公开(公告)号：KR101561989B1

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：KR1020107020042

申请日：2009-02-05

申请人： 생-고뱅 생트레 드 레체르체 에 데투드 유로삐엔

发明人： 조지,에릭 ,  마르갱,올리비에르 ,  모이트리에르,리오넬 ,  시띠,올리비에르

IPC分类号： C04B35/573 ,  C04B35/66 ,  C04B35/64 ,  F27D1/16

CPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/6263 ,  C04B38/0074 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  C25C3/085 ,  F27B3/08 ,  F27B3/20 ,  F27D1/0006 ,  Y02P10/262

摘要： 본발명은질화규소바인더(SiN)를형성하기위하여 1,100℃내지 1,700℃사이에서반응성소결된탄화규소(SiC)를기저로하고, 0.05% 내지 1.5%의붕소를포함하며, SiN/SiC 중량비율이 0.05 내지 0.45 범위에있는소결물질, 특히알루미늄전기분해셀(cell) 제조를위한소결물질에관한것이다. 본발명은특히, 전기분해셀(cell)에대한응용에관한것이다.

公开(公告)号：KR101323577B1

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：KR1020127028263

申请日：2008-10-03

申请人： 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드

发明人： 박쉬압하야케이. ,  체리안이삭케이.

IPC分类号： C04B41/50 ,  C09K3/14 ,  B82B3/00 ,  C04B35/565

CPC分类号： C09K3/1436 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/62889 ,  C04B35/62892 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993

摘要： 개선된 탄화규소 입자, 개선된 탄화규소 연마 입자, 및 화학기계적 평탄화(CMP) 공정에 사용되는 연마재 슬러리 조성물이 개시된다. 이들 입자는 나노크기의 탄화물 입자로 이루어질 수 있으며, 특히 실리카와 유사한 표면 화학성을 가지는 탄화규소 입자로 이루어질 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080073635A

公开(公告)日：2008-08-11

申请号：KR1020077024668

申请日：2006-04-14

申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤

发明人： 가가요우이치로우 ,  기쿠치히로미 ,  이마무라히사유키 ,  와타나베준이치

IPC分类号： C04B35/593 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/3731 ,  C04B35/584 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/0355 ,  H01L2924/00

摘要： This invention provides a silicon nitride substrate, which has a high coefficient of thermal conductivity in the thickness-wise direction and has high fracture toughness in the thickness-wise direction, a silicon nitride wiring board using the silicon nitride substrate, which has low heat resistance and is highly reliable, and a semiconductor module using this silicon nitride wiring board, which has low heat resistance and is highly reliable. The silicon nitride substrate comprises beta-type silicon nitride and at least one rare earth element. The degree of in-plane orientation fa of the silicon nitride substrate is 0.4 to 0.8. In this case, the degree of in-plane orientation fa refers to the proportion of orientation in a plane perpendicular to the thickness-wise direction determined based on the proportion of each X-ray diffraction line intensity for a predetermined lattice plane of beta-type silicon nitride.

摘要翻译： 本发明提供一种氮化硅衬底，其在厚度方向具有高导热系数，并且在厚度方向上具有高断裂韧性，使用具有低耐热性的氮化硅衬底的氮化硅接线板 并且是高度可靠的，并且使用这种氮化硅接线板的半导体模块具有低耐热性和高可靠性。 氮化硅衬底包括β型氮化硅和至少一种稀土元素。 氮化硅衬底的面内取向fa的程度为0.4〜0.8。 在这种情况下，面内取向fa的程度是指垂直于厚度方向的平面中的取向比例，其基于针对β型的预定晶格面的每个X射线衍射线强度的比例 氮化硅。

公开(公告)号：KR1020170125037A

公开(公告)日：2017-11-13

申请号：KR1020177024535

申请日：2016-03-04

申请人： 카나가와 인스티튜트 오브 인더스트리얼 사이언스 앤 테크놀로지 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 요코하마 고쿠리츠다이가쿠

发明人： 다카하시다쿠마 ,  다타미준이치 ,  스기모토나나코

IPC分类号： C04B35/593 ,  C04B35/626 ,  C04B35/638 ,  C04B35/645

CPC分类号： C09K5/14 ,  C04B35/10 ,  C04B35/117 ,  C04B35/584 ,  C04B35/5935 ,  C04B35/62635 ,  C04B35/62839 ,  C04B35/62847 ,  C04B35/62881 ,  C04B35/62892 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/63444 ,  C04B35/64 ,  C04B35/803 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3218 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/448 ,  C04B2235/522 ,  C04B2235/5224 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6027 ,  C04B2235/605 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/9607 ,  H01F1/11 ,  C04B35/62615 ,  C04B35/62625 ,  C04B35/638 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/602

摘要： 본발명의결정배향세라믹스의제조방법은, 자화율의이방성을갖는자기이방성입자 (A) 와, 상기자기이방성입자 (A) 의 1/10 이하의자화율의이방성을갖고, 배향시키고자하는결정축이단축또는장축에상당하는이방적인형상의무기화합물로이루어지는종 입자 (B) 로이루어지는복합입자 (C) 를형성하는제 1 공정과, 상기복합입자 (C) 를포함하는원료분말 (D) 를용매에첨가하여, 상기원료분말 (D) 및상기용매를포함하는슬러리를조제하는제 2 공정과, 상기슬러리를 0.1 테슬라 (T) 이상의정자장중에배치하고, 상기종 입자 (B) 의장축방향의결정축을일방향으로배향시킨상태에서, 상기슬러리를건조시켜, 성형체를성형하는제 3 공정과, 상기성형체를소결하는제 4 공정을갖는다.

摘要翻译： （A）具有磁化率的各向异性和磁各向异性的磁化率为磁性各向异性颗粒（A）的1/10或更小，并且要取向的晶轴被缩短 （C），其包含由具有对应于原料粉末（D）的长轴的各向异性形状的无机化合物制成的种子颗粒（B）和原料粉末 第二步，通过将该浆液加入0.1特斯拉（T）或更高的精子管中来制备含有原料粉末（D）和溶剂的浆液， 第三步骤，在其中轴线沿一个方向取向以形成成形体的状态下干燥浆料;以及第四步骤，烧结成形体。

公开(公告)号：KR1020170021282A

公开(公告)日：2017-02-27

申请号：KR1020177000733

申请日：2015-06-16

申请人： 우베 고산 가부시키가이샤

发明人： 야마오다케시 ,  혼다미치오 ,  지다신스케

IPC分类号： C01B21/068 ,  C04B35/584 ,  C04B35/64 ,  C04B35/63 ,  H05K1/03

CPC分类号： C01B21/068 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C04B35/584 ,  C04B35/626 ,  C04B2235/3882 ,  H05K1/0201 ,  H05K1/0306 ,  C01P2002/70 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/9607

摘要： 본발명은, 높은열전도율을가지면서도, 높은기계적강도도더불어갖는질화규소소결체및 회로기판, 그원료가되는질화규소분말및 그제조방법을제공하는것을과제로한다. 본발명에서는비표면적이 4.0∼9.0 m/g이고, β상의비율이 40%보다작고, 산소함유량이 0.20∼0.95 질량%이고, 레이저회절산란법에의한체적기준의입도분포측정에의해얻어지는빈도분포곡선이 2개의피크를갖고, 상기피크의피크톱이 0.4∼0.7 ㎛의범위와 1.5∼3.0 ㎛의범위에있고, 상기피크톱의빈도의비(입자직경 0.4∼0.7 ㎛범위의피크톱의빈도/입자직경 1.5∼3.0 ㎛범위의피크톱의빈도)가 0.5∼1.5이고, 상기입도분포측정에의해얻어지는메디안직경 D50(㎛)과, 상기비표면적으로부터산출되는비표면적상당직경 D(㎛)의비 D50/D(㎛/㎛)가 3.5 이상인질화규소분말, 이질화규소분말로부터얻어지는질화규소소결체및 회로기판, 및그 질화규소분말의제조방법을제공한다.

摘要翻译： 本发明解决了提供具有高机械强度和高导热性的氮化硅烧结体和电路基板的问题。 用作这些的起始材料的氮化硅粉末; 以及氮化硅粉末的制造方法。 本发明提供的氮化硅粉末的比表面积为4.0-9.0m 2 / g，相位比小于40％，氧含量为0.20-0.95质量％，其中： 使用激光衍射散射进行的基于体积的粒度分布测定获得的分布曲线具有两个峰; 峰顶在0.4-0.7μm的范围内，分别在1.5-3.0μm的范围内; 峰的峰值的频率的比率（峰的峰值的频率在0.4-0.7μm的粒度范围内/峰的峰值频率在1.5-3.0μm的范围内） 为0.5-1.5; 和从粒度分布测定得到的中值粒径（D50）（μm）的比（D50 / D BET）（μm/μm），与比表面积当量直径（D BET）（μm） 表面积至少为3.5。 还提供有：由氮化硅粉末获得的氮化硅烧结体和电路基板; 以及氮化硅粉末的制造方法。

公开(公告)号：KR1020110066939A

公开(公告)日：2011-06-17

申请号：KR1020117008594

申请日：2009-09-17

申请人： 다이아몬드 이노베이션즈, 인크.

发明人： 말릭압스-사미 ,  돌스티븐

IPC分类号： C04B35/5831 ,  C04B35/584 ,  C04B35/10 ,  B23B27/00

CPC分类号： C04B35/5831 ,  C04B35/117 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/5276

摘要： 본원은, 입방정 질화붕소 (cBN), 다양한 세라믹 산화물, 질화물의 매트릭스 성분, 및 매트릭스 재료의 고용체 뿐만 아니라 휘스커 보강재로 구성되는 복합재를 제공한다. 이의 제조 방법 및 철 금속의 고성능 가공시에 사용하는 용도가 청구되고 개시되어 있다.

公开(公告)号：KR101599572B1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：KR1020117008594

申请日：2009-09-17

申请人： 다이아몬드 이노베이션즈, 인크.

发明人： 말릭압스-사미 ,  돌스티븐

IPC分类号： C04B35/5831 ,  C04B35/584 ,  C04B35/10 ,  B23B27/00

CPC分类号： C04B35/5831 ,  C04B35/117 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3843 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/5276

摘要： 본원은, 입방정질화붕소 (cBN), 다양한세라믹산화물, 질화물의매트릭스성분, 및매트릭스재료의고용체뿐만아니라휘스커보강재로구성되는복합재를제공한다. 이의제조방법및 철금속의고성능가공시에사용하는용도가청구되고개시되어있다.

公开(公告)号：KR101246978B1

公开(公告)日：2013-03-25

申请号：KR1020077024668

申请日：2006-04-14

申请人： 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤

发明人： 가가요우이치로우 ,  기쿠치히로미 ,  이마무라히사유키 ,  와타나베준이치

IPC分类号： C04B35/593 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/3731 ,  C04B35/584 ,  C04B37/021 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/122 ,  C04B2237/124 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/36 ,  C04B2237/402 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/60 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K2201/0355 ,  H01L2924/00

摘要： 두께방향으로 높은 열전도율을 갖는 동시에, 두께방향으로 높은 파괴인성을 갖는 질화규소 기판을 제공함으로써, 열저항이 낮고, 신뢰성이 높은 질화규소 배선기판을 제공하며, 더 나아가서는 이 질화규소 배선기판을 사용한 반도체 모듈의 저열저항화 및 고신뢰성화를 도모한다.
개시되는 질화규소 기판은 β형 질화규소와 1종류 이상의 희토류원소를 함유하고 있다. 또한, 이 질화규소 기판은 β형 질화규소의 소정 격자면의 각각의 X선 회절선 강도의 비율로부터 정해지는 두께방향에 수직인 면내에 있어서의 배향 비율을 나타내는 면내 배향도 fa가 0.4~0.8이다.

公开(公告)号：KR1020120131237A

公开(公告)日：2012-12-04

申请号：KR1020127028263

申请日：2008-10-03

申请人： 생-고뱅 세라믹스 앤드 플라스틱스, 인코포레이티드

发明人： 박쉬압하야케이. ,  체리안이삭케이.

IPC分类号： C04B41/50 ,  C09K3/14 ,  B82B3/00 ,  C04B35/565

CPC分类号： C09K3/1436 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/62807 ,  C04B35/62889 ,  C04B35/62892 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C09K3/1409 ,  C09K3/1463 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2993

摘要： 개선된 탄화규소 입자, 개선된 탄화규소 연마 입자, 및 화학기계적 평탄화(CMP) 공정에 사용되는 연마재 슬러리 조성물이 개시된다. 이들 입자는 나노크기의 탄화물 입자로 이루어질 수 있으며, 특히 실리카와 유사한 표면 화학성을 가지는 탄화규소 입자로 이루어질 수 있다.

公开(公告)号：KR1020100118133A

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：KR1020107020042

申请日：2009-02-05

申请人： 생-고뱅 생트레 드 레체르체 에 데투드 유로삐엔

发明人： 조지,에릭 ,  마르갱,올리비에르 ,  모이트리에르,리오넬 ,  시띠,올리비에르

IPC分类号： C04B35/573 ,  C04B35/66 ,  C04B35/64 ,  F27D1/16

CPC分类号： C04B35/565 ,  C04B35/6263 ,  C04B38/0074 ,  C04B2111/00853 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/349 ,  C04B2235/3804 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3878 ,  C04B2235/3882 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9669 ,  C25C3/085 ,  F27B3/08 ,  F27B3/20 ,  F27D1/0006 ,  Y02P10/262

摘要： 본 발명은 질화규소 바인더(Si
3 N
4 )를 형성하기 위하여 1,100℃ 내지 1,700℃ 사이에서 반응성 소결된 탄화규소(SiC)를 기저로 하고, 0.05% 내지 1.5%의 붕소를 포함하며, Si
3 N
4 /SiC 중량 비율이 0.05 내지 0.45 범위에 있는 소결 물질, 특히 알루미늄 전기분해 셀(cell) 제조를 위한 소결 물질에 관한 것이다. 본 발명은 특히, 전기분해 셀(cell)에 대한 응용에 관한 것이다.