-
公开(公告)号：KR101869378B1
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：KR1020160074866
申请日：2016-06-16
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0097 , H01L27/2436 , H01L29/685 , H01L29/7869 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/149 , H01L45/1608
Abstract: 본발명에따른비휘발성메모리소자는반도체기판상에마련되는하부전극, 상기하부전극상에마련되는저항층및 상기저항층상에마련되는상부전극을포함하고, 상기저항층은산화그라핀(Graphene Oxide) 박막과산화철(Iron Oxide) 박막을포함하고, 상기산화그라핀박막상에상기산화철박막이적층된구조이며, 상기상부전극에인가되는전압에따라상기저항층의저항값이변화되는것을특징으로한다.
-
公开(公告)号：KR101796790B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020110002192
申请日：2011-01-10
Applicant: 소니 주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/142 , G11C13/0007 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 기억소자는: 제 1 전극, 기억층및 제 2 전극을이 순서로가지며, 상기기억층은, 음이온성분으로서텔루르(Te)를가장많이포함하고, 상기제 1 전극측에마련되는고저항층과, 적어도 1종의금속원소를포함함과함께, 텔루르(Te), 유황(S) 및셀렌(Se)중의적어도 1종의칼코겐원소를포함하고, 상기제 2 전극측에마련되는이온원층을구비한다.
Abstract translation: 该存储元件依次具有第一电极，存储层和第二电极，其中存储层包含大部分碲（Te）作为阴离子组分和高电阻层 并且，选自碲（Te），硫（S）和硒（Se）中的至少一种硫族元素和设置在第二电极侧的离子源层 和。
-
3.发明公开
公开(公告)号：KR1020170089726A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020160010338
申请日：2016-01-27
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1266 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1658
Abstract: 상기스위칭소자는기판상의제1 전극및 제2 전극, 및상기제1 전극및 상기제2 전극사이에배치되고다공성산화물을포함하는전해질부를포함한다. 상기스위칭소자는상기제1 전극또는상기제2 전극으로부터제공되는금속이온의산화및 환원반응에근거하여문턱스위칭(threshold switching) 동작을수행한다.
Abstract translation: 开关元件包括在基板上的第一电极和第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间并包括多孔氧化物的电解质部分。 开关元件基于从第一电极或第二电极提供的金属离子的氧化和还原反应来执行阈值开关操作。
-
公开(公告)号：KR1020170068346A
公开(公告)日：2017-06-19
申请号：KR1020150175456
申请日：2015-12-09
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사
CPC classification number: H01L27/2427 , H01L27/2418 , H01L45/085 , H01L45/10 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146
Abstract: 일실시예에있어서, 스위칭소자는기판상에배치되는제1 전극, 스위칭층및 제2 전극을포함한다. 상기스위칭층은제1 원자의산화물또는질화물, 및상기산화물또는질화물에도펀트로서도핑되는제2 원자를포함한다. 상기제1 원자의원자가와상기제2 원자의원자가는서로다르다.
Abstract translation: 在一个实施例中，开关元件包括设置在基板上的第一电极，开关层和第二电极。 切换层包括第一原子的氧化物或氮化物和作为氧化物或氮化物中的掺杂剂掺杂的第二原子。 第一原子的价数和第二原子的价数是不同的。
-
公开(公告)号：KR101717798B1
公开(公告)日：2017-03-17
申请号：KR1020117026209
申请日：2010-04-02
Applicant: 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C13/0028 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/06 , H01L45/065 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/148 , H01L45/149
Abstract: 본발명은메모리요소들에인가되는전압차에응답하여전기적전도성의레벨을역으로변환하는메모리요소들에특별히적용되는 3차원어레이를제공한다. 메모리요소들은반도체기판상에다른거리에위치된복수의평면들에교차되어형성된다. 모든평면들의메모리요소들이연결되는비트라인들의 2차원어레이는기판으로부터복수의평면들을통하여수직으로지향된다. 이중전역비트라인아키텍처는, 병렬에서메모리요소들의열에접속하기위하여각 비트라인들에한 쌍의전역비트라인을제공한다. 각쌍의제2 쌍이인접한열에서지역비트라인들이지역비트라인들의인접한열들사이에누출전류를제거하기위한정확한전압을설정하는것을허용하는동안각 쌍의제1 쌍은상기열의지역비트라인들이감지되도록한다.
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101622868B1
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：KR1020147033426
申请日：2013-05-07
Applicant: 마이크론 테크놀로지, 인크
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/085 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1246 , H01L45/1253 , H01L45/1266 , H01L45/14 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1683
Abstract: 국한된필라멘트형성을구비하는저항성메모리가여기에서설명된다. 하나이상의방법실시예는실리콘재료및 실리콘재료상의산화물재료를갖는적층체에개구부를형성하는단계, 및실리콘재료에인접하여개구부에산화물재료를형성하는단계를포함하되, 개구부에형성된산화물재료는저항성메모리셀에서의필라멘트형성을개구부에형성된산화물재료에의해에워싸인구역으로국한한다.
Abstract translation: 本文描述了具有限制的灯丝形成的电阻记忆。 一个或多个方法实施例包括在硅材料上形成具有硅材料和氧化物材料的堆叠中的开口，以及在邻近硅材料的开口中形成氧化物材料，其中形成在开口中的氧化物材料限制在 电阻性存储单元到形成在开口中的氧化物材料包围的区域。
-
公开(公告)号：KR1020160036021A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：KR1020160030497
申请日：2016-03-14
Applicant: 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤
Inventor： 야스다슈이치로 , 실즈스캇 , 바라크리쉬난무라리크리쉬난 , 쿡베스 , 라마스바미두라이비삭니르말
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L21/28 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/16
Abstract: 집적회로시스템및 그제조방법은, 어드레스스위치를갖는집적회로다이, 화학적기상증착또는원자층증착의특성을갖고, 어드레스스위치에결합되고, 할로겐성분이없는하부전극콘택트, 하부전극콘택트직상의전이물질층, 및집적회로다이에불휘발성메모리어레이를형성하기위한전이물질층직상의상부전극콘택트를포함한다.
Abstract translation: 集成电路系统及其制造方法技术领域本发明涉及集成电路系统及其制造方法。 集成电路系统的制造方法包括：具有地址开关的直流电路管芯; 具有化学气相沉积性质或原子层沉积性能的下电极接触件，其耦合到地址开关而不具有卤素元素; 位于下电极接触器正上方的过渡材料层; 以及放置在过渡材料层上的上电极接触件，以在直流电路管芯上形成非易失性存储器阵列。
-
公开(公告)号：KR101573158B1
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：KR1020147005528
申请日：2012-07-16
Applicant: 마이크론 테크놀로지, 인크
Inventor： 실즈,스캇이.
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1246 , H01L45/1266 , H01L45/143 , H01L45/146
Abstract: 일부실시예들은메모리셀들을포함한다. 메모리셀은한 쌍의전극들사이의스위칭영역및 이온소스영역을포함할수 있다. 스위칭영역은전도성브리지를가역적으로유지하도록구성될수 있으며, 메모리셀은전도성브리지가스위칭영역내에서유지될때 저저항상태에있고전도성브리지가스위칭영역내에있지않을때 고저항상태에있다. 메모리셀은전도성브리지를스위칭영역내에서배향시키기위해스위칭영역을가로질러연장되는정렬된프레임워크를포함할수 있으며, 프레임워크는메모리셀의고저항및 저저항상태들둘 다에서스위칭영역내에유지된다.
-
公开(公告)号：KR1020150132123A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：KR1020157023706
申请日：2014-03-03
Applicant: 마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/16 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/145
Abstract: 저항성메모리셀(100)은링 형상의하부전극(102), 상부전극(108), 및하부전극과상부전극사이에배치된전해질층(106)을포함한다. 하부전극컨택상에유전층을형성하는공정, 상기유전층에비어를에칭하여상기하부전극컨택의적어도한 부분을노출시키는공정, 상기유전층상에그리고상기비어안에전도성비어라이너를침착하는공정,- 상기비어에침착된상기비어라이너는상기비어에링 형상의구조체및 노출된하부전극컨택과컨택하는컨택부를형성하고, 상기링 형상의구조체는상기링 형상의구조체의반지름방향의내측캐비티를정의함 -그리고상기비어라이너의상기링 형상의구조체가상기링 형상의하부전극을형성하도록, 상기링 형상의구조체의반지름방향의내측에있는상기캐비티를유전체충전재로충전하는공정을포함하는링 형상의하부전극을형성단계,1 상기하부전극상에전해질층을침착하는단계, 및상기전해질층 상에상부전극을침착하는단계를포함하여이루어진다.
-
公开(公告)号：KR101548675B1
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：KR1020090073908
申请日：2009-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146
Abstract: 본발명은가변저항메모리에관한것이다. 본발명의가변저항메모리어레이는적어도하나의가변저항메모리셀들을포함한다. 각각의가변저항메모리셀은제 1 타입의웰, 그리고웰 상의셀 구조물을포함한다. 셀구조물은셀 구조물은제 1 타입과상이한제 2 타입의구조물, 그리고구조물상의가변저항막을포함한다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
404
records
(took 0.025 seconds)
