미덴기가부시기가이샤 ,  아크레이 가부시키가이샤

Inventor： 수바교,아구스 ,  나카무라,모토노리 ,  야마바야시,토모아키 ,  타카하시,오사무 ,  키쿠치,히로아키 ,  콘도,카츠노리

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: G01N27/4146 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/107 ,  H01L29/772

Abstract: 본 발명은 뛰어난 전기 전도 특성을 안정적으로 나타내는 탄소 나노튜브 전계 효과 트랜지스터, 그 제조 방법, 및 상기 전계 효과 트랜지스터를 가지는 바이오센서에 관한 것이다. 먼저, LOCOS법에 의해 실리콘 기판의 컨택 영역에 산화 실리콘막을 형성한다. 이어서, 실리콘 기판의 채널 영역에 컨택 영역의 산화 실리콘막보다 얇은 절연막을 형성한다. 이어서, 실리콘 기판상에 채널이 되는 탄소 나노튜브를 배치한 후, 탄소 나노튜브를 보호막으로 피복한다. 마지막으로, 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 형성하여 소스 전극 및 드레인 전극을 각각 탄소 나노튜브에 전기적으로 접속시킨다. 이와 같이 하여 제조된 전계 효과 트랜지스터는 채널이 되는 탄소 나노튜브가 오염되어 있지 않으므로, 뛰어난 전기 전도 특성을 안정적으로 나타낸다.