公开(公告)号：KR101896642B1

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：KR1020167022566

申请日：2015-02-12

申请人： 구로사키 하리마 코포레이션

发明人： 아카미네게이치로 ,  이토가즈오 ,  마키노다로

IPC分类号： C04B35/66 ,  B22D41/32 ,  B22D41/54 ,  C04B35/56 ,  F27D3/14 ,  F27D1/00

CPC分类号： C04B35/103 ,  B22D41/32 ,  B22D41/54 ,  C04B35/013 ,  C04B35/101 ,  C04B35/106 ,  C04B35/56 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/632 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3817 ,  C04B2235/3821 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/386 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/3895 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/422 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5472 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/721 ,  F27D1/0006 ,  F27D3/14

摘要： 본발명은주조용내화물, 특히주조용노즐이나 SN 플레이트와같이장시간사용또는반복사용에제공되는내화물의내용성을향상시키는것을목적으로한다. 본발명의주조용내화물은 AlOC를 15질량% 이상 60질량% 이하, 금속으로서의 Al 성분을 1.2질량% 이상 10.0질량% 이하함유하고, 잔부가 AlO, 프리 C 및다른내화성성분으로이루어지는주조용내화물에있어서, AlOC, AlO및금속으로서의 Al 성분의합계가 85질량% 이상이고, AlOC의함유량(AlOC)과금속으로서의 Al 성분의함유량(Al)과프리 C의함유량(C)이하기식 1 및식 2의관계를만족하는것을특징으로한다. 1.0≤C/(AlOC×0.038+Al×0.33) …식 1 1.0≥C/(AlOC×0.13+Al×0.67) …식 2

公开(公告)号：KR1020170088823A

公开(公告)日：2017-08-02

申请号：KR1020177006237

申请日：2015-11-20

申请人： 엔지케이 인슐레이터 엘티디

发明人： 마츠시마기요시 ,  와타나베모리미치 ,  사토게이 ,  나나타키츠토무

IPC分类号： C04B35/10 ,  C04B35/64 ,  G02B1/00

CPC分类号： C04B35/115 ,  C01F7/02 ,  C01F7/30 ,  C01F7/441 ,  C01F7/442 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B35/6342 ,  C04B35/638 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/322 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/425 ,  C04B2235/445 ,  C04B2235/5292 ,  C04B2235/5296 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/612 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/787 ,  C04B2235/9653 ,  C04B2235/9692 ,  C30B1/04 ,  C30B1/10 ,  C30B1/12 ,  C30B28/02 ,  C30B29/20 ,  G02B1/00 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/28 ,  H01L33/32

摘要： 본발명의알루미나소결체는, 판면에대하여 X선을조사하였을때의 2θ=20°∼70°의범위에있어서의 X선회절프로파일을이용하여로트게링법(Lotgering method)에따라구한 c면배향도가 90% 이상이고, 판면과수직인방향으로절단한단면을 Ar이온빔과차폐판을이용하여연마한후 주사형전자현미경으로배율 5000배로조사하였을때의기공의수가제로이며, Mg, C 이외의불순물원소의합계의질량비율이 100 ppm 이하인것이다. 이알루미나소결체는, 고배향, 고밀도, 고순도이기때문에, 종래에비해서높은투광성을가지고있다.

摘要翻译： 本发明的氧化铝烧结体的特征在于，当X射线照射板表面时，利用2θ= 20〜70度的X射线衍射曲线通过Lotgering法得到的c面取向度为90 ％，使用Ar离子束和遮蔽板对与板面垂直的方向切断的截面进行研磨，用5000倍的扫描型电子显微镜照射孔隙数为0个，除Mg，C以外的杂质元素 总质量比为100ppm或更少。 由于该氧化铝烧结体具有高取向性，高密度和高纯度，因此其具有比传统高的透光率。

公开(公告)号：KR101456732B1

公开(公告)日：2014-10-31

申请号：KR1020097012839

申请日：2007-12-20

申请人： 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하

发明人： 빌프리드클라우스

IPC分类号： C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  G02B1/02 ,  G03F7/20

CPC分类号： C04B35/443 ,  C04B35/44 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/9653 ,  G02B1/02 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70958

摘要： 투과 광학 소자는 마그네슘 스피넬 MgAl
2 O
4 또는 루테튬-알루미늄 가닛 Lu
3 Al
5 O
12 의 미세결정을 포함하는 다결정질 물질로 이루어지며, 다결정질 물질은 Y, Sc, Co, Ni, Zr, Mo, Sn, 및 Nb에 의해 야기된 외래 원소 오염을 포함하며, 외래 원소 오염의 평균 전체 농도가 50 ppm 이하이고, 바람직하게는 20 ppm 이하이며, 더욱 바람직하게는 15 ppm이하이다.

公开(公告)号：KR1020140100507A

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：KR1020147015476

申请日：2013-09-02

申请人： 제이엑스금속주식회사

发明人： 다카미히데오 ,  나라아츠시

IPC分类号： C04B35/453 ,  C22C1/05 ,  C22C29/12 ,  C23C14/34

CPC分类号： C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/404 ,  C04B2235/405 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/721 ,  C22C1/051 ,  C22C29/12 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414

摘要： 산화아연 (ZnO) 을 주성분으로 하고, 산화아연에 대해 n 형 도펀트가 되는 갈륨 (Ga) 또는 알루미늄 (Al) 또는 붕소 (B) 를 함유함과 함께, 카본을 10 ∼ 300 wtppm 함유하고, 또한, 코발트 (Co), 니켈 (Ni), 철 (Fe), 구리 (Cu), 몰리브덴 (Mo), 루테늄 (Ru), 로듐 (Rh), 텅스텐 (W), 이리듐 (Ir), 금 (Au) 에서 선택한 금속 원소 M 의 1 종 이상을 함유하고, 금속 M 은 적어도 일부 혹은 전부 금속으로서 소결체 중에 잔류하고, 산화아연계 소결체를 구성하는 아연과 n 형 도펀트와 전체 금속 원소에 대한 금속 M 의 농도를 0.05 ∼ 25.0 원자％ 로 조정한 산화아연계 소결체, 그 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타깃 및 그 타깃을 스퍼터링함으로써 얻어지는 박막을 제공한다.

公开(公告)号：KR101143128B1

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：KR1020117000219

申请日：2010-05-21

申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼

发明人： 히라타요스케 ,  츠지히데아키 ,  오모리나가토 ,  와다히로유키 ,  히라마츠타카시 ,  사이토요시토

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/005 ,  B32B18/00 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/588 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/30

摘要： 내부전극을 가지는 적층체를 포함하는 적층 세라믹 전자부품에 있어서, 세라믹층 및 내부전극이 박층화되어도, 적층체를 소결시키기 위한 소성 공정에 있어서, 전극 파손이나 뭉침 등의 상태 변화가 생기기 어렵게 하는 동시에 DC 바이어스 특성을 개선한다.
적층체(12)는 세라믹층을 구성하는 세라믹의 그레인 지름에 관해, 이것이 비교적 큰 대그레인 영역(13)과 비교적 작은 소그레인 영역(14)으로 분류된다. 대그레인 영역은 소그레인 영역의 외측에 위치하고, 대그레인 영역과 소그레인 영역의 경계면(15)은, 적층체에서의 내부전극이 존재하는 부분(16)을 둘러싸면서 적층체의 외표면의 내측에 위치한다. 적층체를 얻기 위해, 소성 공정에 있어서, 실온에서 최고 온도까지의 평균 승온 속도를 40℃/초 이상으로 하는 온도 프로파일로 열처리한다.

公开(公告)号：KR1020110104495A

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020117013690

申请日：2009-12-03

申请人： 이데미쓰 고산 가부시키가이샤

发明人： 야노고키 ,  가와시마히로카즈

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/7869 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/722 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/775 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/9661 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/2206 ,  H01L29/242

摘要： 상동 결정 구조의 In
2 Ga
2 ZnO
7 을 포함하고, 소결체 밀도가 상대 밀도로 90% 이상이며, 평균 결정 입경이 10μm 이하인 복합 산화물 소결체.

公开(公告)号：KR1020110020291A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：KR1020117000153

申请日：2009-06-23

申请人： 제이엑스금속주식회사

发明人： 사토가즈유키 ,  고이도요시마사

IPC分类号： C04B35/50 ,  C23C14/34 ,  C04B35/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/462 ,  C04B35/486 ,  C04B35/49 ,  C04B35/50 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/782 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9669 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517

摘要： 산화란탄을 기본 성분으로 하는 소결체로서, 산화티탄, 산화지르코늄, 산화하프늄의 1 또는 2 이상을 함유하고, 잔부가 산화란탄 및 불가피한 불순물인 산화란탄기 소결체. 산화란탄 원료 분말로서, La
2 (CO
3 )
3 분말 또는 La
2 O
3 분말과, 첨가 산화물로서 TiO
2 , ZrO
2 , HfO
2 분말의 1 또는 2 이상을 사용하고, 메탈 환산으로, 첨가 산화물의 금속 성분의 조성비를 소정의 값이 되도록 배합하여 혼합한 후, 이 혼합 분말을 대기 중에서 가열 합성하고, 다음으로 이 합성 재료를 분쇄하여 분말로 한 후, 이 합성 분말을 핫 프레스하여 소결체로 하는 산화란탄기 소결체의 제조 방법. 본 발명은, 수분이나 탄산 가스와 결합하고 수산화물 등을 형성하여 분말상으로 변화되는 것을 방지하고, 장기간의 보관을 가능하게 하는 것이다. 또, 이 스퍼터링 타겟을 사용하여 성막함으로써, High-k 게이트 절연막용 산화물을 효율적으로 또한 안정적으로 제공할 수 있는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1020100129323A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：KR1020107023361

申请日：2009-03-19

申请人： 생-고뱅 생트레 드 레체르체 에 데투드 유로삐엔

发明人： 말린,사무엘 ,  페티그니,실뱅

IPC分类号： C04B35/628 ,  C04B35/117 ,  C09K3/14

CPC分类号： C04B35/62807 ,  C04B35/109 ,  C04B35/1115 ,  C04B35/117 ,  C04B35/119 ,  C04B35/62665 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C09K3/1445 ,  C04B35/628 ,  C09K3/14

摘要： 본 발명은 실리카를 함유하는 코팅으로 적어도 부분적으로 덮힌 융합된 기본 입자를 포함하는 코팅된 입자를 제공하며, 상기 기본 입자는 기본 입자의 중량을 기준으로 중량 백분율로 40%를 초과하는 알루미나를 포함한다.

公开(公告)号：KR100970155B1

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：KR1020087005039

申请日：2006-08-04

申请人： 가부시끼가이샤 도꾸야마

发明人： 가네치카유키히로 ,  아즈마마사노부

IPC分类号： C04B35/581 ,  H01J61/30

CPC分类号： H01J61/302 ,  C04B35/581 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/6587 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/963 ,  H01J61/827 ,  Y10T428/131 ,  Y10T428/24479

摘要： 본 발명은 소성 후, 미연마 상태에서 평활한 표면을 가져, 광선 투과 특성이 높은 질화알루미늄 소결체를 제공함을 목적으로 하고 있다. 본 발명에 의한 질화알루미늄 소결체는 산소 농도가 450ppm 이하, 산소, 질소, 알루미늄 이외의 불순물 원소 농도가 350ppm 이하이며, 평균 결정 입경이 2㎛∼20㎛이며, 또한 소성 후, 미연마 상태에서, 표면의 산술 평균 높이(Ra)가 1㎛ 이하이며, 최대 높이(Rz)가 10㎛ 이하임을 특징으로 하고 있다.
질화알루미늄 소결체, 광선 투과 특성

公开(公告)号：KR100952889B1

公开(公告)日：2010-04-16

申请号：KR1020077029620

申请日：2006-03-10

申请人： 닛코킨조쿠 가부시키가이샤

发明人： 다카미히데오 ,  야하기마사타카

IPC分类号： C23C14/34 ,  C01G37/033 ,  C04B35/12

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C01G37/033 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/80 ,  C04B35/12 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/446 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/726 ,  C04B2235/77

摘要： 유황이 100wtppm 이하인 산화크롬으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링 타겟트용 산화크롬 분말. 스퍼터링 타겟트 중의 유황 함유량이 100wtppm 이하이며, 수분, 탄소, 질소, 유황의 가스성분을 제외한 순도가 99.95wt% 이상인 것을 특징으로 하는 산화크롬 또는 5mol% 이상의 산화크롬을 함유하는 스퍼터링 타겟트. 산화크롬 자체의 순도를 높이는 것과 함께, 스퍼터링 타겟트를 제조할 시에 소결밀도를 올릴 수 있는 스퍼터링 타겟트용 산화크롬 분말을 제공하는 것이며, 또한 이 산화크롬 분말을 사용하여 스퍼터링 타겟트를 제조할 시에 결정입을 미세화하고, 균열의 발생이 없으며, 균일 및 치밀한 스퍼터링 타겟트를 제공하는 것이다.
스퍼터링 타겟트용 산화크롬 분말