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公开(公告)号：KR1020110095290A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：KR1020117012737
申请日：2009-11-03
Applicant: 엠이엠씨 싱가포르 피티이. 엘티디.
IPC: C30B15/00 , C30B29/06 , H01L31/024
Abstract: 규소 분말로부터 산화규소의 제거; 공기 및 기타 산화 기체의 제거를 위한 진공의 적용; 분말의 용융 및 산화물을 용해시키는 시간 동안 충전물을 그의 용융 온도보다 높게 유지하는 동안 및 그 후에 가열장치에 대한 충전물의 위치 제어; 및 산화물과 규소 브리지 형성을 감소시키기 위한 도가니 측벽과 규소 분말 충전물 사이에서의 제거가능한 스페이서의 사용을 포함하는, 초크랄스키법에 따라 단결정 또는 다결정질 규소 잉곳을 성장시키는데 사용하기 위한 규소 분말로부터의 용융물의 제조 방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020120090030A
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：KR1020127003982
申请日：2010-07-16
Applicant: 엠이엠씨 싱가포르 피티이. 엘티디.
Inventor： 필립스,리차드제이. , 킴벨,스티븐엘. , 데쉬판데,아디트야 , 시,강
IPC: C30B11/00 , C30B28/04 , C30B15/10 , C04B35/584
CPC classification number: C30B11/002 , C04B35/584 , C04B35/6269 , C04B35/6342 , C04B35/63488 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/721 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y10T428/24
Abstract: 용융된 반도체 재료를 보유하기 위한 질화규소 코팅된 도가니, 및 방향성 응고 공정에 의한 다결정질 규소 잉곳을 제조하기 위한 그의 용도, 도가니를 코팅하는 방법, 규소 잉곳 및 웨이퍼의 제조 방법, 도가니를 코팅하기 위한 조성물 및 낮은 산소 함량을 갖는 규소 잉곳 및 웨이퍼가 기재되어 있다.
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公开(公告)号：KR101370180B1
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020117008797
申请日：2009-09-19
Applicant: 엠이엠씨 싱가포르 피티이. 엘티디.
CPC classification number: C30B11/002 , C30B11/02 , C30B28/06 , C30B29/06 , Y10T117/1092
Abstract: 방향성 응고로(directional solidification furnace)는 용융 실리콘을 담고 있는 도가니 및 상기 도가니를 덮고 상기 용융 실리콘의 위에 인클로저를 형성하는 리드를 포함한다. 상기 도가니는 또한 상기 용융 실리콘 위에 불활성 가스를 도입하는 상기 리드 내 주입구를 포함하여 상기 용융 실리콘의 오염을 방지한다.
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公开(公告)号：KR1020110076937A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020117008797
申请日：2009-09-19
Applicant: 엠이엠씨 싱가포르 피티이. 엘티디.
CPC classification number: C30B11/002 , C30B11/02 , C30B28/06 , C30B29/06 , Y10T117/1092
Abstract: 방향성 응고로(directional solidification furnace)는 용융 실리콘을 담고 있는 도가니 및 상기 도가니를 덮고 상기 용융 실리콘의 위에 인클로저를 형성하는 리드를 포함한다. 상기 도가니는 또한 상기 용융 실리콘 위에 불활성 가스를 도입하는 상기 리드 내 주입구를 포함하여 상기 용융 실리콘의 오염을 방지한다.
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