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公开(公告)号：KR102222262B1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR1020130137885
申请日：2013-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L43/08 , H01L27/105
Abstract: 자기저항구조체및 그제조방법, 이를구비하는전자소자가개시된다. 개시된자기저항구조체제조방법은, 육방정계질화붕소층을형성하는단계와, 질화붕소층상에그래핀층을형성하는단계와, 인터칼레이션공정에의해질화붕소층과그래핀층사이에제1자성물질층을형성하는단계와, 그래핀층상에제2자성물질층을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020200130015A
公开(公告)日：2020-11-18
申请号：KR1020190055291
申请日：2019-05-10
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 가천대학교 산학협력단
IPC: H01L45/00 , G06N3/063 , H01L29/772 , H01L21/8234
Abstract: 본발명은인간의뇌 신경망을모사하는시냅스소자및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른멀티비트시냅스소자는, 전계효과트랜지스터(FET) 및상기전계효과트랜지스터에직렬연결된가변저항메모리(CBRAM)를포함하며, 상기전계효과트랜지스터는, 반도체채널층; 상기반도체채널층의양 단부에각각배치되는제 1 소오스/드레인및 제 2 소오스/드레인; 상기제 1 및제 2 소오스/드레인사이의상기반도체채널층상에배치되는게이트절연막; 상기게이트절연막상에배치되는유전체막; 및상기유전체막상에배치되는게이트전극을포함하며, 상기가변저항메모리의일 전극이상기트랜지스터의상기제 1 및제 2 소오스/드레인중 어느하나에연결되고, 상기유전체막은생체복합유전물질을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101966531B1
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：KR1020170085659
申请日：2017-07-05
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/739 , H01L29/73 , H01L29/78
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公开(公告)号：KR101923772B1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：KR1020160131502
申请日：2016-10-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명의 2차원나노박막을전사시키는방법에있어서, 방법은모기재상에 2차원나노박막을형성하는단계; 2차원나노박막상에금속박막을형성하는단계; 금속박막상에지지체층을형성하는단계; 2차원나노박막, 금속박막및 지지체층이순차적으로적층된모기재를물에침지시켜, 모기재로부터 2차원나노박막을박리시키는단계; 2차원나노박막, 금속박막및 지지체층이순차적으로적층된구조에서 2차원나노박막이새로운기판과접촉하도록새로운기판상에부착시키는단계; 및지지체층및 금속박막을제거하는단계를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101805827B1
公开(公告)日：2018-01-10
申请号：KR1020160033635
申请日：2016-03-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/792 , H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/788 , H01L29/861
CPC classification number: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/861
Abstract: 본발명의일 실시예에따른부성미분저항(negative differential resistance) 소자는기판; 기판상에형성되고, 제 1 극성을갖는축퇴된제 1 반도체층; 기판상에형성되고, 제 2 극성을갖는축퇴된제 2 반도체층; 제 1 반도체층의일측단부에결합된제 1 전극; 제 2 반도체층의일측단부에결합된제 2 전극; 및제 1 반도체층과제 2 반도체층의접촉영역사이에위치한트랩층을포함하되, 트랩층은산화물층이고, 부성미분저항소자의동작시캐리어가트랩층에트랩되도록한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的负差分电阻器件包括：衬底; 退化的第一半导体层，形成在衬底上并具有第一极性; 退化的第二半导体层，形成在所述衬底上并且具有第二极性; 耦合到第一半导体层的一端的第一电极; 耦合到第二半导体层的一端的第二电极; 以及位于半导体层的接触区域之间的陷阱层，其中陷阱层是氧化物层，其中载流子在负差分电阻器件的操作期间被捕获在陷阱层中。
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公开(公告)号：KR1020170102768A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020160025330
申请日：2016-03-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 2차원맥세인박막의제조방법, 이를이용한전자소자의제조방법, 2차원맥세인박막을포함하는전자소자에서, 2차원맥세인박막의제조방법은 MAlC 맥스상벌크(M은전이금속을나타낸다)를불산처리하여 MC(OH)F맥세인벌크(0
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公开(公告)号：KR1020160090141A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020150010059
申请日：2015-01-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G01N21/8803 , C21D1/00 , C23C16/00 , G01N1/28
Abstract: 광학현미경을이용하여금속기판상에성장된대면적그래핀의결함을검사하는방법이개시된다. 광학현미경을이용하여금속기판상에성장된대면적그래핀의결함을검사하는방법은상기대면적그래핀이성장된금속기판을습기가제거된건조한분위기및 산소분위기에서열처리하는산소분위기건식열처리단계를포함하고, 상기산소분위기건식열처리단계동안산소가상기그래핀의결함을통과하여상기결함에대응하는상기금속기판의부분을산화시킴으로써상기대면적그래핀의결함을검사할수 있다.
Abstract translation: 公开了使用光学显微镜检测在金属基板上生长的大面积石墨烯中的缺陷的方法。 根据本发明的实施例，使用光学显微镜检测在金属基板上生长的大面积石墨烯中的缺陷的方法包括：氧气氛干热处理步骤，对金属基板进行热处理， 大面积石墨烯生长在除去水分和氧气的干燥气氛中; 并且能够通过在氧气氛干热处理步骤期间使氧通过石墨烯的缺陷来检测大面积石墨烯的缺陷，对与该缺陷相对应的金属基板的一部分进行氧化。
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公开(公告)号：KR1020140114199A
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020130028757
申请日：2013-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L29/267 , H01L29/778 , H01L29/7781
Abstract: Disclosed is a heterogeneous layered structure of a hexagonal boron nitride sheet (h-BN) and a graphene sheet, an electric device using the same, and a fabricating method thereof. The heterogeneous layered structure has a high quality interface state having few impurities between the h-BN sheet and the graphene sheet, by successively forming the graphene sheet with a vapor deposition method after a large-area h-BN sheet is grown on a metal substrate with a vapor deposition method. The heterogeneous layered structure of the h-BN and the graphene which has a high quality interface condition and a large area can be used for various electronic devices including a FET.
Abstract translation: 公开了六方氮化硼片（h-BN）和石墨烯片的异质层状结构，使用其的电子装置及其制造方法。 通过在大面积h-BN片材在金属基板上生长后，通过依次形成石墨烯片材，通过依次形成石墨烯片，异质层状结构具有h-BN片和石墨烯片之间杂质少的高质量界面状态 用气相沉积法。 具有高质量界面条件和大面积的h-BN和石墨烯的异质分层结构可用于包括FET的各种电子器件。
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