公开(公告)号：KR1020160036021A

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：KR1020160030497

申请日：2016-03-14

Applicant: 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤

Inventor： 야스다슈이치로 ,  실즈스캇 ,  바라크리쉬난무라리크리쉬난 ,  쿡베스 ,  라마스바미두라이비삭니르말

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1608 ,  H01L21/28 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16

Abstract: 집적회로시스템및 그제조방법은, 어드레스스위치를갖는집적회로다이, 화학적기상증착또는원자층증착의특성을갖고, 어드레스스위치에결합되고, 할로겐성분이없는하부전극콘택트, 하부전극콘택트직상의전이물질층, 및집적회로다이에불휘발성메모리어레이를형성하기위한전이물질층직상의상부전극콘택트를포함한다.

Abstract translation: 集成电路系统及其制造方法技术领域本发明涉及集成电路系统及其制造方法。 集成电路系统的制造方法包括：具有地址开关的直流电路管芯; 具有化学气相沉积性质或原子层沉积性能的下电极接触件，其耦合到地址开关而不具有卤素元素; 位于下电极接触器正上方的过渡材料层; 以及放置在过渡材料层上的上电极接触件，以在直流电路管芯上形成非易失性存储器阵列。