플라즈몬 공명을 이용한 유기박막 태양전지 및 그의 제조방법
    1.
    发明授权
    플라즈몬 공명을 이용한 유기박막 태양전지 및 그의 제조방법 有权
    有机薄膜太阳能电池使用表面等离子体共振及其制造方法

    公开(公告)号:KR101245160B1

    公开(公告)日:2013-03-19

    申请号:KR1020110041396

    申请日:2011-05-02

    发明人: 김창순 이응규

    IPC分类号: H01L51/42

    CPC分类号: Y02E10/549 Y02P70/521

    摘要: 본 발명은 플라즈몬 공명을 이용한 유기박막 태양전지 및 이의 제조방법에 대한 것이다. 본 발명의 유기박막 태양전지는, 기판, 상기 기판 상에 형성되며 격자형의 투명금속 패턴을 포함하는 양전극, 상기 양전극 상에 형성되며 전자공여층 및 전자수용층을 포함하는 유기다층박막, 상기 상기 유기다층박막 상에 형성되는 음전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
    본 발명의 유기박막 태양전지 및 그의 제조방법에 따르면, 양전극을 격자형의 투명금속 패턴으로 형성함으로써, 표면플라즈몬(Surface plasmon polariton) 공명에 의해 광전변환층에 강한 빛 에너지를 집중시킬 수 있다. 이에 따라 빛 에너지의 흡수율을 증가시켜 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있다.

    플라즈몬 공명을 이용한 유기박막 태양전지 및 그의 제조방법
    2.
    发明公开
    플라즈몬 공명을 이용한 유기박막 태양전지 및 그의 제조방법 有权
    有机薄膜太阳能电池使用表面等离子体共振及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020120123826A

    公开(公告)日:2012-11-12

    申请号:KR1020110041396

    申请日:2011-05-02

    发明人: 김창순 이응규

    IPC分类号: H01L51/42

    摘要: PURPOSE: An organic thin film solar cell and a manufacturing method thereof are provided to increase absorption rate of light energy by concentrating strong light energy on a photoelectric transformation layer using Plasmon resonance. CONSTITUTION: A positive electrode(20) is formed on a substrate. The positive electrode comprises a transparency metal pattern of a lattice shape. An organic multi-layered thin film is formed on the positive electrode. The organic multi-layered thin film comprises an electron donation layer, an electron acceptation layer, and a hole-transport layer(35). The hole-transport layer is formed between the electron donation layer and the positive electrode. A negative electrode is formed on the organic multi-layered thin film.

    摘要翻译: 目的:提供一种有机薄膜太阳能电池及其制造方法,以通过使用等离子体共振将强光聚焦在光电转换层上来增加光能的吸收率。 构成:在基板上形成正极(20)。 正极包括格子状的透明金属图案。 在正极上形成有机多层薄膜。 有机多层薄膜包括电子供体层,电子接受层和空穴传输层(35)。 在电子给予层和正极之间形成空穴传输层。 在有机多层薄膜上形成负极。

    음극 버퍼층을 구비한 다이오드 소자
    3.
    发明授权
    음극 버퍼층을 구비한 다이오드 소자 有权
    二极管器件包括阴极缓冲层

    公开(公告)号:KR101685063B1

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:KR1020150018620

    申请日:2015-02-06

    发明人: 김연상 이응규

    摘要: 본발명은다이오드소자에관한것으로, 더욱상세하게는양극판; 상기양극판상의절연체층; 상기절연체층 상의음극버퍼층; 및상기음극버퍼층상의음극전극;을포함하는것을특징으로한다. 본발명에따른음극버퍼층을구비한다이오드소자는절연체의두께및 Bottom의 electrode에대한제한이없으며, 한방향및 양방향정류를절연체의두께에따라선택적으로제어할수 있다. 또한, 제작이용이하여대량생산이가능하고향상된특성및 modify에우수한특성을제공할수 있다.

    摘要翻译: 本发明涉及一种二极管,包括:正极板; 正极板上的绝缘体层; 绝缘体层上的负电极缓冲层; 在负极缓冲层上形成负极。 具有负极缓冲层的二极管不限制绝缘体和底部的电极的厚度; 并根据绝缘体的厚度有选择地控制单向和双向整流。 由于易于制造,大量生产是可能的。 提供了二极管的改进的特征和优异的特征。

    고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 따라 제조된 고성능 산화물 박막트랜지스터
    4.
    发明公开
    고성능 산화물 박막트랜지스터의 제조방법 및 이에 따라 제조된 고성능 산화물 박막트랜지스터 无效
    具有高性能的氧化物薄膜晶体管及其制造的氧化物薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:KR1020160097428A

    公开(公告)日:2016-08-18

    申请号:KR1020150018623

    申请日:2015-02-06

    IPC分类号: H01L29/786 H01L21/324

    摘要: 본발명은종래의산화물박막트랜지스터에비해월등하게모빌리티가증가되어투명디스플레이, 특히대면적디스플레이에적용할수 있는고성능산화물박막트랜지스터의제조방법에관한것이다.

    摘要翻译: 本发明涉及一种具有高性能的氧化物薄膜晶体管的制造方法,与现有氧化物薄膜晶体管相比具有特别增加的迁移率。 因此,具有高性能的氧化物薄膜晶体管能够应用于透明显示器,具体地应用于大尺寸显示器。 具有高性能的氧化物薄膜晶体管的制造方法包括:在手套箱中用氧化物绝缘体溶液涂布基板的步骤,并在100-300℃的温度下预热基板; 在100〜600℃的温度下在15〜80%的湿度下加热基板的步骤,并将其冷却以形成氧化物绝缘体薄膜; 以及在手套箱中用氧化物半导体溶液涂覆氧化物绝缘体薄膜并加热该氧化物绝缘体薄膜以形成氧化物半导体薄膜的步骤。

    음극 버퍼층을 구비한 다이오드 소자
    5.
    发明公开
    음극 버퍼층을 구비한 다이오드 소자 有权
    包含阴极缓冲层的二极管器件

    公开(公告)号:KR1020160097426A

    公开(公告)日:2016-08-18

    申请号:KR1020150018620

    申请日:2015-02-06

    发明人: 김연상 이응규

    摘要: 본발명은다이오드소자에관한것으로, 더욱상세하게는양극판; 상기양극판상의절연체층; 상기절연체층 상의음극버퍼층; 및상기음극버퍼층상의음극전극;을포함하는것을특징으로한다. 본발명에따른음극버퍼층을구비한다이오드소자는절연체의두께및 Bottom의 electrode에대한제한이없으며, 한방향및 양방향정류를절연체의두께에따라선택적으로제어할수 있다. 또한, 제작이용이하여대량생산이가능하고향상된특성및 modify에우수한특성을제공할수 있다.

    摘要翻译: 本发明涉及一种二极管,包括:正极板; 正极板上的绝缘体层; 绝缘体层上的负电极缓冲层; 在负极缓冲层上形成负极。 具有负极缓冲层的二极管不限制绝缘体和底部的电极的厚度; 并根据绝缘体的厚度有选择地控制单向和双向整流。 由于易于制造,大量生产是可能的。 提供了二极管的改进的特征和优异的特征。

    다이오드
    6.
    发明公开
    다이오드 无效
    二极管

    公开(公告)号:KR1020170027904A

    公开(公告)日:2017-03-13

    申请号:KR1020150124055

    申请日:2015-09-02

    摘要: 본발명은 PN 접합다이오드, 트랜지스터백투백다이오드(transistor-back-to-back diode) 등의다른다이오드에비해제조비용을절감할수 있고, 공정안정성, 내구성, 전기적특성이우수하며, 산업에서널리쓰이는박막공정으로제작이용이한신규한구조의다이오드에관한것이다.

    투명 다이오드
    7.
    发明公开
    투명 다이오드 无效
    透明二极管

    公开(公告)号:KR1020160029930A

    公开(公告)日:2016-03-16

    申请号:KR1020140118800

    申请日:2014-09-05

    IPC分类号: H01L29/86

    CPC分类号: H01L29/86 H01L33/00

    摘要: 본발명은 PN 접합다이오드, 트랜지스터백투백다이오드등의다른다이오드에비해제조비용을절감할수 있고고성능이며, 투명디스플레이에적용될수 있는신규한구조의투명다이오드에관한것이다.

    摘要翻译: 本发明涉及一种具有新颖结构的透明二极管,与其它二极管(例如PN结二极管,晶体管背对背二极管等)相比可降低制造成本。 透明二极管具有高性能,可应用于透明显示器。 透明二极管包括:阳极基板; 正极基板上的绝缘层; 绝缘层上的半导体层; 以及半导体层上的阴极电极。