복합 슬러리를 이용한 사파이어 연마공정
    1.
    发明公开
    복합 슬러리를 이용한 사파이어 연마공정 失效
    SAPPHIRE与复合材料的抛光

    公开(公告)号:KR1020100065382A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:KR1020107008506

    申请日:2008-10-03

    CPC classification number: C09K3/1463 C09G1/02

    Abstract: Improved slurry compositions comprising a mixture of a first type of particles and a second type of abrasive particles dispersed within an aqueous medium, and abrasive slurry compositions for use chemical mechanical planarization (CMP) processes, particularly abrasive slurry compositions for polishing of sapphire. These abrasive slurry compositions comprise a mixture of a first type of abrasive particles having a hardness that is harder than the surface being polished and a second type of abrasive particles have a hardness that is softer than the surface being polished, particularly mixtures of silicon carbide abrasive particles and silica abrasive particles, dispersed within an aqueous medium.

    Abstract translation: 改进的浆料组合物,其包含第一类型的颗粒和分散在水性介质中的第二类型磨料颗粒的混合物,以及用于使用化学机械平面化(CMP)工艺的磨料浆料组合物,特别是用于抛光蓝宝石的磨料浆料组合物。 这些磨料浆料组合物包含第一类磨料颗粒的混合物,该磨料颗粒的硬度比待抛光的表面硬,并且第二类磨料颗粒具有比被抛光表面更硬的硬度,特别是碳化硅磨料的混合物 颗粒和二氧化硅磨料颗粒分散在水性介质中。

    복합 슬러리를 이용한 사파이어 연마공정
    5.
    发明授权
    복합 슬러리를 이용한 사파이어 연마공정 失效
    SAPPHIRE与复合材料的抛光

    公开(公告)号:KR101170030B1

    公开(公告)日:2012-08-01

    申请号:KR1020107008506

    申请日:2008-10-03

    CPC classification number: C09K3/1463 C09G1/02

    Abstract: 수성매질 내에 분산되어 있으며, 제1형 입자와 제2형 연마입자와의 혼합물을 포함하는 개선된 슬러리 조성물, 및 화학기계적 평탄화(CMP) 공정에 사용되는 연마재 슬러리 조성물, 특히는 사파이어 연마를 위한 연마재 슬러리 조성물이 개시된다. 이들 연마재 슬러리 조성물은, 수성매질 내에 분산되어 있으며, 피연마 표면보다 단단한 경도를 가진 제1형 연마입자와, 피연마 표면보다 연성이 높은 경도를 가진 제2형 연마입자의 혼합물로 이루어지되, 구체적으로는 탄화규소 연마입자와 실리카 연마입자와의 혼합물로 이루어진다.

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